半导体封装装置制造方法及图纸

本公开涉及半导体封装装置，该半导体封装装置包括：线路层；第一芯片和第二芯片，相邻设置于所述线路层上；阻挡结构，设置于所述线路层上，位于所述第一芯片与所述第二芯片之间，所述阻挡结构的上表面高于所述第一芯片上表面，或者，所述阻挡结构的上表面与所述第一芯片上表面基本共面。片上表面基本共面。片上表面基本共面。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装装置


[0001]本公开涉及半导体封装
，具体涉及半导体封装装置。

技术介绍

[0002]FOCoS(FanOut Chip on Substrate，扇出型基板上芯片)结构中，由于各材料结构因热膨胀系数差异，因此热循环过程中会有热应力产生，因此无法承受其应力下，易在底部填充剂(Under fill)与HBM(High Bandwidth Memory，高带宽存储器)芯片之间产生破裂(crack)或损伤(delam)，进一步当经多次热循环制程时，翘曲扩大，也使底部填充剂与HBM芯片(Die)之间产生破裂或损伤扩大而裂至重布线层内而破坏重布线层。

技术实现思路

[0003]本公开提供了半导体封装装置及其制造方法。
[0004]第一方面，本公开提供了一种半导体封装装置，包括：
[0005]线路层；
[0006]第一芯片和第二芯片，相邻设置于所述线路层上；
[0007]阻挡结构，设置于所述线路层上，位于所述第一芯片与所述第二芯片之间，所述阻挡结构的上表面高于所述第一芯片上表面，或者，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装装置，包括：线路层；第一芯片和第二芯片，相邻设置于所述线路层上；阻挡结构，设置于所述线路层上，位于所述第一芯片与所述第二芯片之间，所述阻挡结构的上表面高于所述第一芯片上表面，或者，所述阻挡结构的上表面与所述第一芯片上表面基本共面。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述装置还包括：底部填充剂，设置于所述第一芯片、所述阻挡结构及所述线路层之间。3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述装置还包括：封装材，设置于所述线路层上，包覆所述第一芯片、所述第二芯片及所述阻挡结构。4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述封装材部分设置于所述第二芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯伯贤，李德章，洪志斌，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：