半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底包括逻辑电路区和像素区；在所述逻辑电路区的所述衬底的顶部、以及所述逻辑电路区和像素区交界处的所述衬底的部分顶部形成栅极结构、以及覆盖所述栅极结构顶部的离子阻挡层；形成所述离子阻挡层之后，对所述像素区中的衬底进行掺杂处理；进行所述掺杂处理之后，去除所述离子阻挡层。所述离子阻挡层能够对所述栅极结构起到保护作用，在后续对所述第一离子掺杂层进行掺杂处理的过程中，降低了掺杂处理所采用的离子注入到栅极结构的概率，提高了所述栅极结构的电学性能，从而提高了所述半导体结构的性能。高了所述半导体结构的性能。高了所述半导体结构的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]在半导体
中，图像传感器是一种能将光学图像转换成电信号的半导体器件。图像传感器大体上可以分为电荷耦合元件(CCD)和互补金属氧化物半导体图像传感器(CMOS Image Sensor，CIS)。CCD图像传感器的优点是对图像敏感度较高，噪声小，但是CCD图像传感器与其他器件的集成比较困难，而且CCD图像传感器的功耗较高。
[0003]相比之下，CMOS图像传感器由于具有工艺简单、易与其他器件集成、体积小、重量轻、功耗小、成本低等优点而逐渐取代CCD的地位。目前CMOS图像传感器被广泛应用于数码相机、照相手机、数码摄像机、医疗用摄像装置(例如胃镜)、车用摄像装置等领域之中。
[0004]CMOS图像传感器是通过对光电效应产生的光电子，进行有效的读取，从而产生对应的图像信息，其像素区域的性能和其各个像素区域的隔离性能具有非常强的相关性

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例解决本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括逻辑电路区和像素区；第一离子掺杂层，位于所述像素区的所述衬底中；第二离子掺杂层，位于所述第一离子掺杂层中，所述第二离子掺杂层的掺杂深度小于所述第一离子掺杂层的掺杂深度，且所述第二离子掺杂层比所述第一离子掺杂层更远离所述逻辑电路区和像素区的交界处；栅极结构，位于所述逻辑电路区的所述衬底的顶部、以及所述逻辑电路区和像素区交界处的所述衬底的部分顶部。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二离子掺杂层中掺杂的离子包括As和P中的一种或两种。3.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括逻辑电路区和像素区；在所述逻辑电路区的所述衬底的顶部、以及所述逻辑电路区和像素区交界处的所述衬底的部分顶部形成栅极结构、以及覆盖所述栅极结构顶部的离子阻挡层；形成所述离子阻挡层之后，对所述像素区中的衬底进行掺杂处理；进行所述掺杂处理之后，去除所述离子阻挡层。4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述栅极结构和离子阻挡层的步骤包括：在所述逻辑电路区和像素区的所述衬底顶部形成栅极材料层；在所述栅极材料层的顶部形成阻挡材料层；图形化所述栅极材料层和阻挡材料层，在所述逻辑电路区的所述衬底的顶部、以及所述逻辑电路区和像素区交界处的所述衬底的部分顶部形成栅极结构、以及覆盖所述栅极结构顶部的离子阻挡层。5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述栅极材料层之后，在形成所述阻挡材料层之前，还包括：在所述栅极材料层的顶部形成应力缓冲层；在图形化所述栅极材料层和阻挡材料层的过程中，还包括：图形化所述应力缓冲层。6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，图形化所述栅极材料层和阻挡材料层的步骤包括：在所述阻挡材料层的顶部形成第一掩膜层，所述第一掩膜层位于所述逻辑电路区的所述衬底顶部、以及所述逻辑电路区和像素区交界处的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：米红星，田三河，靳颖，牛健，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：