【技术实现步骤摘要】
光电传感器及其形成方法、以及电子设备
[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光电传感器及其形成方法、以及电子设备。
技术介绍
[0002]光电传感器是将光信号转换为电信号的一种器件。其工作原理基于光电效应，光电效应是指光照射在某些物质上时，物质的电子吸收光子的能量而发生了相应的电效应现象。
[0003]例如，目前广泛应用在数码相机和其他电子光学设备中的CCD(Charge Coupled Device，电荷耦合器件)图像传感器和CMOS图像传感器，均是利用光电转换功能将光学图像转换为电信号后输出数字图像。ToF(Time of Flight，飞行时间)距离传感器，例如：DTOF(Direct Time of Flight，直接飞行时间)传感器，记录光脉冲被发射和被探测的时间，将时间差转换成距离信息。该技术可以被用于自动驾驶、扫地机器人、VR(Virtual Reality，虚拟现实)/AR(Augmented Reality，增强现实)建模等各种测距场景中。
[0004]但是，目前光电传...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光电传感器，其特征在于，包括：像素基底，包括相对的第一表面和第二表面，所述像素基底包括感光区和围绕所述感光区的引线区，所述感光区包括阵列排布的像素单元区；隔离结构，贯穿相邻所述像素单元区之间的所述像素基底，所述隔离结构包括导电层，所述导电层的顶面露出于所述第一表面，所述隔离结构位于所述感光区；介质层，位于所述像素基底的第二表面上，所述介质层位于逻辑基底表面上；互连层，位于所述介质层中；连接结构，位于所述像素基底的像素单元区正投影下方的介质层中，所述连接结构分别与所述介质层中的互连层和所述像素基底相接触；第一开口，位于所述引线区的像素基底内，且暴露所述介质层的顶表面；第二开口，位于所述第一开口下方的所述介质层内，且暴露所述互连层顶表面；焊垫层，位于所述第一开口和第二开口内且与所述介质层内的互连层相接触；钝化层，填充所述第一开口和第二开口且位于所述第一表面上，所述钝化层覆盖所述焊垫层以及所述导电层；金属网格，贯穿所述隔离结构上方的钝化层且与所述导电层相接触。2.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述连接结构所述光电传感器还包括：接地线，贯穿所述连接结构正上方的钝化层，所述接地线与所述像素基底相接触且与所述金属网格相连。3.如权利要求2所述的光电传感器，其特征在于，所述接地线与所述金属网格为一体型结构。4.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述焊垫层用于接入负电位。5.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，位于所述感光区的介质层中的互连层与所述引线区的介质层中的互连层彼此电连接。6.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述光电传感器还包括：互连沟槽，贯穿所述焊垫层上方的钝化层，且暴露出所述焊垫层。7.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述金属网格与部分的所述导电层的顶面相接触，或者，与全部的所述导电层的顶面均相接触。8.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述光电传感器还包括：逻辑基底，键合于所述像素基底的第二表面的介质层上。9.如权利要求1或8所述的光电传感器，其特征在于，所述第一表面为像素基底的背面，所述第二表面为像素基底的正面。10.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述隔离结构还包括：绝缘层，位于所述导电层与所述像素基底之间、以及所述导电层与所述介质层之间。11.如权利要求10所述的光电传感器，其特征在于，所述导电层的材料包括钨、铝、钛、氮化钛、氮化钽、铜中的一种或者多种；所述绝缘层的材料包括氮化硅、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化铪、氧化锆、氧化镁、氧化钙、氧化钇、氧化钽、氧化锶、氧化镧和氧化钡中的任意一种或多种。12.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述像素基底的材料包括硅、锗、锗化硅、碳化硅、砷化镓和镓化铟中的一种或多种；
所述互连层的材...
【专利技术属性】
技术研发人员：任惠，阎大勇，王志高，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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