半导体封装装置及其制造方法制造方法及图纸

本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：第一重布线层；加强层，设置在第一重布线层上；第一电子元件，设置在加强层上并且通过第一连接线与第一重布线层电连接。该半导体封装装置及其制造方法能够避免在第一电子元件和第一重布线层之间设置填充材料，进而避免因填充材料受热膨胀引起的结构断裂，有利于提高产品良率。有利于提高产品良率。有利于提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装装置及其制造方法


[0001]本公开涉及半导体封装
，具体涉及半导体封装装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]FOCoS(Fan Out Chip on Substrate，扇出型基板上芯片)封装技术通过在典型球栅阵列基板上使用扇出复合芯片来实现。
[0003]在FOCoS封装装置中，芯片和扇出层之间通常设置有填充材料(Underfill)。在热循环制程中，填充材料因受热会产生膨胀，导致填充材料与芯片之间的界面出现剥离(delam)以及填充材料内部出现断裂(crack)。上述断裂会进一步延伸至扇出层，导致扇出层被破坏，影响产品良率。
[0004]因此，有必要提出一种新的技术方案以解决上述至少一个技术问题。

技术实现思路

[0005]本公开提供了一种半导体封装装置及其制造方法。
[0006]第一方面，本公开提供了一种半导体封装装置，包括：
[0007]第一重布线层；
[0008]加强层，设置在所述第一重布线层上；
[0009]第一电子元件，设置在所述加强层上并且通过第一连接线与所述第一重布线层电连接。
[0010]在一些可选的实施方式中，所述加强层上设置有电路图案，所述电路图案通过第二连接线与所述第一重布线层电连接。
[0011]在一些可选的实施方式中，所述加强层上还设置有第二电子元件，所述第二电子元件通过第三连接线与所述第一重布线层电连接。
[0012]在一些可选的实施方式中，所述第一电子元件和所述第二电子元件通过所述第一重布线层电连接。
[0013]在一些可选的实施方式中，所述第一重布线层包括细线路，所述第一电子元件和所述第二电子元件通过所述细线路电连接。
[0014]在一些可选的实施方式中，所述细线路位于所述加强层的竖直投影区域。
[0015]在一些可选的实施方式中，所述加强层和所述第一重布线层之间设置有第二重布线层，所述第二重布线层包括细线路，所述第一电子元件和所述第二电子元件通过所述细线路电连接。
[0016]在一些可选的实施方式中，所述加强层贴附在所述第一重布线层上。
[0017]在一些可选的实施方式中，所述加强层和所述第一重布线层之间设置有第二重布线层，所述第二重布线层与所述第一重布线层电连接，所述加强层贴附在所述第二重布线层上。
[0018]在一些可选的实施方式中，所述加强层具有容置空间，所述第一电子元件位于所
述容置空间内。
[0019]第二方面，本公开提供了一种半导体封装装置的制造方法，包括：
[0020]在加强层上形成电路图案；
[0021]将第一电子元件设置在所述加强层上；
[0022]将所述加强层设置在第一重布线层上；
[0023]通过第一连接线将所述第一电子元件和所述第一重布线层电连接，以及通过第二连接线将所述电路图案和所述第一重布线层电连接。
[0024]在一些可选的实施方式中，所述在加强层上形成电路图案，包括：
[0025]在所述加强层的第一表面形成电路图案，在所述加强层的第二表面形成第二重布线层；以及
[0026]所述将所述加强层设置在第一重布线层上，包括：
[0027]将所述第二重布线层与所述第一重布线层电进行倒装连接。
[0028]在本公开提供的半导体封装装置及其制造方法中，通过在第一重布线层上设置加强层，并在加强层上设置第一电子元件，能够避免在第一电子元件和第一重布线层之间设置填充材料，进而避免因填充材料受热膨胀引起的结构断裂，有利于提高产品良率。
附图说明
[0029]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本公开的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
[0030]图1A
‑
图1C是现有技术中半导体封装装置的示意图；
[0031]图2
‑
图4是根据本专利技术实施例的半导体封装装置的第一示意图至第三示意图；
[0032]图5
‑
图13是根据本专利技术实施例的半导体封装装置的制造方法的示意图。
[0033]符号说明：
[0034]11、扇出层；12、左侧芯片；13、右侧芯片；14、填充材料；15、电容器；16、加强部件；17、基板；100、第一重布线层；200、第二重布线层；210、细线路；310、第一电子元件；320、第二电子元件；410、第一连接线；420、第二连接线；430、第三连接线；500、加强层；510、电路图案；520、容置空间；600、焊料。
具体实施方式
[0035]下面结合附图和实施例对说明本公开的具体实施方式，通过本说明书记载的内容本领域技术人员可以轻易了解本公开所解决的技术问题以及所产生的技术效果。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关专利技术，而非对该专利技术的限定。另外，为了便于描述，附图中仅示出了与有关专利技术相关的部分。
[0036]需要说明的是，说明书附图中所绘示的结构、比例、大小等，仅用于配合说明书所记载的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本公开可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本公开所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本公开所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”、“第二”及“一”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本公开可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术
内容下，当也视为本公开可实施的范畴。
[0037]还需要说明的是，本公开的实施例对应的纵向截面可以为对应前视图方向截面，横向截面可以为对应右视图方向截面，而水平截面可以为对应上视图方向截面。
[0038]应容易理解，本公开中的“在...上”、“在...之上”和“在...上面”的含义应该以最广义的方式解释，使得“在...上”不仅意味着“直接在某物上”，而且还意味着包括存在两者之间的中间部件或层的“在某物上”。
[0039]此外，为了便于描述，本公开中可能使用诸如“在...下面”、“在...之下”、“下部”、“在...之上”、“上部”等空间相对术语来描述一个元件或部件与附图中所示的另一元件或部件的关系。除了在图中描述的方位之外，空间相对术语还意图涵盖装置在使用或操作中的不同方位。设备可以以其他方式定向(旋转90
°
或以其他定向)，并且在本公开中使用的空间相对描述语可以被同样地相应地解释。
[0040]另外，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本公开。
[0041]图1A是现有技术中半导体封装装置的示意图。如图1A所示，该半导体封装装置包括扇出层11、左侧芯片12和右侧芯片13。左侧芯片12和右侧芯片13设置在扇出层11上。左侧芯片12和扇出层11之间、右侧芯片13和扇出层1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装装置，包括：第一重布线层；加强层，设置在所述第一重布线层上；第一电子元件，设置在所述加强层上并且通过第一连接线与所述第一重布线层电连接。2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述加强层上设置有电路图案，所述电路图案通过第二连接线与所述第一重布线层电连接。3.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述加强层上还设置有第二电子元件，所述第二电子元件通过第三连接线与所述第一重布线层电连接。4.根据权利要求3所述的半导体封装装置，其中，所述第一电子元件和所述第二电子元件通过所述第一重布线层电连接。5.根据权利要求4所述的半导体封装装置，其中，所述第一重布线层包括细线路，所述第一电子元件和所述第二电子元件通过所述细线路电连...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘旭唐，张皇贤，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：