电容器基板及其形成方法技术

本发明专利技术涉及一种电容器基板及其形成方法。该电容器基板包括：基板，具有金属核心层，第一电极，包括穿过金属核心层的第一贯穿通孔和连接至金属核心层的第一通孔；第二电极，包括穿过基板的第二贯穿通孔和连接至金属核心层的第二通孔；其中，金属核心层暴露于第一贯穿通孔处而不暴露于第二贯穿通孔处，金属核心层与第一贯穿通孔的交界面处具有第一金属层，金属核心层与第一通孔和第二通孔的交界面处具有第二金属层。本发明专利技术的上述技术方案至少能够至少可以减少电容器基板制程步骤。少可以减少电容器基板制程步骤。少可以减少电容器基板制程步骤。

【技术实现步骤摘要】
电容器基板及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，更具体地，涉及一种电容器基板及其形成方法。

技术介绍

[0002]图1是现有的电容器基板的制作方法的各个阶段的示意图。在现有的电容器基板(诸如铝电容器基板)的制作方式中，如图1A所示，是先在基板10中形成穿孔(Through Via)12。然后如图1B所示，再执行第一次电镀制程而将导电材料(诸如铜)20电镀于穿孔12中和基板10的表面上。之后如图1C所示，在穿孔12内的剩余空间填充油墨材料22并形成覆盖油墨材料22的导电材料20。如图1D所示，形成盲孔(Blind Via)14，并且再进行另一次电镀制程而在盲孔14中填充导电材料20，如图1E。对导电材料20进行图案化，以此完成电容器的阳极区域18与阴极区域19的电极制作，如图1F所示。但是，现有的上述制程过程比较繁复。
[0003]此外，现有技术电容器基板中的电容器金属层材料为Al(铝)，而Al为两性金属，因此Al接触酸性或碱性容易都很容易受到咬蚀，将会影响整个电容器的效益。若能减少制程步骤，避免或降低Al被咬蚀的可能，则可确保电容器效益。

