半导体封装结构及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种半导体封装结构，该半导体封装结构包括：基板，第一重布线(RDL)层和第二重布线层，其中，第一重布线层与第二重布线层横向间隔地设置于基板的上表面下方，基板包括位于第一重布线层和第二重布线层之间的第一介电层；半导体封装结构还包括位于第一重布线层和第二重布线层上方的管芯，其中，管芯包括接触第一重布线层的第一导电连接件和接触第二重布线层的第二导电连接件。本发明专利技术还提供了一种形成一种半导体封装结构的方法。一种形成一种半导体封装结构的方法。一种形成一种半导体封装结构的方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，更具体地，涉及一种半导体封装结构。

技术介绍

[0002]在扇出基板(FOSUB)概念中，针对现有基板曝光机台能力、光阻解析能力、蚀刻能力等其他制程能力限制，导致现行量产基板线宽线距能力限制约于线宽L/线距S＝8μm/10μm，无法再往更细线路迈进。因此，因此需要通过扇出重布线(Fan
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out RDL)层实现细线路部分。
[0003]传统扇出基板主要是将扇出重布线层贴附于基板上表面来实现细线路部分。然而，由于扇出重布线层与基板需通过贯通孔(through Via)进行电连接，由于深宽比(Aspect ratio,AR)限制，造成用于形成贯通孔的开孔会具有细孔部分，细孔部分处容易发生电镀异常而造成电性问题。
[0004]现有的一种方法在管芯下方的基板内设置一重布线层。但是由于整个管芯的焊球是设置在管芯边缘处，因此，在未有线路需求的管芯中心部分下方设置重布线层的介电材料会造成介电材料成本过高。

