本发明涉及一种机台降温装置和方法。该机台降温装置包括：进水管，连接到机台的进水口；回水管，连接到机台的出水口；跨接管，跨接在进水管与回水管之间，其中，制程冷却水的一部分通过进水管和进水口以流入机台进行降温并形成高温回水，高温回水通过出水...

本发明涉及一种半导体结构。该半导体结构包括：基板；光学元件，位于所述基板上方；支撑元件，用于支撑所述光学元件，并且所述支撑元件通过第一胶体连接在所述基板上。本发明提供的上述技术方案至少能够大幅减少光学元件间的公差来源。的公差来源。的公差...

本发明涉及一种半导体封装结构及其形成方法，该半导体封装结构包括：基板；重布线层，位于基板上方；底部填充物，位于基板与重布线层之间，其中，底部填充物延伸至邻述重布线层的至少一侧，邻近重布线层的至少一侧的底部填充物与重布线层之间以一间隙横向...

本发明的实施例提供了一种半导体封装件，包括：引线架；芯片，位于引线架中；介电层，包覆引线架和芯片；重布线层，位于芯片的主动面以及介电层上，重布线层接触芯片的主动面，重布线层具有延伸在介电层和主动面上的第一阶梯结构，位于介电层上的重布线层...

本发明的实施例提供了一种扇出式基板，包括：叠置的第一基板和第二基板；粘合层，位于第一基板和第二基板之间；被动元件，设置于粘合层中，并且电连接至第一基板和第二基板。本发明的目的在于提供一种扇出式基板及其形成方法，以优化扇出式基板的良率。以...

本发明的实施例提供了一种扇出式基板，包括：基板；扇出层，位于基板上；通孔，穿过扇出层连接至基板，扇出层的上表面以及扇出层的与通孔接触的第二表面上具有裂痕结构。本发明的目的在于提供一种扇出式基板及其形成方法，以优化扇出式基板的性能。化扇出...

本发明涉及一种半导体封装结构及其形成方法。半导体封装结构包括：基板；中介层，电连接于基板的上表面，中介层包括分别设置有I/O的第一I/O面和第二I/O面，第一I/O面与第二I/O面不平行，中介层内包括分别与第一I/O面处的I/O和第二I...

本发明涉及一种电容器基板及其形成方法。该电容器基板包括：基板，具有金属核心层，第一电极，包括穿过金属核心层的第一贯穿通孔和连接至金属核心层的第一通孔；第二电极，包括穿过基板的第二贯穿通孔和连接至金属核心层的第二通孔；其中，金属核心层暴露...

本公开关于一种半导体设备封装和其制造方法。所述半导体设备封装具有天线。所述天线包括第一介电层、第一导电层及第二介电层。所述第一介电层具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述第一导电层位于所述第一介电层的所述第一表面上。所述第一导...

本公开提供了半导体封装装置及其制造方法，通过在内埋线路基板中设置内埋元件区域和结构支撑区域，在内埋元件区域内设置内埋功能元件，在结构支撑区域内设置有结构支撑件，相对于现有技术中只在内埋线路基板中设置一个腔体且在这个腔体内设置所有内埋功能...

本公开提供的半导体封装结构的制造方法，通过设置足够厚的粘合层，并且配合控制切割机的精度，可以避免切割时损坏玻璃载板，进而可以实现玻璃载板的重复利用。并且可以利用粘合层的软质特性，可以当作切割制程时的缓冲，降低晶圆表面崩裂的发生。或者，将...

本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：基板，第一侧设置有第一线路和第二线路，第一线路具有第一表面，第二线路设置于第一表面上，第一表面具有第一凹陷结构。通过在第一表面上设置第二线路，基板可通过第二线路与外界电连接，进...

本公开提供的半导体封装结构及其制造方法，可以将位于封装基板单元(unit)区域外的引线框架扩展延伸至unit内，将扩展延伸至unit内的引线框架作为电子元件之间的屏蔽结构。通过在内埋于基板中的电子元件之间形成屏蔽结构，以实现电子元件之间...

本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。半导体封装装置包括：基板，所述基板具有第一通孔；以及重布线层，下表面接触所述基板，所述重布线层具有第二通孔，所述第一通孔的孔径由所述基板向所述重布线层的方向逐渐缩小，所述第二通孔的孔径由所述重布线层...

本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：线路层；第一芯片和第二芯片，设置于线路层上；加固结构，具有第一表面，第一表面贴合第一芯片的主动面和第二芯片的主动面。该半导体封装装置中，第一芯片主动面和第二芯片主动面直接贴合加...

提供了一种衬底、半导体封装以及制造所述衬底、半导体封装的方法。所述衬底包含插入件元件。所述插入件元件具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面。至少两行衬垫安置为邻近于所述插入件元件的所述第一表面。所述插入件元件包含安置在两行衬垫之间...

本发明涉及一种滤波器结构，该滤波器结构包括：基板，具有相对设置的第一表面和第二表面；滤波器，具有第一部分和第二部分，第一部分和第二部分分别设置在基板的第一表面和第二表面处。其中，第一部分和第二部分通过内埋于基板的通孔进行电性连接。上述技...

本公开提供了一种衬底结构、其制造方法以及包含所述衬底结构的半导体封装结构。所述衬底结构包含衬底、第一电子组件、第二电子组件以及多个金属层。所述第一电子组件安置在所述衬底内。所述第二电子组件安置在所述衬底内并且与所述第一电子组件一起在水平...

本公开提供了一种封装衬底和其制造方法。所述封装衬底包含衬底、电子组件和导电迹线。所述电子组件安置在所述衬底中，并且所述电子组件包含磁性层和导电线。所述导电线包含第一区段和第二区段，所述第一区段嵌入在所述磁性层中，所述第二区段连接到所述第...

本公开提供了一种封装衬底和其制造方法。所述封装衬底包含衬底、电子组件和导电迹线。所述电子组件安置在所述衬底中。所述电子组件包含导电线和磁性层，所述导电线包括对齐标记区段和连接区段，所述磁性层部分地覆盖所述导电线。所述磁性层包含对齐窗口和...