半导体封装结构及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种半导体封装结构，该半导体封装结构包括：基板，第一重布线(RDL)层和第二重布线层，其中，第一重布线层与第二重布线层横向间隔地设置于基板的上表面下方，基板包括位于第一重布线层和第二重布线层之间的第一介电层；半导体封装结构还包括位于第一重布线层和第二重布线层上方的管芯，其中，管芯包括接触第一重布线层的第一导电连接件和接触第二重布线层的第二导电连接件。本发明专利技术还提供了一种形成一种半导体封装结构的方法。一种形成一种半导体封装结构的方法。一种形成一种半导体封装结构的方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，更具体地，涉及一种半导体封装结构。

技术介绍

[0002]在扇出基板(FOSUB)概念中，针对现有基板曝光机台能力、光阻解析能力、蚀刻能力等其他制程能力限制，导致现行量产基板线宽线距能力限制约于线宽L/线距S＝8μm/10μm，无法再往更细线路迈进。因此，因此需要通过扇出重布线(Fan
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out RDL)层实现细线路部分。
[0003]传统扇出基板主要是将扇出重布线层贴附于基板上表面来实现细线路部分。然而，由于扇出重布线层与基板需通过贯通孔(through Via)进行电连接，由于深宽比(Aspect ratio,AR)限制，造成用于形成贯通孔的开孔会具有细孔部分，细孔部分处容易发生电镀异常而造成电性问题。
[0004]现有的一种方法在管芯下方的基板内设置一重布线层。但是由于整个管芯的焊球是设置在管芯边缘处，因此，在未有线路需求的管芯中心部分下方设置重布线层的介电材料会造成介电材料成本过高。

技术实现思路

[0005]针对相关本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：基板；第一重布线层和第二重布线层，所述第一重布线层与所述第二重布线层横向间隔地设置于所述基板的上表面下方，其中，所述基板包括位于所述第一重布线层和所述第二重布线层之间的第一介电层；管芯，位于所述第一重布线层和所述第二重布线层上方，其中，所述管芯包括接触所述第一重布线层的第一导电连接件和接触所述第二重布线层的第二导电连接件。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一重布线层和所述第二重布线层中具有通孔，所述通孔的尺寸在朝向所述基板的方向上是逐渐缩小的。3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述基板中具有通孔，所述基板中的所述通孔的尺寸在朝向所述第一重布线层和所述第二重布线层的方向上是逐渐缩小的。4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：焊料掩模，部分地覆盖所述第一重布线层和所述第二重布线层。5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述基板的所述第一介电层中包括玻璃纤维。6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，在俯视...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄文宏，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：