半导体封装件制造技术

本申请的实施例提供一种形成半导体封装件的方法，包括：将介电层形成在第一金属环上，第一金属环具有第一开口；将第二金属环形成在介电层上，第二金属环具有第二开口，第二开口的直径大于第一开口的直径；将第一金属环、介电层和第二金属环放置在衬底上；去除位于第二开口下方的介电层以由第二开口、第一开口暴露衬底；形成位于第一开口和第二开口中的内部通孔，内部通孔电连接衬底。针对相关技术中存在的问题，本发明专利技术的目的在于提供半导体封装件及其形成方法，以至少实现提高半导体封装件的良率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件


[0001]本申请的实施例涉及半导体封装件。

技术介绍

[0002]扇出(Fan out)结构通过黏着层固定在衬底上后，再开孔以形成贯通孔(through via)，然而现有的激光钻孔工艺形成的开孔直径太大(例如，直径最小约为50μm)，无法直接形成小通孔(例如，直径小于20μm)。

技术实现思路

[0003]针对相关技术中存在的问题，本专利技术的目的在于提供半导体封装件，以至少实现提高半导体封装件的良率。
[0004]本申请的实施例提供一种形成半导体封装件的方法，包括：将介电层形成在第一金属环上，第一金属环具有第一开口；将第二金属环形成在介电层上，第二金属环具有第二开口，第二开口的直径大于第一开口的直径；将第一金属环、介电层和第二金属环放置在衬底上；去除位于第二开口下方的介电层以由第二开口、第一开口暴露衬底；形成位于第一开口和第二开口中的内部通孔，内部通孔电连接衬底。
[0005]在一些实施例中，在去除位于第二开口下方的介电层时，沿从第二金属环到第一金属环的方向在介电层中开孔。
[0006]在一些实施例中，在俯视图中，第一金属环具有第一圆环形状，第二金属环具有第二圆环形状，第一金属环的圆心和第二金属环的圆心重合。
[0007]在一些实施例中，第一金属环的外直径和第二金属环的外直径相等。
[0008]在一些实施例中，第一金属环的内直径小于第二金属环的内直径。
[0009]在一些实施例中，第一金属环的环宽大于第二金属环的环宽。
[0010]本申请的实施例还提供一种半导体封装件，包括：衬底；线路层，位于衬底上，线路层包括介电层以及位于介电层中的贯通孔，贯通孔包括：第一金属环；第二金属环，位于第一金属环上；内部通孔，位于第一金属环的第一开口及第二金属环的第二开口中，内部通孔电连接衬底；种子层，位于第一金属环、第二金属环与内部通孔之间，种子层具有阶梯状轮廓。
[0011]在一些实施例中，种子层还位于第二金属环的上表面上。
[0012]在一些实施例中，介电层具有暴露第一金属环、第二金属环的内侧壁和部分上表面的凹槽，种子层的部分共形于凹槽及由凹槽暴露的第一金属环、第二金属环。
[0013]在一些实施例中，第一金属环与第一金属环下方邻接的介电层的部分的内侧壁齐平，第二金属环与第二金属环下方邻接的介电层的部分的内侧壁齐平。
[0014]在一些实施例中，第二金属环下方邻接的介电层的部分的内侧壁相对于第二金属环的内侧壁向外凹陷。
[0015]在一些实施例中，还包括：黏着层，位于衬底和线路层之间，种子层和内部通孔穿
过黏着层并电连接衬底。
[0016]在一些实施例中，第一金属环和第二金属环通过介电层隔开。
[0017]在一些实施例中，内部通孔的最大横向尺寸大于第一金属环和第二金属环的横向尺寸。
[0018]在一些实施例中，内部通孔的位于第二金属环上的部分具有最大横向尺寸。
[0019]在一些实施例中，内部通孔的最大横向尺寸小于第一金属环和第二金属环的横向尺寸。
[0020]在一些实施例中，第一金属环具有第一开口，第二金属环具有第二开口，第一开口位于第二开口的沿竖直方向的投影的范围内。
[0021]在一些实施例中，第一开口的直径比第二开口的直径小4μm。
[0022]在一些实施例中，第一金属环、第二金属环的与种子层接触的表面比第一金属环、第二金属环各自的与介电层接触的表面的粗糙度大。
[0023]在一些实施例中，内部通孔具有位于第二金属环上方的第一部分、位于第一部分下并且位于第一金属环上方的第二部分以及位于第二部分下方的第三部分，第一部分的横向尺寸大于第二部分的横向尺寸，第二部分的横向尺寸大于第三部分的横向尺寸。
附图说明
[0024]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
[0025]图1至图4示出了根据本申请一些实施例的形成半导体封装件的过程。
[0026]图5至图7示出了根据本申请不同实施例的半导体封装件的结构示意图。
