裸片及其制作方法、芯片封装结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种裸片及其制作方法、以及芯片封装结构及其制作方法，裸片包括：铝焊垫、钝化层以及铜层；铝焊垫与钝化层位于裸片的活性面，钝化层具有开口，开口暴露铝焊垫的部分区域；铜层填充于钝化层的开口内，且覆盖于铝焊垫的表面。在铝焊垫上形成铜层，且铜层填充于钝化层的开口内，使得一方面，铜层能防止铝焊垫表面氧化，降低铝焊垫的电阻；第二方面，采用激光开孔法在塑封层内形成开孔时，铜层可避免激光能量过大击穿铝焊垫；第三方面，铜层完全位于钝化层的开口内，相对于铜层部分区域位于钝化层上的方案，可避免铜层与钝化层的结合性能差导致铜层从钝化层上剥离，从而提升封装结构的良率。结构的良率。结构的良率。

【技术实现步骤摘要】
裸片及其制作方法、芯片封装结构及其制作方法


[0001]本专利技术涉及芯片封装
，尤其涉及一种裸片及其制作方法、芯片封装结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]近年来，随着电路集成技术的不断发展，电子产品越来越向小型化、智能化、高集成度、高性能以及高可靠性方向发展。封装技术不但制约产品的小型化，而且还影响产品的性能。
[0003]有鉴于此，本专利技术提供一种新的裸片及其制作方法、芯片封装结构及其制作方法，以提升封装结构的良率。

技术实现思路

[0004]本专利技术的专利技术目的是提供一种裸片及其制作方法、芯片封装结构及其制作方法，以提升封装结构的良率。
[0005]为实现上述目的，本专利技术的第一方面提供一种裸片，包括：
[0006]铝焊垫与钝化层，位于裸片的活性面，所述钝化层具有开口，所述开口暴露所述铝焊垫的部分区域；
[0007]铜层，填充于所述钝化层的开口内，且覆盖于所述铝焊垫的表面。
[0008]可选地，所述铜层的厚度范围为：2μm～5μm。
[0009]可选地，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种裸片，其特征在于，包括：铝焊垫与钝化层，位于裸片的活性面，所述钝化层具有开口，所述开口暴露所述铝焊垫的部分区域；铜层，填充于所述钝化层的开口内，且覆盖于所述铝焊垫的表面。2.根据权利要求1所述的裸片，其特征在于，所述铜层的厚度范围为：2μm～5μm。3.根据权利要求1所述的裸片，其特征在于，所述铝焊垫具有多个，所述多个铝焊垫包括靠近所述裸片的边缘的第一铝焊垫与远离所述裸片的边缘的第二铝焊垫；所述第一铝焊垫上覆盖的所述铜层与所述第一铝焊垫的第一边缘齐平，所述第一边缘为远离所述第二铝焊垫的边缘。4.一种裸片的制作方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆包括钝化层与多个铝焊垫，所述钝化层与所述多个铝焊垫位于所述晶圆的活性面，所述钝化层具有多个开口，所述开口暴露所述铝焊垫的部分区域；去除所述铝焊垫上的氧化层；在所述铝焊垫上形成铜层，所述铜层填充于所述开口内；切割所述晶圆形成多个裸片。5.根据权利要求4所述的裸片的制作方法，其特征在于，去除所述铝焊垫上的氧化层通过氩气等离子轰击法或通过微蚀法实现。6.根据权利要求4所述的裸片的制作方法，其特征在于，在所述铝焊垫上形成铜层通过无极电镀法形...

【专利技术属性】
技术研发人员：霍炎，杨威源，杨磊，
申请(专利权)人：矽磐微电子重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：