本申请实施例涉及电子模块及半导体封装装置。一种电子模块包含第一子模块和第二子模块。所述第一子模块包含第一衬底、安置于所述第一衬底上的第一电子组件和第一电极。所述第二子模块包含第二衬底、安置于所述第二衬底上的第二电子组件和与所述第一电极间...

本公开提供的半导体封装结构及其制造方法，将第二电子元件键合至重布线层上的过程中，先将第二电子元件上的焊料与所述重布线层的焊盘处于非对准状态，再进行回焊处理时，由于焊料的内聚力使第二电子元件靠近第一电子元件，直至第二电子元件的侧壁贴附第一...

本公开涉及半导体封装装置。该半导体封装装置包括：第一光阻挡结构，具有第一空腔和第二空腔；第一透明结构和第二透明结构，对应第一空腔和第二空腔设置于第一光阻挡结构上；第二光阻挡结构，至少部分设置于第一光阻结构上并位于第一透明结构和第二透明结...

本公开提供了半导体封装装置及其制造方法，通过采用Face up的方法将电子元件主动面结合至载板，再以金属牺牲层覆盖电子元件主动面后模封，而后研磨以暴露电子元件主动面设置的金属牺牲层，再去除金属牺牲层后暴露电子元件主动面的导电垫，并继续形...

本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：一种半导体封装装置，包括：电子元件；封装层，包覆电子元件；第一导电层，设置于封装层上，并电连接电子元件，第一导电层能够用于感测外界物体靠近或触碰。导电层能够用于感测外界物体靠近...

本发明的实施例提供了一种半导体封装结构及其形成方法。该半导体封装结构包括：基板；位于基板上方的重布线(RDL)层；连接基板和重布线层的黏着层，其中黏着层的抗化性小于0.5％。0.5％。0.5％。

本公开实施例涉及一种半导体封装结构及其形成方法。该半导体封装结构包括基板和位于基板上方的线路层。该半导体封装结构还包括位于基板与线路层之间的粘着层，粘着层包括延伸到线路层的侧壁上的承载部。由于承载部的存在，承载部可以补偿线路层与粘着层之...

本申请的实施例提供一种形成半导体封装件的方法，包括：将介电层形成在第一金属环上，第一金属环具有第一开口；将第二金属环形成在介电层上，第二金属环具有第二开口，第二开口的直径大于第一开口的直径；将第一金属环、介电层和第二金属环放置在衬底上；...

本申请的实施例提供一种扇出式封装结构，包括：衬底；线路层，位于衬底上，线路层通过第一路径和第二路径电连接衬底，第一路径位于线路层的一侧，第二路径位于线路层的下方。本发明的目的在于提供一种扇出型封装结构，以提高扇出型封装结构的良率。扇出型...

提供一种半导体衬底中的凹入部分及形成所述凹入部分的方法。所述方法包括：在所述半导体衬底上形成掩模；在所述掩模的顶表面上及在所述掩模的至少一个侧壁上，及在由所述掩模暴露的所述半导体衬底的至少一个表面上形成保护层；执行第一蚀刻工艺以去除在所...

本公开涉及适用于IC承载盘的测试治具和测试方法。适用于IC承载盘的测试治具包括：主体，限定出一底平面；以及凹槽，设置于所述主体上，用于架设IC承载盘，在所述凹槽内架设有IC承载盘时使所述IC承载盘的第一角位于所述底平面，并使所述IC承载...

本公开提供的半导体封装结构及其制造方法，通过在第一电子元件上设置凹部，直接将第二电子元件置于凹部中，并且以先芯片(chipfirst)工艺使第二电子元件直接与第二导电结构连接，无需通过焊球电性连接，进而避免出现无接合(non

本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：桥接重布线层，包括高密度线路区和低密度线路区；第一电子元件，设置于桥接重布线层下，第一电子元件主动面设置有第一高密度输入

本公开提供的半导体封装结构及其制造方法，直接将重布线层设置在基板上，并在基板上形成凹槽，另外预先将功能芯片和桥接芯片组合，再将桥接芯片置于凹槽中，无需导电柱制程以及模封制程，提高了良率。另外，由于凹槽提供了桥接芯片的放置空间，减少了整个...

本公开提供的半导体封装结构及其制造方法，桥接芯片可以采用穿透模塑通孔(Through Mold Via，TMV)技术制作，即桥接芯片为塑料封装材料，相较于半导体材料可以降低插入损耗。另外，利用光刻技术可以直接形成较大直径的导电柱，由此提...

本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：基板，具有容置空间；重布线层，设置在基板上并覆盖容置空间；第一电子元件和第二电子元件，设置在重布线层上并与重布线层电连接；容置空间内设置有桥接元件，重布线层与桥接元件电连接，以...

本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。半导体封装装置包括：第一重布线层；第一结构，设置于所述第一重布线层下方，其中，所述第一结构具有开孔以暴露所述第一重布线层的部分；第一导电垫，设置于所述第一重布线层下表面；第二导电垫，设置于所述第一结...

本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：第一重布线层；加强层，设置在第一重布线层上；第一电子元件，设置在加强层上并且通过第一连接线与第一重布线层电连接。该半导体封装装置及其制造方法能够避免在第一电子元件和第一重布线层...

本公开涉及半导体封装装置，该半导体封装装置包括：线路层；第一芯片和第二芯片，相邻设置于所述线路层上；阻挡结构，设置于所述线路层上，位于所述第一芯片与所述第二芯片之间，所述阻挡结构的上表面高于所述第一芯片上表面，或者，所述阻挡结构的上表面...

本公开涉及半导体封装装置。该半导体封装装置包括：线路层，表面设置有焊盘，焊盘表面设置有金属粒子层；电子元件，设置于线路层上，主动面通过打线与焊盘电连接，打线的一端键合至金属粒子层上。通过在金属粒子层上键合打线的一端，降低了打线与焊盘电连...