化学镀槽、化学镀系统及化学镀方法技术方案

本申请提供一种化学镀槽、一种包含所述化学镀槽的化学镀系统和一种使用所述化学镀槽的化学镀方法。所述化学镀槽包含槽体及位于该槽体中的可旋转承载盘。槽体中的可旋转承载盘。槽体中的可旋转承载盘。

【技术实现步骤摘要】
化学镀槽、化学镀系统及化学镀方法


[0001]本申请涉及化学镀槽、化学镀系统及化学镀方法。

技术介绍

[0002]为了提供更多的功能，目前开发在半导体基板封装中并入两个以上的半导体基板的技术。在此技术中，一半导体基板可能堆栈至另一半导体基板上，为了使两半导体基板的讯号能彼此沟通，必须在两半导体基板间制备接合结构，使所述两半导体基板彼此电性连接。期望能制备一种良好的接合结构，使所述半导体基板封装得以发挥其功能，且同时能达成使半导体基板封装小型化的目的。

技术实现思路

[0003]在一些实施例中，本申请提供了一种化学镀槽。所述化学镀槽包含槽体及位于所述槽体中的可旋转承载盘。
[0004]在一些实施例中，本申请提供了一种化学镀系统。所述化学镀系统包含化学镀槽及一或多个原料槽。所述化学镀槽包含槽体及位于所述槽体中的可旋转承载盘。
[0005]在一些实施例中，本申请提供了一种化学镀方法。所述方法包含将待镀物固定于化学镀槽的可旋转承载盘上；及将化镀液注入所述化学镀槽，以于所述待镀物上镀覆金属层。
附图说明
[0006]当结合附图阅读时，从以下详细描述容易理解本申请的一些实施例的方面。应注意各种结构可能未按比例绘制，且各种结构的尺寸可出于论述的清楚起见任意增大或减小。
[0007]图1说明了根据本申请的一些实施例的化学镀槽的截面图。
[0008]图2说明了根据本申请的一些实施例的化学镀槽的截面图。
[0009]图3说明了根据本申请的一些实施例的化学镀系统的示意图。
[0010]图4、图5、图6和图7说明了根据本申请的一些实施例的化学镀方法的各个阶段。
[0011]图8说明了根据本申请的一些实施例的接合结构。
[0012]图9说明了根据本申请的一些实施例的接合结构。
[0013]图10和图11说明了根据本申请的一些比较实施例的接合结构。
[0014]贯穿图式和详细描述使用共享参考标号来指示相同或类似组件。根据以下结合附图作出的详细描述将容易理解本申请的实施例。
具体实施方式
[0015]以下公开内容提供用于实施所提供的标的物的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的特定实例。当然，这些仅是实例且并不意图是限制性的。在本申
请中，在以下描述中，参考第一特征在第二特征上方或上的形成或安置可以包含第一特征和第二特征直接接触地形成或安置的实施例，且还可包含额外特征可形成或安置在第一特征与第二特征之间使得第一特征和第二特征可并不直接接触的实施例。另外，本申请可在各种实例中重复参考标号和/或字母。此重复是出于简单和清晰的目的，且本身并不规定所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。
[0016]下文详细论述本申请的实施例。然而，应了解，本申请提供了可在多种多样的特定情境中实施的许多适用的概念。所论述的特定实施例仅仅是说明性的且并不限制本申请的范围。
[0017]本申请提供一种新颖的化学镀槽、一种包含所述化学镀槽的化学镀系统和一种使用所述化学镀槽的化学镀方法。所述化学镀槽包含槽体及位于该槽体中的可旋转承载盘。待镀物置放于可旋转承载盘上，通过旋转所述可旋转承载盘，可使化镀液浓度均匀化，使金属沉积厚度一致，并能藉由离心力使气体排出。因此，本申請能在两半导体基板间制备结构良好的接合结构，所得接合结构具有良好的信赖度及电气性能。化学镀又称无电镀，相较于其他现有技术，本申请利用化学镀可在相对较低温度下完成金属接合结构。
[0018]图1及图2说明了根据本申请的一些实施例的化学镀槽1的截面图。
[0019]参考图1，化学镀槽1包含槽体10及位于所述槽体中的可旋转承载盘11。所述槽体10顶部具有一开口(图1未标号)，且所述化学镀槽1另包含盖体15，所述盖体15配置于所述槽体10顶部且封闭所述开口。