具体实施方式
[0027]为更好的理解本申请实施例的精神，以下结合本申请的部分优选实施例对其作进一步说明。
[0028]本申请的实施例将会被详细的描示在下文中。在本申请说明书全文中，将相同或相似的组件以及具有相同或相似的功能的组件通过类似附图标记来表示。在此所描述的有关附图的实施例为说明性质的、图解性质的且用于提供对本申请的基本理解。本申请的实施例不应该被解释为对本申请的限制。
[0029]如本文中所使用，术语“大致”、“大体上”、“实质”及“约”用以描述及说明小的变化。当与事件或情形结合使用时，所述术语可指代其中事件或情形精确发生的例子以及其中事件或情形极近似地发生的例子。举例来说，当结合数值使用时，术语可指代小于或等于所述数值的
±
10％的变化范围，例如小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
±
2％、小于或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
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0.1％、或小于或等于
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0.05％。举例来说，如果两个数值之间的差值小于或等于所述值的平均值的
±
10％(例如小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
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2％、小于或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
±
0.1％、或小于或等于
±
0.05％)，那么可认为所述两个数值“大体上”相同。
[0030]在本说明书中，除非经特别指定或限定之外，相对性的用词例如：“中央的”、“纵向的”、“侧向的”、“前方的”、“后方的”、“右方的”、“左方的”、“内部的”、“外部的”、“较低的”、“较高的”、“水平的”、“垂直的”、“高于”、“低于”、“上方的”、“下方的”、“顶部的”、“底部的”以及其衍生性的用词(例如“水平地”、“向下地”、“向上地”等等)应该解释成引用在讨论中所描述或在附图中所描示的方向。这些相对性的用词仅用于描述上的方便，且并不要求将本申请以特定的方向建构或操作。
[0031]另外，有时在本文中以范围格式呈现量、比率和其它数值。应理解，此类范围格式是用于便利及简洁起见，且应灵活地理解，不仅包含明确地指定为范围限制的数值，而且包含涵盖于所述范围内的所有个别数值或子范围，如同明确地指定每一数值及子范围一般。
[0032]再者，为便于描述，“第一”、“第二”、“第三”等等可在本文中用于区分一个图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件，其特征在于，包括：衬底；线路层，位于所述衬底上，所述线路层包括介电层以及位于所述介电层中的贯通孔，所述贯通孔包括：第一金属环；第二金属环，位于所述第一金属环上；内部通孔，位于所述第一金属环的第一开口及所述第二金属环的第二开口中，所述内部通孔电连接所述衬底；种子层，位于所述第一金属环、所述第二金属环与所述内部通孔之间，所述种子层具有阶梯状轮廓。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述种子层还位于所述第二金属环的上表面上。3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述介电层具有暴露所述第一金属环、所述第二金属环的内侧壁和部分上表面的凹槽，所述种子层的部分共形于所述凹槽及由所述凹槽暴露的所述第一金属环、所述第二金属环。4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，还包括：黏着层，位于所述衬底和所述线路层之间，所述种子层和所述内部通孔穿过所述黏着层并电连接所述衬底。5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述第一金属环和所述第二金属环通过所...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄文宏，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：