本公开提供的巨量转移方法和巨量转移装置，通过在上缓冲载体中设置上导正凹槽并在上导正凹槽建立真空，通过真空产生的吸力加速电子组件导引至上导正凹槽中，提高工作效率。提高工作效率。提高工作效率。

本公开提供的耳塞及其制造方法，先以治具与第一基板配合射出液态硅胶形成软性载体，裸露部分第一基板，再将导电胶(导电银胶)设置于第一基板上，由此可以防止液态硅胶盖住导电胶(导电银胶)而阻碍感测，以确保制程良率与导电性。与此同时，由于导电胶(...

本公开提供的半导体封装结构，将位于电子元件上方的热耗散元件分为第一热耗散元件(电源散热器)和第二热耗散元件(接地散热器)两个部分，并运用绝缘材将第一热耗散元件和第二热耗散元件进行电性隔绝，其中第一热耗散元件延伸至基板且与基板中的电源线路...

本发明涉及一种用于承载半导体组件的载具及方法。该承载半导体组件的载具包括承载体。承载体包括：承载体的一侧的第一容纳部和位于承载体的另一侧的第二容纳部，第一容纳部和第二容纳部相对设置。和第二容纳部相对设置。和第二容纳部相对设置。

本发明提供了一种半导体衬底，包括：互连件，互连件包括：第一金属层，位于半导体衬底的表面上；第二金属层，位于第一金属层上；附着层，位于第一金属层和第二金属层之间，附着层与第二金属层直接接触。本发明的目的在于提供一种半导体衬底，以至少实现提...

本发明提供了一种半导体结构，包括：管芯垫；半导体管芯，位于管芯垫上；复数个引脚，设置在管芯垫的周围，每个引脚包括与管芯垫分离的内部引脚、以及连接在内部部分端部的外部引脚，外部引脚相比于内部引脚远离管芯垫；密封剂，覆盖半导体管芯、管芯垫和...

本公开实施例涉及一种半导体封装件的接合结构及其形成方法。该半导体封装件的接合结构包括导线框架，导线框架包括第一部分和第二部分，第二部分的第一端部连接至第一部分。该半导体封装件的接合结构还包括设置于第二部分的与第一端部相对的第二端部处的蚀...

本申请实施例公开了一种半导体结构和电子设备。所述半导体结构包括具有第一表面的第一衬底、安置于所述第一衬底的所述第一表面上的第一半导体设备封装，以及安置于所述第一衬底的所述第一表面上的第二半导体设备封装。所述半导体结构还包括通过所述第一衬...

本申请提供一种化学镀槽、一种包含所述化学镀槽的化学镀系统和一种使用所述化学镀槽的化学镀方法。所述化学镀槽包含槽体及位于该槽体中的可旋转承载盘。槽体中的可旋转承载盘。槽体中的可旋转承载盘。

本发明涉及一种半导体封装件的引线接合结构及其形成方法，该引线接合结构包括：重布线层；强化层，位于重布线层上；接合焊盘，位于强化层上；第一电子元件，位于重布线层上方，并且通过接合引线电连接至接合焊盘。且通过接合引线电连接至接合焊盘。且通过...

本发明涉及一种半导体封装件的引线接合结构及其形成方法。该引线接合结构包括：重布线层；接合焊盘，位于重布线层上；电子元件，位于重布线层上并通过引线电连接至接合焊盘，其中引线与接合焊盘之间通过凸块金属相互连接；其中，重布线层包括伪焊盘，伪焊...

本公开的实施例涉及一种半导体封装件。该半导体封装件包括导电结构、第一电子元件和第二电子元件，其中，第一电子元件和第二电子元件并排地设置在导电结构上，第一电子元件包括第一管芯以及位于第一管芯上的第一材料和第二材料，在第一电子元件的面向第二...

本发明提供了一种形成半导体封装结构的方法，包括：将芯片的主动面朝上设置；在载体上形成对位结构；将芯片翻转放置在载体上并倾斜载体，使得芯片的主动面接触载体、芯片的侧壁接触对位结构。本发明的目的在于至少实现提高半导体封装结构的精度。半导体封...

本公开提出了半导体封装装置及其制造方法，通过在导电垫上延伸出多个纳米线，并在纳米线间加上液态导电材料进行接合作业，形成位于纳米线包覆范围内的导电互连体，来解决纳米线结合所存在的问题。液态导电材料形成导电互连体填充纳米线间的空隙，可有效避...

本公开提供的半导体封装结构及其制造方法，通过将无机材层压至有机材基板中，由于例如陶瓷材料等无机材在经过高温烧结后，涨缩幅度比有机材小，从而可以抑制设于无机材周围的有机材的涨缩程度。有机材的涨缩程度。有机材的涨缩程度。

本公开涉及半导体连线结构。该半导体连线结构包括：信号线路，设置在基板內；信号通孔，设置在所述基板內并且与所述信号线路电连接；信号焊球，设置在基板上并且与信号通孔电连接；接地通孔，设置在信号通孔周围；接地焊球，设置在信号焊球的周围并且与接...

本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：模塑材；桥接芯片，包覆在模塑材内，桥接芯片上设置有导电垫和第一导电孔，导电垫位于桥接芯片的第一表面，第一导电孔位于桥接芯片内并与导电垫电连接；缓冲层，设置在桥接芯片的第一表面，...

本发明涉及一种半导体封装结构。该半导体封装结构包括：基板；第一芯片和第二芯片，位于基板上并与基板电连接；桥接线路层，位于基板内，第一芯片和第二芯片通过桥接线路层通信，桥接线路层通过引线与基板电连接。桥接线路层通过引线与基板电连接。桥接线...

本申请实施例涉及一种半导体封装结构及其形成方法。半导体封装结构包括衬底，衬底具有容置凹槽。半导体封装结构还包括桥接线路结构，设置在容置凹槽内。第一线路层和位于第一线路层上的第二线路层，设置在衬底上。半导体封装结构还包括位于第二线路层上的...

本发明涉及一种半导体封装结构。该半导体封装结构包括：基板；第一芯片和第二芯片，第一芯片和第二芯片横向间隔地设置在基板上；桥接线路层，位于第一芯片与第二芯片之间，第一芯片和第二芯片均通过引线与桥接线路层电连接。片和第二芯片均通过引线与桥接...