半导体封装件的引线接合结构制造技术

本发明专利技术涉及一种半导体封装件的引线接合结构及其形成方法，该引线接合结构包括：重布线层；强化层，位于重布线层上；接合焊盘，位于强化层上；第一电子元件，位于重布线层上方，并且通过接合引线电连接至接合焊盘。且通过接合引线电连接至接合焊盘。且通过接合引线电连接至接合焊盘。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件的引线接合结构


[0001]本专利技术涉及半导体
，更具体地，涉及一种半导体封装件的引线接合结构。

技术介绍

[0002]如图1所示，在目前的扇出基板(Fan
‑
out substrate)中，重布线(RDL)层10设置在基板30上方，芯片20附接在RDL层10上。通常，使用引线(Wire bonding)15连接扇出基板的RDL层10与附接在其上的芯片20，但这种连接方式通常会遇到以下问题:
[0003]1.RDL的表面不平整会引起将引线连接至RDL表面时，RDL上各个引线连接点受力不均衡的问题。
[0004]2.RDL通常内埋于介电材料(聚酰亚胺PI)中，由于PI材质偏软，支撑力不佳，当引线结合至RDL表面时，引线接合力道容易被PI吸收。
[0005]上述两点都会造成引线焊点与RDL接合不良情况。

技术实现思路

[0006]针对相关技术中的上述问题，本专利技术提出一种半导体封装件的引线接合结构及其形成方法。
[0007]本专利技术的实施例提供了一种半导体封装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件的引线接合结构，其特征在于，包括：重布线层；强化层，位于所述重布线层上；接合焊盘，位于所述强化层上；第一电子元件，位于所述重布线层上方，并且通过接合引线电连接至所述接合焊盘。2.根据权利要求1所述的半导体封装件的引线接合结构，其特征在于，所述重布线层包括介电材料，所述强化层的刚性大于所述重布线层的所述介电材料的刚性。3.根据权利要求1所述的半导体封装件的引线接合结构，其特征在于，所述强化层包括热固材料。4.根据权利要求1所述的半导体封装件的引线接合结构，其特征在于，所述接合焊盘包括第一接合焊盘，所述第一接合焊盘电连接至所述重布线层。5.根据权利要求4所述的半导体封装件的引线接合结构，其特征在于，所述强化层包括为模塑料。6.根据权利要求5所述的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘旭唐，张皇贤，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：