一种高集成高可靠IGBT功率模块制造技术

一种高集成高可靠IGBT功率模块，属于半导体功率模块技术领域。结构包括：金属底板、封装外壳底座、多层布线陶瓷左半桥基片、多层布线陶瓷转接基片、多层布线陶瓷右半桥基片、模块引脚、键合丝、4个IGBT芯片、4个二极管芯片、封装外壳管帽，组成H桥电路结构；将2个IGBT芯片、2个二极管芯片按设计布局贴装焊接在左半桥基片上，将另外2个IGBT芯片、2个二极管芯片按设计布局贴装焊接在右半桥基片上；采用键合丝进行相应连接点之间的连线键合；封装外壳底座与封装外壳管帽进行充惰性气体全密封焊接。解决了现有IGBT模块耐高压性能差、组装密度低、散热措施复杂、可靠性低的问题。广泛应用于半导体功率电力器件的封装中。体功率电力器件的封装中。体功率电力器件的封装中。

【技术实现步骤摘要】
一种高集成高可靠IGBT功率模块


[0001]本技术属于半导体功率模块
，具体来说，涉及一种高集成高可靠IGBT功率模块结构。

技术介绍

[0002]绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT)是目前最主流、最核心的功率半导体器件，是一种结合了金属
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氧化物
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半导体场效应晶体管(又名绝缘栅型场效应管，简称MOSFET)和双极结型晶体管(BJT)的复合全控型
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电压驱动式
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功率半导体器件，综合了绝缘栅型场效应管及双极结型晶体管的优点，是目前最优秀的功率半导体电力电子器件。由于IGBT的饱和导通压降低、载流密度大、驱动功率很小、开关速度快，广泛应用于电力系统、铁路系统、交通控制、变频器、功率变换、工业电机、UPS不间断电源、风电与太阳能设备、汽车电子等领域，以及用于自动控制的。特别600V及以上的IGBT,可大大提升电力电子装置和系统的性能和可靠性。随着各种装备系统的快速发展，行业及市场上迫切需要1000V以上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高集成高可靠IGBT功率模块，其特征在于，包括：金属底板、封装外壳底座、多层布线陶瓷左半桥基片、多层布线陶瓷转接基片、多层布线陶瓷右半桥基片、模块引脚、键合丝、Q1芯片、D1芯片、D2芯片、Q2芯片、Q3芯片、D3芯片、D4芯片、Q4芯片、封装外壳管帽；所述Q1芯片、Q2芯片、Q3芯片、Q4芯片为IGBT芯片；所述D1芯片、D2芯片、D3芯片、D4芯片为二极管芯片；将所述多层布线陶瓷左半桥基片、多层布线陶瓷转接基片、多层布线陶瓷右半桥基片贴装焊接在金属底板上，多层布线陶瓷转接基片位于多层布线陶瓷左半桥基片与多层布线陶瓷右半桥基片之间；将所述Q1芯片、D1芯片、D2芯片、Q2芯片按设计布局贴装焊接多层布线陶瓷左半桥基片上，将所述Q3芯片、D3芯片、D4芯片、Q4芯片按设计布局贴装焊接多层布线陶瓷右半桥基片上；按连接设计采用键合丝进行相应连接点之间的连线键合；相应连接点之间连线键...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟繁新，王博，陈侃，周斌，江加丽，冉龙玄，张亮，
申请(专利权)人：中国振华集团永光电子有限公司国营第八七三厂，
类型：新型
国别省市：