半导体封装结构及其形成方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体封装结构及其形成方法。该半导体封装结构包括：第一芯片，具有凹槽和第一连接件；第二芯片，与第一芯片相对设置，第二芯片具有与第一连接件接合的第二连接件；其中，在第一连接件和第二连接件中的至少一个处设置有多个纳米线，多个纳米线位于凹槽内。内。内。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，更具体地，涉及一种半导体封装结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]混合接合(Hybrid bonding)的铜
‑
铜(Cu
‑
to
‑
Cu)的对接方式可以避免传统的焊料(solder)结构因节距(pitch)太小而容易发生桥接问题，有助于整体半导体封装结构尺寸的微缩与电性性能的提升等优势。然而，金属接合需要使用高温(约270℃)高压制程，在该制程中将因各材料间的CTE(coefficient ofthermal expansion，热膨胀系数)不匹配而导致芯片产生翘曲(warpage)，进而造成材料破裂(crack)或线路断裂等问题。此外，铜
‑
铜混合接合需要使用3道CMP(Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光)制程，这直接增加了整体结构的制造成本。
[0003]现行的解决方法之一是在焊盘(pad)上制作纳米线(nanowire)，以做为电性接合件而有效降低本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：第一芯片，具有凹槽和第一连接件；第二芯片，与所述第一芯片相对设置，所述第二芯片具有与所述第一连接件接合的第二连接件；其中，在所述第一连接件和所述第二连接件中的至少一个处设置有多个纳米线，所述多个纳米线位于所述凹槽内。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一连接件或所述第二连接件中的任何一个包括焊盘或导电柱。3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述多个纳米线与相对的所述第一连接件或所述第二连接件物理接触。4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，在所述第一连接件和所述第二连接件处设置有多个纳米线，所述第一连接件处的所述多个纳米线和所述第二连接件处的所述多个纳米线彼此交错设置。5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述纳米线的端部与相对的所述第一连接件或所述第二连接件之间具有间隔。6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一芯片和所述第二芯片之间设置有底部填充物，以将所述第一芯片粘合至所述第二芯片。7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述纳米线由单一材料构成。8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述纳米线由异质材料构成。9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，所述纳米线包括铜材料和金属间化合物。10.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述纳米线全部由金属间化合物构成。11.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述多个纳米线中的部分纳米线被挤压而形成横向偏移的纳米线，所述横向偏移的纳米线位于所述凹槽内。12.一种形成半导体封装结构的方法，其特征在于，包括：在第一芯片中形成暴露第一连接件的凹槽；在所述凹槽中形成具有多个开口的图案化的第一掩模层；在所述多个开口中填入纳米线材料以形成位于所述凹槽内的多个第一纳米线；将所述多个第...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐安萱，高金利，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：