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一种高集成高可靠IGBT功率模块,属于半导体功率模块技术领域。结构包括:金属底板、封装外壳底座、多层布线陶瓷左半桥基片、多层布线陶瓷转接基片、多层布线陶瓷右半桥基片、模块引脚、键合丝、4个IGBT芯片、4个二极管芯片、封装外壳管帽,组成H桥...该专利属于中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)所有,仅供学习研究参考,未经过中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)授权不得商用。