集成电路封装件及其形成方法技术

提供了集成电路封装件及其形成方法。方法包括：在晶圆上方堆叠多个集成电路管芯以形成管芯堆叠件。在所述管芯堆叠件上实施接合工艺。所述接合工艺将所述管芯堆叠件的相邻集成电路管芯彼此机械连接和电连接。在所述晶圆上方形成挡块结构。所述挡块结构环绕所述管芯堆叠件。在所述晶圆上方以及在所述管芯堆叠件和所述挡块结构之间形成第一密封剂。所述第一密封剂填充所述管芯堆叠件的相邻集成电路管芯之间的间隙。在所述晶圆上方形成第二密封剂。所述第二密封剂环绕所述管芯堆叠件、所述第一密封剂和所述挡块结构。密封剂和所述挡块结构。密封剂和所述挡块结构。

【技术实现步骤摘要】
集成电路封装件及其形成方法
[0001]本申请是2019年05月10日提交的标题为“集成电路封装件及其形成方法”、专利申请号为201910386985.9的分案申请。


[0002]本专利技术的实施例一般地涉及半导体
，更具体地，涉及集成电路封装件及其形成方法。

技术介绍

[0003]半导体器件用于各种电子应用中，例如，个人计算机、手机、数字相机、和其他电子装置。通常通过以下步骤来制造半导体器件：在半导体衬底上方顺序地沉积绝缘材料层或介电材料层、导电材料层和半导体材料层；并且使用光刻图案化各个材料层以在其上形成电路部件或元件。通常在单个半导体晶圆上制造几十个或几百个集成电路。通过沿着划线锯切集成电路来切割独立管芯。然后在多芯片模块中或在其他类型的封装中单独地封装独立管芯。
[0004]由于各种电子部件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断改进，半导体工业已经经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的这种改进来自于最小部件尺寸的重复减小(例如，将半导体工艺节点缩小至20nm以下的节点)，从而允许将更多部件集本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于形成封装件的方法，包括：在晶圆上堆叠多个集成电路管芯以形成多个管芯堆叠件，所述多个管芯堆叠件通过晶圆的划线间隔开；在多个所述管芯堆叠件上实施单个接合工艺，所述单个接合工艺将所述管芯堆叠件的相邻集成电路管芯彼此机械连接和电连接；在所述晶圆上方形成多个挡块结构，每个所述挡块结构环绕每个所述管芯堆叠件以形成连续的环结构；在所述晶圆上方以及在所述管芯堆叠件和所述挡块结构之间形成第一密封剂，所述第一密封剂填充所述管芯堆叠件的相邻集成电路管芯之间的间隙；以及在所述晶圆上方形成第二密封剂，所述第二密封剂环绕所述管芯堆叠件、所述第一密封剂和所述挡块结构，其中，所述管芯堆叠件和所述第一密封剂设置在所述挡块结构的开口中，所述挡块结构与所述晶圆的划线不重叠，并且所述第二密封剂与所述挡块结构的外侧壁接触并且连续地覆盖所述划线，所述第一密封剂在晶圆的划线上方是不连续的，其中，在实施所述单个接合工艺之后，形成所述挡块结构和所述第一密封剂。2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述晶圆上堆叠所述多个集成电路管芯之前，将所述晶圆附接至载体。3.根据权利要求1所述的方法，其中，实施所述单个接合工艺包括实施焊料回流工艺。4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述晶圆上堆叠所述多个集成电路管芯包括：在将所述多个集成电路管芯中的每个放置在所述晶圆上之前，将所述多个集成电路管芯中的每个浸入助焊剂材料中。5.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述管芯堆叠件上实施所述单个接合工艺包括通过将所述管芯堆叠件的相邻集成电路管芯的连接器彼此接合以在所述管芯堆叠件的相邻集成电路管芯之间形成多个连接器接点。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一密封剂具有在0.1GPa和20GPa之间的杨氏模量。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一密封剂具有在5ppm/℃和50ppm/℃之间的热膨胀系数。8.一种用于形成封装件的方法，包括：在晶圆上放置多个第一集成电路管芯，所述晶圆包括位于所述晶圆的第一侧上的第一连接器，所述第一集成电路管芯包括位于所述第一集成电路管芯的第一侧上的第二连接器和位于所述第一集成电路管芯的第二侧上的第三连接器，所述第一集成电路管芯的第一侧与所述第一集成电路管芯的第二侧相对，所述第一连接器与所述第二连接器接触；将多个第二集成电路管芯中的每个第二集成电路管芯分别放置在多个所述第一集成电路管芯中的每个第一集成电路管芯上，从而形成多个管芯堆叠件，所述多个管芯堆叠件通过晶圆的划...

【专利技术属性】
技术研发人员：余振华，吴志伟，施应庆，卢思维，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：