半导体封装结构及其形成方法技术

本发明专利技术的实施例提供了一种半导体封装结构及其形成方法。该半导体封装结构包括：基板；位于基板上方的重布线(RDL)层；连接基板和重布线层的黏着层，其中黏着层的抗化性小于0.5％。0.5％。0.5％。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，更具体地，涉及一种半导体封装结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]在扇出基板(FOSub)封装结构中，包括诸如重布线(RDL)层的扇出(Fan
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out)结构和基板，扇出结构通过黏着层附接在基板上。其中，接合扇出结构和基板的黏着层起着关键作用。黏着层必须具有可以抵抗凸块制程和基板制程中所有化学试剂的化学抗性。并且，黏着层在经过高压高热制程中也不能发生质变。同时还要求黏着层材料具有一定程度的透明度并且此材料在常温下必须具有黏性。因此，开发一种能满足上述要求的黏着层材料用以制造扇出基板结构来降低制作时间和生产成本以获得更高利润是必要的。

技术实现思路

[0003]针对相关技术中的上述问题，本专利技术提出一种半导体封装结构及其形成方法。
[0004]本专利技术的实施例提供了一种半导体封装结构，包括：基板；重布线层，位于基板上方；黏着层，基板和重布线层通过黏着层连接，其中，黏着层的抗化性小于0.5％。
[0005]在上述半导体封装结构中，黏着层的材料为纯树脂。
[0006]在上述半导体封装结构中，黏着层的材料包括树脂和填充物(filler)。
[0007]在上述半导体封装结构中，填充物为玻璃纤维。
[0008]在上述半导体封装结构中，黏着层的光穿透率在50％至99％的范围内。
[0009]在上述半导体封装结构中，黏着层的杨氏模量小于1GPa。
[0010]在上述半导体封装结构中，黏着层的厚度在10μm至60μm的范围内。
[0011]在上述半导体封装结构中，黏着层为液态型。
[0012]在上述半导体封装结构中，黏着层为膜型。
[0013]在上述半导体封装结构中，黏着层的热膨胀系数Z满足下式：
[0014]1≤Z/Y≤3，其中，Y表示聚酰亚胺材料的热膨胀系数。
[0015]在上述半导体封装结构中，黏着层的热膨胀系数Z还满足下式：
[0016]1≤Z/X≤12，其中，X表示聚丙烯材料的热膨胀系数，并且5≤X≤300。
[0017]本专利技术的实施例还提供了一种形成半导体封装结构的方法，包括：在基板上形成黏着层；通过黏着层将重布线层附接在基板上方；形成穿过重布线层和黏着层的开孔；在开孔中电镀晶种层以在开孔形成通孔，其中，黏着层的抗化性小于0.5％。
[0018]在上述方法中，将重布线层附接在基板上方，包括：将通过释放层附接在载体上的重布线层附接到基板；去除载体而暴露释放层；利用化学品去除释放层。
[0019]在上述方法中，在去除释放层之后，还包括：对重布线的远离基板的表面进行蚀刻处理。
[0020]在上述方法中，黏着层的材料为纯树脂。
[0021]在上述方法中，黏着层的材料包括树脂和填充物。
[0022]在上述方法中，黏着层的光穿透率在50％至99％的范围内。
[0023]在上述方法中，黏着层的杨氏模量小于1GPa。
[0024]在上述方法中，黏着层为液态型或膜型。
[0025]在上述方法中，黏着层的热膨胀系数Z满足下式：
[0026]1≤Z/Y≤3，1≤Z/X≤12，5≤X≤300，
[0027]其中，X表示聚丙烯材料的热膨胀系数，Y表示聚酰亚胺材料的热膨胀系数。
附图说明
[0028]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方面。应当注意，根据工业中的标准实践，各个部件并非按比例绘制。事实上，为了清楚讨论，各个部件的尺寸可以任意增大或减小。
[0029]图1是根据本专利技术实施例的半导体封装结构的示意图。
[0030]图2a
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图2h是根据本专利技术实施例的半导体封装结构的形成方法的各个阶段示意图。
具体实施例
[0031]下列公开提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面将描述元件和布置的特定实例以简化本专利技术。当然这些仅仅是实例并不旨在限定本专利技术。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可以包括在第一部件和第二部件之间形成额外的部件使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。而且，本专利技术在各个实例中可重复参考数字和/或字母。这种重复仅是为了简明和清楚，其自身并不表示所论述的各个实施例和/或配置之间的关系。
[0032]本专利技术的实施例提供了一种半导体封装结构。图1是根据本专利技术实施例的半导体封装结构100的示意图。如图1所示，半导体封装结构100包括基板10，基板10具有内埋于基板中的线路12，并且基板10的上表面还设置有焊盘14。图1所示的基板结构仅是示例，在其他实施例中，基板10可以是任何其他适用结构和类型的基板。
[0033]重布线(RDL)层30位于基板10的上方。黏着层20位于基板10和重布线层30之间。基板10和重布线层30通过黏着层20连接。黏着层20的下表面黏着于基板10的上表面，黏着层20的上表面黏着于重布线层30的下表面。
[0034]半导体封装结构100还包括通孔40，通孔40穿过重布线层30和黏着层20而到达基板10的上表面处的焊盘14。重布线层30通过通孔40与基板10电性连接。
[0035]根据本专利技术的实施例，黏着层20的抗化性小于0.5％。由于黏着层20的抗化性很低，因此能够抵抗在制程中所使用的化学品的作用。
[0036]在一些实施例中，黏着层20的材料是纯树脂。在这样的实施例中，黏着层20可以具有增加的接合力。在一些实施例中，黏着层20的材料包括树脂和填充物。其中，填充物可以例如是玻璃纤维。在这样的实施例中，填充物可以为黏着层20提供较大的强度。
[0037]在一些实施例中，黏着层20可以是膜(film)型结构。在一些实施例中，黏着层20可以是液态型结构。在一些实施例中，黏着层20的厚度在10μm至60μm的范围内。
[0038]在一些实施例中，黏着层20的杨氏模量可以小于1GPa。在一些实施例中，黏着层20的光穿透率在50％至99％的范围内，从而为黏着层20提供适当的透明度。
[0039]定义X表示聚丙烯(PP)材料的热膨胀系数(CTE)，Y表示聚酰亚胺(PI)材料的热膨胀系数，Z表示黏着层20的热膨胀系数。则在一些实施例中，X、Y、Z的关系符合如下要求：
[0040]1≤Z/Y≤3，1≤Z/X≤12，并且5≤X≤300。
[0041]通过黏着层20的上述热膨胀系数配置，可以使得封装结构在高温制程之后的形变量较小。
[0042]图2a
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图2h是根据本专利技术实施例的半导体封装结构的形成方法的各阶段示意图。在图2a至图2h中以简化方式示出了半导体封装结构中各个层或组件。并且，图2a至图2h中与图1中相同的附图标号可以用于表示相同的层或组件。
[0043]如图2a所示，提供基板10。在基板1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：基板；重布线层，位于所述基板上方；黏着层，所述基板和所述重布线层通过所述黏着层连接，其中，所述黏着层的抗化性小于0.5％。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述黏着层的材料为纯树脂。3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述黏着层的材料包括树脂和填充物。4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述黏着层的光穿透率在50％至99％的范围内。5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述黏着层的杨氏模量小于1GPa。6.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄文宏，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：