技术实现思路

[0005]针对相关技术中存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种半导体封装结构，可以提高良率，降低成本。
[0006]根据本专利技术实施例的一个方面，提供了一种半导体封装结构，包括：基板；第一重布线层和第二重布线层，所述第一重布线层与所述第二重布线层横向间隔地设置于所述基板的上表面下方，其中，所述基板包括位于所述第一重布线层和所述第二重布线层之间的第一介电层；管芯，位于所述第一重布线层和所述第二重布线层上方，其中，所述管芯包括接触所述第一重布线层的第一导电连接件和接触所述第二重布线层的第二导电连接件。
[0007]在一些实施例中，所述第一重布线层和所述第二重布线层中具有通孔，所述通孔的尺寸在朝向所述基板的方向上是逐渐缩小的。
[0008]在一些实施例中，所述基板中具有通孔，所述基板中的所述通孔的尺寸在朝向所述第一重布线层和所述第二重布线层的方向上是逐渐缩小的。
[0009]在一些实施例中，半导体封装结构还包括焊料掩模，焊料掩模部分地覆盖所述第一重布线层和所述第二重布线层。
[0010]在一些实施例中，所述基板的所述第一介电层中包括玻璃纤维。
[0011]在一些实施例中，在俯视图中，所述第一重布线层和所述第二重布线层中的每个为矩形形状。
[0012]在一些实施例中，半导体封装结构还包括矩形形状的第三重布线层和第四重布线层，在俯视图中，所述第一重布线层和所述第二重布线层沿第一方向延伸，所述第三重布线层和所述第四重布线层沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸，所述第一重布线层至所述
第四重布线层排列为矩形环结构。
[0013]在一些实施例中，所述第一重布线层和所述第二重布线层分别在横向方向上具有宽度，其中，所述第一重布线层的宽度与所述第二重布线层的宽度不同。
[0014]在一些实施例中，所述第一重布线层的宽度与所述第二重布线层的宽度之间的比率在0.6至0.7的范围内。
[0015]在一些实施例中，所述第一重布线层、所述第二重布线层和所述基板分别在相同的横向方向上具有宽度，其中，所述第一重布线层的宽度与所述基板的宽度之间的比率在0.3至0.4的范围内，所述第二重布线层的宽度与所述基板的宽度之间的比率在0.3至0.4的范围内。
[0016]根据本专利技术实施例的一个方面，提供了一种形成半导体封装结构的方法，包括：提供核心载体；在所述核心载体的表面上横向间隔地放置第一重布线(RDL)层和第二重布线层；在所述第一重布线层和所述第二重布线层上形成包覆所述第一重布线层和所述第二重布线层的基板。
[0017]在一些实施例中，在形成所述基板之后，还包括：去除所述核心载体。
[0018]在一些实施例中，形成所述基板包括：以层压制程在所述第一重布线层和所述第二重布线层上形成所述基板。
[0019]在一些实施例中，放置所述第一重布线层和所述第二重布线层，包括：将所述第一重布线层和所述第二重布线层形成在载体上；通过所述载体将所述第一重布线层和所述第二重布线层放置在所述核心载体的表面上；去除所述载体。
[0020]在一些实施例中，上述方法还包括：在所述第一重布线层和所述第二重布线层上方形成管芯，其中，所述管芯的第一导电连接件接触所述第一重布线层，所述管芯的第二导电连接件接触所述第二重布线层。
[0021]在一些实施例中，上述方法还包括：形成部分地覆盖所述第一重布线层和所述第二重布线层的焊料掩模。
[0022]在一些实施例中，形成所述基板包括：将在所述第一重布线层和所述第二重布线层之间的间隔中形成所述基板的第一介电层。
[0023]在一些实施例中，使用玻璃纤维形成所述基板的所述第一介电层。
[0024]在一些实施例中，所述第一重布线层和所述第二重布线层分别在横向方向上具有宽度，其中，所述第一重布线层的宽度与所述第二重布线层的宽度不同。
[0025]在一些实施例中，所述重布线层中具有通孔，所述基板中具有通孔，在形成所述基板之后，所述重布线层中的所述通孔的尺寸在朝向所述基板的方向上是逐渐缩小的，所述基板中的所述通孔的尺寸在朝向所述重布线层的方向上是逐渐缩小的。
附图说明
[0026]图1为本专利技术实施例的半导体封装结构的示意性截面图。
[0027]图2为图1所示的半导体封装结构中的区域30处的局部放大示意图。
[0028]图3为根据本专利技术实施例的半导体封装结构的俯视示意图。
[0029]图4至图10为根据本专利技术实施例的形成半导体封装结构的方法的多个阶段的示意性截面图。
具体实施方式
[0030]以下公开内容提供了许多用于实现本专利技术的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本专利技术。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本专利技术可在各个实施例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
[0031]而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在
…
之下”、“在
…
下方”、“下部”、“在
…
之上”、“上部”等空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)原件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其它方式定向(旋转90度或在其它方位上)，而本文使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。
[0032]图1为本专利技术实施例的半导体封装结构的示意性截面图。如图1所示，第一重布线(RDL)层320和第二重布线层340横向间隔地设置在基板100的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：基板；第一重布线层和第二重布线层，所述第一重布线层与所述第二重布线层横向间隔地设置于所述基板的上表面下方，其中，所述基板包括位于所述第一重布线层和所述第二重布线层之间的第一介电层；管芯，位于所述第一重布线层和所述第二重布线层上方，其中，所述管芯包括接触所述第一重布线层的第一导电连接件和接触所述第二重布线层的第二导电连接件。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一重布线层和所述第二重布线层中具有通孔，所述通孔的尺寸在朝向所述基板的方向上是逐渐缩小的。3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述基板中具有通孔，所述基板中的所述通孔的尺寸在朝向所述第一重布线层和所述第二重布线层的方向上是逐渐缩小的。4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：焊料掩模，部分地覆盖所述第一重布线层和所述第二重布线层。5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述基板的所述第一介电层中包括玻璃纤维。6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，在俯视...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄文宏，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：