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一种光电传感器及其形成方法、以及电子设备,光电传感器包括:介质层,位于像素基底的第二表面上,介质层位于逻辑基底表面上;互连层,位于介质层中;连接结构,位于像素基底的像素单元区正投影下方的介质层中,连接结构分别与介质层中的互连层和像素基底相接...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。
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一种光电传感器及其形成方法、以及电子设备,光电传感器包括:介质层,位于像素基底的第二表面上,介质层位于逻辑基底表面上;互连层,位于介质层中;连接结构,位于像素基底的像素单元区正投影下方的介质层中,连接结构分别与介质层中的互连层和像素基底相接...