半导体封装装置及其制造方法制造方法及图纸

技术编号:32321774 阅读:37 留言:0更新日期:2022-02-16 18:27
本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括:第一重布线层;加强层,设置在第一重布线层上;第一电子元件,设置在加强层上并且通过第一连接线与第一重布线层电连接。该半导体封装装置及其制造方法能够避免在第一电子元件和第一重布线层之间设置填充材料,进而避免因填充材料受热膨胀引起的结构断裂,有利于提高产品良率。有利于提高产品良率。有利于提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装装置及其制造方法


[0001]本公开涉及半导体封装
,具体涉及半导体封装装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]FOCoS(Fan Out Chip on Substrate,扇出型基板上芯片)封装技术通过在典型球栅阵列基板上使用扇出复合芯片来实现。
[0003]在FOCoS封装装置中,芯片和扇出层之间通常设置有填充材料(Underfill)。在热循环制程中,填充材料因受热会产生膨胀,导致填充材料与芯片之间的界面出现剥离(delam)以及填充材料内部出现断裂(crack)。上述断裂会进一步延伸至扇出层,导致扇出层被破坏,影响产品良率。
[0004]因此,有必要提出一种新的技术方案以解决上述至少一个技术问题。

技术实现思路

[0005]本公开提供了一种半导体封装装置及其制造方法。
[0006]第一方面,本公开提供了一种半导体封装装置,包括:
[0007]第一重布线层;
[0008]加强层,设置在所述第一重布线层上;
[0009]第一电子元件,设置在所述加强层上并且通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装装置,包括:第一重布线层;加强层,设置在所述第一重布线层上;第一电子元件,设置在所述加强层上并且通过第一连接线与所述第一重布线层电连接。2.根据权利要求1所述的半导体封装装置,其中,所述加强层上设置有电路图案,所述电路图案通过第二连接线与所述第一重布线层电连接。3.根据权利要求1所述的半导体封装装置,其中,所述加强层上还设置有第二电子元件,所述第二电子元件通过第三连接线与所述第一重布线层电连接。4.根据权利要求3所述的半导体封装装置,其中,所述第一电子元件和所述第二电子元件通过所述第一重布线层电连接。5.根据权利要求4所述的半导体封装装置,其中,所述第一重布线层包括细线路,所述第一电子元件和所述第二电子元件通过所述细线路电连...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘旭唐张皇贤
申请(专利权)人:日月光半导体制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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