光传感器制造技术

本发明专利技术的光传感器(1)具备：电荷产生区域(29)，其根据入射光产生电荷；电荷收集区域(33)，其传输在电荷产生区域(29)产生的电荷；和至少1个传输栅电极(41)，其配置在电荷产生区域(29)与电荷收集区域(33)之间的传输区域(35)上。电荷产生区域(29)包含：雪崩倍增区域(23)，其产生雪崩倍增；和倾斜电势形成区域(59)，其将以随着靠近传输区域(35)而电势变低的方式倾斜的倾斜电势形成于电荷产生区域(29)。(29)。(29)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光传感器


[0001]本专利技术的一个方面涉及光传感器。

技术介绍

[0002]作为光传感器，已知有一种光传感器，其包括：根据入射光产生电荷的电荷产生区域、传输在电荷产生区域产生的电荷的电荷收集区域、和配置在电荷产生区域与电荷收集区域之间的区域上的传输栅电极。(例如参照专利文献1。)。在这样的光传感器中，能够从电荷产生区域向电荷收集区域高速地传输电荷。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2015
‑
5752号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的问题
[0007]在上述那样的光传感器中，有时为了扩大受光区域而要求增大电荷产生区域的面积。然而，在电荷产生区域的面积大的情况下，电荷产生区域内的电荷的移动花费时间，因此，从电荷产生区域向电荷收集区域的电荷传输有可能变慢。
[0008]本专利技术的一个方面的目的在于，提供一种即使在受光区域的面积大的情况下也能够高速地传输电荷的光传感器。
[0009]用于解决问题的手本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光传感器，其中，具备：电荷产生区域，其根据入射光产生电荷；电荷收集区域，其传输在所述电荷产生区域产生的电荷；和至少1个传输栅电极，其配置在所述电荷产生区域与所述电荷收集区域之间的传输区域上，所述电荷产生区域包含：雪崩倍增区域，其产生雪崩倍增；和倾斜电势形成区域，其将以随着靠近所述传输区域而电势变低的方式倾斜的倾斜电势形成于所述电荷产生区域。2.根据权利要求1所述的光传感器，其中，所述至少1个传输栅电极包含：第1传输栅电极、和相对于所述第1传输栅电极配置在所述电荷产生区域侧的第2传输栅电极。3.根据权利要求2所述的光传感器，其中，在将在所述电荷产生区域产生的电荷向所述电荷收集区域传输的电荷传输处理中，以作为所述第1传输栅电极的正下方的区域的电势的第1电势、以及作为所述第2传输栅电极的正下方的区域的电势的第2电势，在成为所述电荷产生区域的与所述传输区域的边界部的电势以下之后，变得高于所述边界部的电势的方式，对所述第1传输栅电极和所述第2传输栅电极赋予电位。4.根据权利要求3所述的光传感器，其中，在所述电荷传输处理中，以所述第2电势变得高于所述第1电势的方式，对所述第1传输栅电极和所述第2传输栅电极赋予电位。5.根据权利要求4所述的光传感器，其中，在所述第1传输栅电极的电位和所述第2传输栅电极的电位彼此相等的状态下，所述第2电势比所述第1电势高。6.根据权利要求5所述的光传感器，其中，所述传输区域包含：用于使所述第2电势比所述第1电势高的电势调整层。7.根据权利要求3～6中任一项所述的光传感器，其中，在所述电荷传输处理中的所述第1电势和所述第2电势为所述边界部的电势以下的状态下，所述第2电势与所述边界部的电势相等，所述第1电势比所述边界部的电势低。8.根据权利要求3～7中任一项所述的光传感器，其中，在所述电荷传输处理中，从所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：间瀬光人，泷口亮，石井博明，中野优，高木慎一郎，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：