本公开提供的半导体封装结构及其制造方法，利用引线键合(wirebond)制程，同时制作出用作上下连接的导电柱以及用于连接电子元件与重布线层的电连接件，提高了制程效率，由此也可以避免由于去光阻(Stripe)制程而导致的倒柱现象。倒柱现象...

本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：第一电子元件；第二电子元件，设置在第一电子元件上，第二电子元件的宽度小于第一电子元件的宽度，第一电子元件上未被第二电子元件覆盖的区域设置有导电垫，导电垫上设置有第一线路层，导电...

提供一种半导体设备封装及其制造方法。所述半导体设备封装包含第一导电结构、应力缓冲层和第二导电结构。所述第一导电结构包含衬底，以及安置在所述衬底上的第一电路层。所述第一电路层包含导电布线图案，且所述导电布线图案是所述第一电路层的最上部导电...

本发明提供一种半导体封装结构，该半导体封装结构包括：基板，第一重布线(RDL)层和第二重布线层，其中，第一重布线层与第二重布线层横向间隔地设置于基板的上表面下方，基板包括位于第一重布线层和第二重布线层之间的第一介电层；半导体封装结构还包...

本申请的实施例提供一种扇出式封装结构，包括：衬底；第一电子元件和第二电子元件，位于衬底上；加强结构，位于衬底上并且包围第一电子元件和第二电子元件的所有侧壁，加强结构是一体的。本发明的目的在于提供扇出型封装结构，以至少实现提高扇出型封装结...

本申请的实施例提供一种电子元件，包括：第一介电层；第一层间介电层，位于第一介电层下方，第一层间介电层中具有焊盘；通孔，相对于电子元件的非主动面向内延伸，通孔包括：第一部分，形成在第一介电层的上表面的上方；第二部分，形成在第一介电层中；第...

本发明涉及一种半导体封装结构及其形成方法。该半导体封装结构包括：下线路层，包括高密度线路区和低密度线路区，高密度线路区的I/O密度大于低密度线路区的I/O密度，高密度线路区的I/O界面低于低密度线路区的I/O界面；上线路层，位于下线路层...

本发明提供了一种半导体封装结构，该半导体封装结构包括：基板；线路层，位于基板上；第一底部填充物，位于基板上，第一底部填充物沿着线路层的侧壁延伸至超过线路层的上表面，并且第一底部填充物具有邻近线路层的第一侧壁，第一侧壁与线路层的侧壁平齐。...

本发明涉及一种半导体封装结构。该半导体封装结构包括：基板；线路层，位于基板上；第一底部填充物，位于线路层与基板之间并围绕线路层的侧壁，并且，第一底部填充物具有与线路层的上表面共平面的上表面。的上表面共平面的上表面。的上表面共平面的上表面。

本发明涉及一种半导体封装结构。该半导体封装结构包括：线路层；第一芯片和第二芯片，位于线路层上方；强化结构，位于第一芯片和第二芯片下方，并且强化结构抵住第一芯片的下表面、第二芯片的下表面和线路层的上表面。第二芯片的下表面和线路层的上表面。...

本发明的实施例提供了一种扇出型封装结构，包括：并排设置的第一电子元件和第二电子元件；伪芯片，连续地覆盖第一电子元件和第二电子元件，在伪芯片和第一电子元件、第二电子元件接合的交界面上，第一电子元件的硅和第二电子元件的硅与伪芯片的硅之间的晶...

本发明的实施例提供了一种扇出型封装结构，包括：衬底；第一线路层，位于衬底上，第一线路层具有暴露衬底的第一开口；第一引线，将第一线路层通过第一引线电连接至衬底的由第一开口暴露的部分。本发明的目的在于提供一种扇出型封装结构及其形成方法，以提...

本发明的实施例提供了一种扇出型封装结构，包括：并排设置的第一电子元件和第二电子元件，第一电子元件包括：功能凸块阵列，位于第一电子元件的下表面的中心处；伪凸块，位于功能凸块阵列和第一电子元件的下表面的边界之间；线路层，位于第一电子元件和第...

本申请实施例涉及半导体封装及用于制造半导体封装的方法。本发明揭示一种半导体封装，其包含至少一个半导体元件、封装体、第一电路、第二电路及至少一个第一柱状凸块。所述封装体覆盖所述半导体元件的至少一部分。所述封装体具有第一表面以及与所述第一表...

本公开提供的半导体封装结构，利用电镀方式在作为载体的金属片(例如铜箔)的两端面分别形成金属层，金属层会在加温加压制程中与金属片反应生成金属间化合物(Intermetallic Compound，IMC)，由于金属间化合物(例如CuGa2...

本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置及其制造方法包括：切第一线路层，表面设置有第一导电垫；介电层，位于第一线路层的表面并覆盖第一导电垫，介电层上设置有开孔，开孔使第一导电垫的至少部分表面暴露在外；连接结构，设置在开孔处...

本发明涉及一种导线结构及其形成方法。该导线结构包括：基板，具有位于基板上表面处的焊盘；线路层，位于基板上方，线路层具有凸块连接件，凸块连接件电连接于基板的焊盘；其中，凸块连接件包括第一部分和位于第一部分下方的第二部分，第二部分的宽度大于...

本发明涉及一种半导体封装结构及其形成方法。该半导体封装结构包括第一管芯和与第一管芯相对设置的第二管芯，并且第一管芯与第二管芯之间通过讯号I/O焊盘连接。第二管芯还包括用于外部连接的外部I/O焊盘，并且讯号I/O焊盘与外部I/O焊盘之间设...

本公开涉及半导体封装装置。该半导体封装装置包括：模塑层，包覆第一元件与第二元件，第一元件和第二元件的电连接点暴露在外。该半导体封装装置利用模塑材替代现有的基板材料，减少了半导体封装装置中材料的种类，降低了热膨胀系数的不一致性，能够防止制...

本发明涉及一种半导体封装结构及其形成方法。该半导体封装结构包括：第一芯片，具有凹槽和第一连接件；第二芯片，与第一芯片相对设置，第二芯片具有与第一连接件接合的第二连接件；其中，在第一连接件和第二连接件中的至少一个处设置有多个纳米线，多个纳...