【技术实现步骤摘要】
混合器件载体及其制造方法
[0001]本申请是申请日为2018年03月08日、申请号为2018101911683、专利技术名称为“混合器件载体及其制造方法”的中国专利技术专利申请的分案申请。
[0002]本专利技术涉及一种混合器件载体及其制造方法。
技术介绍
[0003]知晓将具有较低密度的导电元件的第一层结构(诸如印刷电路板(PCB),其可以是高密度互连结构)与较高密度的导电元件的第二层结构(诸如衬底,其可以被称为超高密度互连结构)进行组合。在这种方案中,衬底和PCB是分开制造的。只是随后将衬底与PCB进行组合以产生最终的器件载体。
[0004]这种常规方案可能存在若干缺点,因为这些方案需要使用附加的衬底或中介层(interposer)。在超高集成密度的导电元件如在衬底中的情况下,会出现如下问题:器件载体,包括安装在其上的器件,在运行期间被显著加热,并且不能充分地去除所产生的热量。这导致可靠性问题和过热的危险。进一步地,由于电子功能复杂以及导电元件的高集成密度及其薄层架构,器件载体可能不能够充分地去除所产生 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.用于制造混合器件载体(100,200)的方法,包括:提供具有至少一个电绝缘层和至少一个导电层的第一层结构(110);以及在所述第一层结构(110)上形成第二层结构(160),其中所述第二层结构(160)至少包括第一层(162)和第二层(164),其中所述第一层结构(110)具有第一密度的导电元件,并且其中所述第二层结构(160)具有第二密度的导电元件,其中导电元件的所述第二密度大于导电元件的所述第一密度,并且其中在所述第一层结构(110)上形成所述第二层结构(160)包括:在所述第一层结构(110)上形成所述第二层结构(160)的所述第一层(162);以及随后在所述第二层结构(160)的所述第一层(162)上形成所述第二层结构(160)的所述第二层(164)。2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第二层结构(160)所具有的电子线路的平均线间距离不超过20微米。3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,导电元件的所述第一密度和导电元件的所述第二密度由每单位体积的导电元件数量限定,优选地由每单位体积的电气器件数量限定。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法,其中,形成在所述第一层结构(110)上的所述第二层结构(160)的所述第一层(162)是电绝缘层。5.根据前述权利要求中的任一项所述的方法,其中,最初以未固化的电绝缘材料来提供所述第二层结构(160)的所述第一层(162)和/或所述第二层结构(160)的所述第二层(164)。6.根据前述权利要求中的任一项所述的方法,其中,在所述第一层结构(110)上形成所述第二层结构(160),以便完全覆盖所述第一层结构(110)的上表面。7.根据前述权利要求中的任一项所述的方法,其中,所述第二层结构(160)的所述第一层(162)和/或所述第二层结构(160)的所述第二层(164)包含颗粒。8.根据前述权利要求中的任一项所述的方法,其中,所述第一层结构(110)的所述至少一个电绝缘层中的至少一个包含玻璃纤维。9.根据前述权利要求中的任一项所述的方法,还包括至少所述第二层结构(160)的所述第一层(162)或所述第二层结构(160)的所述第二层(164)的固化步骤,以将所述第二层结构(160)的所述第一层(162)或所述第二层结构(160)的所述第二层(164)直接结合至所述第一层结构(110)。10.根据前述权利要求中的任一项所述的方法,还包括在所述第二层结构(160)的所述第一层(162)或所述第二层结构(160)的所述第二层(164)与所述第一层结构(110)的所述导电层(160)中的至少一个之间形成至少一个电连接过孔(186)。11.根据前述权利要求中的任一项所述的方法,还包括:在所述第二层结构(160)中形成腔体(366);以及
在所述腔体(366)中设置有源器件(130,170)。12.根据前述权利要求中的任一项所述的方法,还包括:提供用于从所述第二层结构(160)向所述第一层结构(110)消散热量的至少一个散热通路。13.根据前述权利要求中的任一项所述的方法,其中所提供的所述第一层结构(110)具有第一厚度;其中形成在所述第一层结构(110)上的所述第二层结构(160)具有第二厚度,并且其中所述第一厚度大于所述第二厚度。14.器件载体(100,200),包括具有至少一个电绝缘层和至少一个导电层的第一层结构(110);以...
【专利技术属性】
技术研发人员:马库斯,
申请(专利权)人:奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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