技术实现思路

[0004]针对相关技术中的电容器基板制作步骤流程数量过多的问题，本专利技术提出一种电容器基板及其形成方法，至少可以减少电容器基板制程步骤。
[0005]根据本专利技术实施例的一个方面，提供了一种电容器基板，包括：基板，具有金属核心层，第一贯穿通孔，穿过基板并用作电容器的第一电极；第一通孔，延伸至金属核心层并与第一贯穿通孔电连接；第二贯穿通孔，穿过基板并用作电容器的第二电极；第二通孔，延伸至金属核心层并与第二贯穿通孔电连接。其中，金属核心层暴露于第一贯穿通孔处而不暴露于第二贯穿通孔处，金属核心层与第一贯穿通孔的交界面处具有第一金属层，金属核心层与第一通孔和第二通孔的交界面处具有第二金属层。
[0006]在一些实施例中，第一贯穿通孔和第二贯穿通孔中的每个均包括穿过金属核心层的油墨材料以及围绕油墨材料的导电材料，并且油墨材料的上端表面和下端表面由导电材料暴露。
[0007]在一些实施例中，第一通孔和第二通孔中的每个的远离金属核心层的表面上具有凹坑。
[0008]在一些实施例中，第一通孔与第二通孔位于金属核心层的相对两侧。
[0009]在一些实施例中，金属核心层的金属核心包括铝材料。
[0010]在一些实施例中，金属核心层还包括覆盖铝材料的介电层和覆盖介电层的电容器金属层。
[0011]在一些实施例中，第二金属层与电容器金属层接触。
[0012]在一些实施例中，第一贯穿通孔和第二贯穿通孔中的每个具有远离金属核心层的开口，其中，第一贯穿通孔和第二贯穿通孔中的每个的金属材料在靠近开口处的晶格尺寸
大于远离开口处的晶格尺寸。
[0013]在一些实施例中，第一通孔和第二通孔中的每个具有远离金属核心层的开口，其中，第一通孔和第二通孔中的每个在靠近开口处的晶格尺寸大于远离开口处的晶格尺寸。
[0014]在一些实施例中，第一金属层和第二金属层中的每个的材料包括锌和镍。
[0015]在一些实施例中，第一电极为电容器基板的阳极，第二电极为电容器基板的阴极。
[0016]根据本专利技术实施例的另一方面，提供了一种形成电容器基板的方法，包括：提供具有金属核心层的基板；形成穿过基板的第一穿孔和第二穿孔以及连接至金属核心层的第一盲孔和第二盲孔，其中，金属核心层暴露于第一穿孔而不暴露于第二穿孔；在第一穿孔内的暴露的金属核心层的表面上镀覆第一金属层，在第一盲孔和第二盲孔的底部处暴露的金属核心层的表面上镀覆第二金属层；在第一穿孔、第一盲孔、第二穿孔和第二盲孔内形成金属材料，以形成电容器的第一电极和第二电极。
[0017]在一些实施例中，执行电镀制程包括：先执行小电流电镀，然后执行大电流电镀。
[0018]在一些实施例中，在电镀制程中，先形成的金属材料的晶格尺寸比后形成的金属材料的晶格尺寸小。
[0019]在一些实施例中，在执行电镀制程之后还包括：在第一穿孔和第二穿孔内的金属材料中填充油墨材料。
[0020]在一些实施例中，在执行电镀制程之后还包括：对金属材料进行图案化，以分隔第一电极和第二电极。
[0021]在一些实施例中，镀覆第一金属层和第二金属层包括：利用锌和镍材料形成第一金属层和第二金属层。
[0022]在一些实施例中，在执行金属材料的电镀制程之后，第一盲孔和第二盲孔处的金属材料的表面上具有凹坑。
[0023]在一些实施例中，形成第一盲孔和第二盲孔包括：将第一通孔和第二通孔形成在金属核心层的相对两侧。
[0024]在一些实施例中，将第一电极用作电容器基板的阳极，将第二电极用作电容器基板的阴极。
附图说明
[0025]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方面。应当注意，根据工业中的标准实践，各个部件并非按比例绘制。事实上，为了清楚讨论，各个部件的尺寸可以任意增大或减小。
[0026]图1A至图1F是现有的电容器基板的制作方法的各个阶段的示意图。
[0027]图2
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图5和图7
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图8是根据本专利技术实施例的形成电容器基板的各个阶段的示意图。
[0028]图6A示出了金属核心层的结构示意图。
[0029]图6B示出了在金属核心层上形成金属层的结构示意图。
[0030]图9示出了根据本专利技术实施例的形成电容器基板的流程图。
[0031]图10是根据本专利技术另一实施例的电容器基板的示意图。
[0032]图11是图10中第三通孔的结构示意图。
具体实施例
[0033]下列公开提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面将描述元件和布置的特定实例以简化本专利技术。当然这些仅仅是实例并不旨在限定本专利技术。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可以包括在第一部件和第二部件之间形成额外的部件使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。而且，本专利技术在各个实例中可重复参考数字和/或字母。这种重复仅是为了简明和清楚，其自身并不表示所论述的各个实施例和/或配置之间的关系。
[0034]根据本专利技术实施例提供了形成电容器基板的方法。首先如图2所示，提供基板210。基板210具有第一侧211和与第一侧211相对的第二侧212。基板210内部具有金属核心层(Core)220。在一些实施例中，金属核心层220的金属核心可以包括铝材料。金属核心层220还可以包括覆盖铝材料的介电层和覆盖介电层的电容器金属层(以下参考图6A和图6B详述)。
[0035]如图3所示，形成穿过基板210的第一穿孔222和第二穿孔224。第一穿孔222和第二穿孔224均从基板210的第一侧211延伸到第二侧212。其中，金属核心层220暴露于第一穿孔222。即，第一穿孔222穿过金本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电容器基板，其特征在于，包括：基板，具有金属核心层，第一贯穿通孔，穿过所述基板并用作电容器的第一电极；第一通孔，延伸至所述金属核心层并与所述第一贯穿通孔电连接；第二贯穿通孔，穿过所述基板并用作所述电容器的第二电极；第二通孔，延伸至所述金属核心层并与所述第二贯穿通孔电连接；其中，所述金属核心层暴露于所述第一贯穿通孔处而不暴露于所述第二贯穿通孔处，所述金属核心层与所述第一贯穿通孔的交界面处具有第一金属层，所述金属核心层与所述第一通孔和所述第二通孔的交界面处具有第二金属层。2.根据权利要求1所述的电容器基板，其特征在于，所述第一贯穿通孔和所述第二贯穿通孔中的每个均包括穿过所述金属核心层的油墨材料以及围绕所述油墨材料的导电材料，并且所述油墨材料的上端表面和下端表面由所述导电材料暴露。3.根据权利要求1所述的电容器基板，其特征在于，所述第一通孔和所述第二通孔中的每个的远离所述金属核心层的表面上具有凹坑。4.根据权利要求1所述的电容器基板，其特征在于，所述第一通孔与所述第二通...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄文宏，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：