【技术实现步骤摘要】
本揭露关于多栅极装置。
技术介绍
1、电子工业对更小、更快且同时能够支持愈来愈复杂及精密的功能的电子装置的需求愈来愈大。相应地，半导体工业中制造低成本、高效能且低功耗集成电路的趋势仍在继续。迄今为止，通过缩减半导体集成电路尺寸(例如，最小特征尺寸)且从而提高生产效率及降低相关联的成本，这些目标在很大程度上已经实现。然而，此类尺寸缩减亦增加半导体制造工艺的复杂性。因此，半导体集成电路及装置的持续进步的实现需要半导体制造工艺及技术的类似进步。
2、为了通过增加栅极-通道耦合、降低截止状态电流及降低短通道效应(short-channel effect，sce)来改善栅极控制，引入多栅极装置。已经引入的一种此类多栅极装置为鳍式场效晶体管(fin field-effect transistor，finfet)。finfet得名自鳍状结构，鳍状结构自其形成的基板延伸且用于形成fet通道。另一种用于解决与finfet相关联的效能挑战的部分引入的多栅极装置为全环绕栅极(gate-all-around，gaa)晶体管。gaa装置得名自完全围绕通道延伸的栅极结构，提供比finfet更好的静电控制。finfet及gaa装置与习知互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor，cmos)工艺相容，且其三维结构允许finfet及gaa装置在保持栅极控制及缓解sce的同时进行积极尺寸缩减。
技术实现思路
1、根据本揭露的一些实施例，一种多栅极装
2、根据本揭露的一些实施例，一种多栅极装置包括：一半导体基板，具有一直流装置区及一交流装置区；一第一直流栅极及一第二直流栅极，位于该半导体基板上，且位于该直流装置区中；一直流区隔离结构，位于该第一直流栅极与该第二直流栅极之间；一第一交流栅极及一第二交流栅极，位于该半导体基板上，且位于该交流装置区中；及一交流区隔离结构，位于该第一交流栅极与该第二交流栅极之间，其中该直流区隔离结构的底部较该交流区隔离结构的底部低。
3、根据本揭露的一些实施例，一种多栅极装置包括：一半导体基板，具有一直流装置区及一交流装置区；一第一直流栅极及一第二直流栅极，位于该直流装置区中；一直流区隔离结构，位于该第一直流栅极与该第二直流栅极之间的一深沟槽中，其中该深沟槽具有一第一深度；一第一交流栅极及一第二交流栅极，位于该交流装置区中；及一交流区隔离结构，位于该第一交流栅极与该第二交流栅极之间的一浅沟槽中，其中该浅沟槽具有小于该第一深度的一第二深度。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种多栅极装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的多栅极装置，其特征在于，其中该第一深度大于该第二深度的1.5倍。
3.如权利要求1所述的多栅极装置，其特征在于，其中该深沟槽具有至少6的一深宽比，且其中该浅沟槽具有不大于5的一深宽比。
4.如权利要求1～3其中任一所述的多栅极装置，其特征在于，其中该深沟槽具有一第一深宽比，其中该浅沟槽具有一第二深宽比，且其中该第一深宽比为该第二深宽比的至少1.2倍。
5.一种多栅极装置，其特征在于，包括：
6.一种多栅极装置，其特征在于，包括：
7.如权利要求6所述的多栅极装置，其特征在于，其中该第一深度为该第二深度的至少1.5倍。
8.如权利要求6所述的多栅极装置，其特征在于，其中：
9.如权利要求6所述的多栅极装置，其特征在于，其中：
10.如权利要求6～9其中任一所述的多栅极装置，其特征在于，其中：
【技术特征摘要】
1.一种多栅极装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的多栅极装置，其特征在于，其中该第一深度大于该第二深度的1.5倍。
3.如权利要求1所述的多栅极装置，其特征在于，其中该深沟槽具有至少6的一深宽比，且其中该浅沟槽具有不大于5的一深宽比。
4.如权利要求1～3其中任一所述的多栅极装置，其特征在于，其中该深沟槽具有一第一深宽比，其中该浅沟槽具有一第二深宽比，且其中该第一深宽比为该第二深宽比...
【专利技术属性】
技术研发人员：林子敬，杨舜惠，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。