扇出式基板及其形成方法技术

本发明专利技术的实施例提供了一种扇出式基板，包括：叠置的第一基板和第二基板；粘合层，位于第一基板和第二基板之间；被动元件，设置于粘合层中，并且电连接至第一基板和第二基板。本发明专利技术的目的在于提供一种扇出式基板及其形成方法，以优化扇出式基板的良率。以优化扇出式基板的良率。以优化扇出式基板的良率。

【技术实现步骤摘要】
扇出式基板及其形成方法


[0001]本申请的实施例涉及扇出式基板及其形成方法。

技术介绍

[0002]基板的内埋被动组件包含电容元件与电感元件。在基板尺寸越来越大、层数越来越多的趋势之下，若是再内埋被动组件，更会因为制程的低良率，让许多被动组件失效，增加制造成本。内埋被动组件是节省封装件(PKG)厚度及平面面积所必须的技术，而缺陷密度也是受先天环境及制程限制，所以当层数越多或是尺寸越大时，其制程良率就越低，加强环境及制程管控可以降低良率损失，但并无根本地解决方法。
[0003]若是针对多层数大尺寸的基板，并同时要内埋被动元件，制程良率没有大于90％则没有经济效益，失效的被动元件过于多，同时也产生环境污染问题。

技术实现思路

[0004]针对相关技术中存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种扇出式基板及其形成方法，以优化扇出式基板的良率。
[0005]为实现上述目的，本专利技术的实施例提供了一种扇出式基板，包括：叠置的第一基板和第二基板；粘合层，位于第一基板和第二基板之间；被动元件，设置于粘合层中，并且电连接至第一基板和第二基板。
[0006]在一些实施例中，第一基板和第二基板有设置线路或未设置线路。
[0007]在一些实施例中，被动元件与第一基板直接连接。
[0008]在一些实施例中，被动元件与第二基板直接连接。
[0009]在一些实施例中，还包括：互连件，位于第一基板和第二基板之间，并且连接第一基板和第二基板。
[0010]在一些实施例中，被动元件的第一面连接第一基板，被动元件的与第一面相对设置的第二面和第二基板接触。
[0011]在一些实施例中，被动元件的第一面连接第一基板，被动元件的与第一面相对设置的第二面由粘合层包覆。
[0012]在一些实施例中，还包括：填充材料，位于第一面和第一基板之间，填充材料包覆位于被动元件和第一基板之间的连接件。
[0013]在一些实施例中，填充材料还包覆被动元件的侧面的部分。
[0014]在一些实施例中，第二基板的尺寸小于第一基板的尺寸。
[0015]在一些实施例中，被动元件的体积与第二基板的体积的比值位于5％至20％之间。
[0016]本申请的实施例还提供一种形成扇出式基板的方法，包括：将被动元件叠置在第一基板和第二基板之间；形成位于第一基板和第二基板之间并且包围被动元件的粘合层。
[0017]在一些实施例中，具体包括：将被动元件连接于第二基板；将粘合层设置在第一基板上；将第二基板设置在粘合层上，被动元件设置在粘合层中。
[0018]在一些实施例中，还包括：形成穿过第二基板和粘合层以连接至第一基板的互连件。
[0019]在一些实施例中，被动元件还接触第一基板。
[0020]在一些实施例中，具体包括：将被动元件和互连件连接于第二基板上，互连件位于被动元件周围；将第二基板和被动元件设置在第一基板上，互连件接合第一基板；形成位于第一基板和第二基板之间的粘合层，粘合层还包覆互连件。
[0021]在一些实施例中，具体包括：将被动元件连接于第一基板；将互连件连接于第二基板；将第二基板设置在第一基板上，互连件接合第一基板；形成位于第一基板和第二基板之间的粘合层，粘合层还包覆互连件。
[0022]在一些实施例中，具体包括：将被动元件连接于第一基板；将互连件设置在第一基板上；形成包封互连件和被动元件的粘合层；形成位于粘合层上的第二基板，互连件接合第二基板。
[0023]在一些实施例中，粘合层是模制化合物。
[0024]在一些实施例中，具体包括：将被动元件连接于第一基板；形成包封被动元件的粘合层；形成位于粘合层上的第二基板；形成穿过第二基板和粘合层以连接第一基板的互连件。
附图说明
[0025]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
[0026]图1A至图5C示出了根据本申请不同实施例的形成扇出式基板的过程。
[0027]图6和图7示出了本申请的扇出式基板的不同实施例的结构示意图。
具体实施方式
[0028]为更好的理解本申请实施例的精神，以下结合本申请的部分优选实施例对其作进一步说明。
[0029]本申请的实施例将会被详细的描示在下文中。在本申请说明书全文中，将相同或相似的组件以及具有相同或相似的功能的组件通过类似附图标记来表示。在此所描述的有关附图的实施例为说明性质的、图解性质的且用于提供对本申请的基本理解。本申请的实施例不应该被解释为对本申请的限制。
[0030]如本文中所使用，术语“大致”、“大体上”、“实质”及“约”用以描述及说明小的变化。当与事件或情形结合使用时，所述术语可指代其中事件或情形精确发生的例子以及其中事件或情形极近似地发生的例子。举例来说，当结合数值使用时，术语可指代小于或等于所述数值的
±
10％的变化范围，例如小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
±
2％、小于或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
±
0.1％、或小于或等于
±
0.05％。举例来说，如果两个数值之间的差值小于或等于所述值的平均值的
±
10％(例如小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
±
2％、小于或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
±
0.1％、或小于或等于
±
0.05％)，那么可
认为所述两个数值“大体上”相同。
[0031]在本说明书中，除非经特别指定或限定之外，相对性的用词例如：“中央的”、“纵向的”、“侧向的”、“前方的”、“后方的”、“右方的”、“左方的”、“内部的”、“外部的”、“较低的”、“较高的”、“水平的”、“垂直的”、“高于”、“低于”、“上方的”、“下方的”、“顶部的”、“底部的”以及其衍生性的用词(例如“水平地”、“向下地”、“向上地”等等)应该解释成引用在讨论中所描述或在附图中所描示的方向。这些相对性的用词仅用于描述上的方便，且并不要求将本申请以特定的方向建构或操作。
[0032]另外，有时在本文中以范围格式呈现量、比率和其它数值。应理解，此类范围格式是用于便利及简洁起见，且应灵活地理解，不仅包含明确地指定为范围限制的数值，而且包含涵盖于所述范围内的所有个别数值或子范围，如同明确地指定每一数值及子范围一般。
[0033]再者，为便于描述，“第一”、“第二”、“第三”等等可在本文中用于区分一个图或一系列图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种扇出式基板，其特征在于，包括：叠置的第一基板和第二基板；粘合层，位于所述第一基板和所述第二基板之间；被动元件，设置于所述粘合层中，并且电连接至所述第一基板和所述第二基板。2.根据权利要求1所述的扇出式基板，其特征在于，所述第一基板和所述第二基板有设置线路或未设置线路。3.根据权利要求1所述的扇出式基板，其特征在于，所述被动元件与所述第一基板直接连接。4.根据权利要求1所述的扇出式基板，其特征在于，所述被动元件与所述第二基板直接连接。5.根据权利要求1所述的扇出式基板，其特征在于，还包括：互连件，位于所述第一基板和所述第二基板之间，并且连接所述第一基板和所述第二基板。6.根据权利要求1所述的扇出式基板，...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄文宏，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：