【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种电子装置及其制造方法。
技术介绍
1、在当前3d堆叠技术中，堆叠衬底的厚度的偏差使得每个封装单元的高度不同。在化合物模制工艺中，模具(例如，具有离型薄膜)无法将向下力均匀地施加到具有不同高度的封装单元上。化合物将爬升到具有较低高度的封装单元的衬垫上，从而使衬垫与焊料凸点之间的连接劣化。
技术实现思路
1、在一些实施例中，电子装置包含载体及保护层。所述载体具有预定区且包含安置于所述预定区中的衬垫。保护层安置于载体上方且限定预定区。保护层被配置成阻挡包封层覆盖衬垫。
2、在一些实施例中，电子装置包含载体及包封层。载体包含多个衬垫。包封层覆盖载体的外围区。在俯视图中，包封层的一部分安置于衬垫中的至少一个衬垫的周围区域处。
3、在一些实施例中，一种电子装置包含保护层及连接元件。保护层包含开口及被配置成阻挡包封层进入开口的阻挡结构。连接元件安置于开口中且被配置成连接除电子装置以外的外部装置。
【技术保护点】
1.一种电子装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中在横截面图中，所述保护层包括安置于所述衬垫的相对两侧处的阻挡结构。
3.根据权利要求2所述的电子装置，其中所述阻挡结构与所述衬垫间隔开。
4.根据权利要求2所述的电子装置，其中所述阻挡结构限定凹槽。
5.根据权利要求4所述的电子装置，其中相对于所述载体的背离所述保护层的表面，所述衬垫的顶面的第一高度低于所述凹槽的第二高度。
6.根据权利要求4所述的电子装置，其中在所述横截面图中，所述凹槽的宽度大于所述凹槽的深度。
7.根据权利要求2...
【技术特征摘要】
1.一种电子装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中在横截面图中，所述保护层包括安置于所述衬垫的相对两侧处的阻挡结构。
3.根据权利要求2所述的电子装置，其中所述阻挡结构与所述衬垫间隔开。
4.根据权利要求2所述的电子装置，其中所述阻挡结构限定凹槽。
5.根据权利要求4所述的电子装置，其中相对于所述载体的背离所述保护层的表面，所述衬垫的顶面的第一高度低于所述凹槽的第二高度。
6.根据权利要求4所述的电子装置，其中在所述横截面图中，所述凹槽的宽度大于所述凹槽的深度。
7.根据权利要求2所述的电子装置，其中所述载体包括限定沟槽及所述衬垫的导电层，其中所述阻挡结构安置于所述沟槽内及上方。
8.根据权利要求2所述的电子装置，其中所述阻挡结构具有弯曲表面。
9.根据权利要求2所述的电子装置，其中所述阻挡结构由所述包封层覆盖且所述阻挡结构的一部分由所述包封层暴露。
10.一种电子装置，其包括：
11.根据权利要求10所述的电子装置，其中在所述俯视图中，所述包封层的所述部分具有与所述至少一个衬垫的外部轮廓大体上相同的内部轮廓。
12.根据权利要求11所述的电...
【专利技术属性】
技术研发人员：张竣凯，谢濠至，刘昭纬，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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