[0020]所述化学镀槽1进一步包含一或多个流体连接至槽体10的入口17；及一或多个流体连接至槽体10的出口18。在一些实施例中，所述入口17可配置于槽体10侧壁，或如图1所示配置于盖体上，化镀液20可通过入口17注入化学镀槽1。所述出口18可配置于槽体10侧壁或底部，反应后的废弃化镀液可通过出口18排出至化学镀槽1外部。
[0021]所述可旋转承载盘11可连续旋转或脉冲旋转，并通过旋转产生搅拌效果，使化镀液浓度均匀化，因此可使金属沉积厚度更为均匀。此外，也能通过旋转产生离心力作用，将杂质或气体(例如，化学镀反应产生的氢气等)排出，避免杂质或气体残留在接合结构中，影响接合结构的机械强度及电性能表现。在一些实施例中，所述可旋转承载盘11的转速位于0至300rpm范围，例如，可为0rpm、25rpm、50rpm、75rpm、100rpm、125rpm、150rpm、175rpm、200rpm、225rpm、250rpm、275rpm或300rpm。在一些实施例中，所述化学镀槽1包含转轴13，所述可旋转承载盘11通过所述转轴13固定于所述槽体中，且通过所述转轴13进行连续旋转或脉冲旋转。在一些实施例中，所述转轴13设置于所述可旋转承载盘11中心处。
[0022]所述可旋转承载盘11可为圆盘或其他适当形状。在一些实施例中，所述可旋转承载盘11为圆盘，有利于在旋转时提供稳定的离心力。在一些实施例中，所述可旋转承载盘11具有底部111及侧壁112，所述侧壁112配置于所述底部111的边缘。在一些实施例中，所述侧壁112环绕所述底部111的边缘。在一些实施例中，所述可旋转承载盘11具有一或多个可用以固定待镀物21的固持部件16，例如，二个、三个、四个或更多的固持部件16，所述固持部件16可配置于所述可旋转承载盘11底部111。在一些实施例中，所述固持部件16可视待镀物尺寸移动，以增进固持效果，并使所述可旋转承载盘11适用于不同尺寸的待镀物。
[0023]所述可旋承转载盘11的边缘包含牺牲电极12。所述牺牲电极12可独立配置于所述可旋转承载盘11的边缘；或配置于所述可旋转承载盘11的侧壁112的内表面上。在一些实施
例中，所述牺牲电极12环绕所述可旋转承载盘11边缘。所述牺牲电极可使杂质沉积或吸附于其上，避免杂质沉积于槽体的内侧壁或游离在化镀液中影响沉积效果。在一些实施例中，所述牺牲电极12为不易被酸或碱腐蚀的材料，且可通过清洗移除沉积或吸附于其上的杂质。在一些实施例中，所述牺牲电极12包含贵金属(例如，铂)或不锈钢。在一些实施例中，所述牺牲电极12可为网状或片状。在一些实施例中，所述牺牲电极12为可拆卸式，当沉积物或吸附物达一定厚度时，可直接更换新的牺牲电极继续化学镀反应，同时将使用过的牺牲电极12移除进行清洗，因此能提高清洗及化学镀效率。在一些实施例中，当所述可旋转承载盘进行旋转时，杂质因离心力作用向外移动，可被配置于所述可旋转承载盘11边缘的牺牲电极拦截，沈积在所述牺牲电极上，避免污染整个化学镀槽1。
[0024]在一些实施例中，所述可旋转承载盘11相对于水平方向具有一倾斜角，因此可通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化学镀槽，包含：槽体；及位于该槽体中的可旋转承载盘。2.根据权利要求1所述的化学镀槽，其中所述可旋转承载盘相对于水平方向具有一倾斜角。3.根据权利要求1所述的化学镀槽，其中所述可旋转载盘的边缘包含牺牲电极。4.根据权利要求1所述的化学镀槽，其中所述可旋转载盘具有固持部件。5.根据权利要求1所述的化学镀槽，其中所述牺牲电极环绕可旋转承载盘边缘。6.一种化学镀系统，包含：根据权利要求1至5中任一项的化学镀槽；及一或多个原料槽。7.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱咏达，王秀枝，江俊纬，唐心陆，洪志斌，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：