图像传感器及其形成方法技术

本发明专利技术的各个实施例针对图像传感器。图像传感器包括设置在衬底中的深沟槽隔离(DTI)结构。衬底的像素区域设置在DTI结构的内周界内。光电探测器设置在衬底的像素区域中。栅电极结构至少部分地位于衬底的像素区域上面。第一栅极介电结构部分地位于衬底的像素区域上面。第二栅极介电结构部分地位于衬底的像素区域上面。栅电极结构位于第一栅极介电结构的部分和第二栅极介电结构的部分上面。第一栅极介电结构具有第一厚度。第二栅极介电结构具有大于第一厚度的第二厚度。本申请的实施例还提供了用于形成图像传感器的方法。于形成图像传感器的方法。于形成图像传感器的方法。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其形成方法


[0001]本申请的实施例涉及图像传感器及其形成方法。

技术介绍

[0002]许多现代电子器件(例如，智能手机、数码相机、生物医学成像器件、汽车成像器件等)包括图像传感器。图像传感器包括配置为吸收入射辐射并且输出对应于入射辐射的电信号的一个或多个光电探测器(例如，光电二极管、光电晶体管、光敏电阻等)。一些类型的图像传感器包括电荷耦合器件(CCD)图像传感器和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。与CCD图像传感器相比，CMOS图像传感器由于低功耗、小尺寸、快速数据处理、数据直接输出和低制造成本而受到青睐。一些类型的CMOS图像传感器包括前照式(FSI)图像传感器和背照式(BSI)图像传感器。

技术实现思路

[0003]本申请的一些实施例提供了一种图像传感器，包括：深沟槽隔离(DTI)结构，设置在半导体衬底中，其中，所述深沟槽隔离结构以闭环路径横向延伸穿过所述半导体衬底，并且其中，所述半导体衬底的像素区域设置在所述深沟槽隔离结构的内周界内；光电探测器，设置在所述半导体衬底的所述像素区域中；栅电极结构，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，包括：深沟槽隔离(DTI)结构，设置在半导体衬底中，其中，所述深沟槽隔离结构以闭环路径横向延伸穿过所述半导体衬底，并且其中，所述半导体衬底的像素区域设置在所述深沟槽隔离结构的内周界内；光电探测器，设置在所述半导体衬底的所述像素区域中；栅电极结构，部分地位于所述半导体衬底的所述像素区域上面；第一栅极介电结构，部分地位于所述半导体衬底的所述像素区域上面；以及第二栅极介电结构，部分地位于所述半导体衬底的所述像素区域上面，其中，所述栅电极结构位于所述第一栅极介电结构的部分和所述第二栅极介电结构的部分上面，并且其中，所述第二栅极介电结构的所述部分的厚度大于所述第一栅极介电结构的所述部分的厚度。2.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：介电结构，设置在所述半导体衬底、所述第一栅极介电结构、所述第二栅极介电结构和所述栅电极结构上方；以及导电接触件，设置在所述介电结构中并且电耦合至所述栅电极结构，其中，所述导电接触件位于所述第二栅极介电结构的所述部分上面。3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述导电接触件设置在所述深沟槽隔离结构的所述内周界内。4.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述导电接触件至少部分地位于所述深沟槽隔离结构上面。5.根据权利要求2所述的图像传感器，其中：所述第二栅极介电结构具有横向设置在所述栅电极结构的第一侧壁和所述栅电极结构的第二侧壁之间的侧壁；所述栅电极结构的所述第一侧壁与所述栅电极结构的所述第二侧壁相对；所述栅电极结构的所述第一侧壁面向所述深沟槽隔离结构的侧壁；以及所述导电接触件横向设置在所述第二栅极介电结构的所述侧壁和所述深沟槽隔离结构的所述侧壁之间。6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第二栅极介电结构5横向围绕所述第一栅极介电结构。7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一栅极介电结构的外周界设置在所述深沟槽隔离结...

【专利技术属性】
技术研发人员：王子睿，杨敦年，王铨中，徐铭杰，徐伟诚，山下雄一郎，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：