扇出型封装结构制造技术

本申请的实施例提供一种扇出式封装结构，包括：衬底；第一电子元件和第二电子元件，位于衬底上；加强结构，位于衬底上并且包围第一电子元件和第二电子元件的所有侧壁，加强结构是一体的。本发明专利技术的目的在于提供扇出型封装结构，以至少实现提高扇出型封装结构的良率。以至少实现提高扇出型封装结构的良率。以至少实现提高扇出型封装结构的良率。

【技术实现步骤摘要】
扇出型封装结构


[0001]本申请的实施例涉及扇出型封装结构。

技术介绍

[0002]目前后芯片工艺的扇出型封装结构，尤其是扇出型衬底上芯片(FOCOS)封装结构中，具有填充材料发生破裂的问题，填充材料在高温的过程中材料膨胀而导致其与电子元件之间的界面产生分层和破裂进而往下破坏。

技术实现思路

[0003]针对相关技术中存在的问题，本专利技术的目的在于扇出型封装结构，以至少实现提高扇出型封装结构的良率。
[0004]本申请的实施例提供一种扇出式封装结构，包括：衬底；第一电子元件和第二电子元件，位于衬底上；加强结构，位于衬底上并且包围第一电子元件和第二电子元件的所有侧壁，加强结构是一体的。
[0005]在一些实施例中，还包括：填充层，位于衬底和第一电子元件、第二电子元件之间。
[0006]在一些实施例中，加强结构中有复数个开孔，填充层位于开孔中。
[0007]在一些实施例中，第一部分开孔位于加强结构的面向第一电子元件或第二电子元件的内侧壁上。
[0008]在一些实施例中，位于第一部分开孔中的填充层与第一电子元件或第二电子元件接触。
[0009]在一些实施例中，填充层填充开孔的下部分。
[0010]在一些实施例中，还包括：模塑层，位于第一电子元件和第二电子元件的上表面上，模塑层填充开孔的上部分。
[0011]在一些实施例中，还包括：线路层，位于衬底和加强结构之间，填充层接触线路层的上表面。
[0012]在一些实施例中，线路层的侧壁和模塑层的侧壁齐平。
[0013]在一些实施例中，衬底的横向尺寸大于线路层的横向尺寸。
[0014]在一些实施例中，加强结构高于第一电子元件和第二电子元件。
[0015]在一些实施例中，加强结构高于第二电子元件并且低于第一电子元件。
[0016]在一些实施例中，在俯视图中，第一电子元件和第二电子元件的相邻侧壁平行。
[0017]在一些实施例中，第一电子元件和第二电子元件的主动面朝向衬底。
[0018]本申请的实施例还提供一种形成扇出型封装结构的方法，包括：提供加强结构；将第一电子元件和第二电子元件设置在加强结构的第一腔和第二腔内，加强结构接触第一电子元件和第二电子元件；将加强结构、第一电子元件和第二电子元件设置在衬底上。
[0019]在一些实施例中，将第一电子元件和第二电子元件放置在第一腔和第二腔内包括：将加强结构加热；将第一电子元件和第二电子元件放置在第一腔和第二腔中；冷却加强
结构使得加强结构和第一电子元件和第二电子元件接触。
[0020]在一些实施例中，第一腔的横向尺寸大于第二腔的横向尺寸。
[0021]在一些实施例中，加强结构中包括纤维。
[0022]在一些实施例中，第一腔和第二腔的横向尺寸由上到下逐渐减小。
[0023]在一些实施例中，第一腔和第二腔的侧壁倾斜。
[0024]在一些实施例中，第一电子元件和第二电子元件和加强结构的底面齐平。
附图说明
[0025]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
[0026]图1至图23示出了根据本申请实施例的扇出型封装结构的形成过程。
[0027]图24至图27示出了根据本申请不同实施例的扇出型封装结构的结构示意图。
具体实施方式
[0028]为更好的理解本申请实施例的精神，以下结合本申请的部分优选实施例对其作进一步说明。
[0029]本申请的实施例将会被详细的描示在下文中。在本申请说明书全文中，将相同或相似的组件以及具有相同或相似的功能的组件通过类似附图标记来表示。在此所描述的有关附图的实施例为说明性质的、图解性质的且用于提供对本申请的基本理解。本申请的实施例不应该被解释为对本申请的限制。
[0030]如本文中所使用，术语“大致”、“大体上”、“实质”及“约”用以描述及说明小的变化。当与事件或情形结合使用时，所述术语可指代其中事件或情形精确发生的例子以及其中事件或情形极近似地发生的例子。举例来说，当结合数值使用时，术语可指代小于或等于所述数值的
±
10％的变化范围，例如小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
±
2％、小于或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
±
0.1％、或小于或等于
±
0.05％。举例来说，如果两个数值之间的差值小于或等于所述值的平均值的
±
10％(例如小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
±
2％、小于或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
±
0.1％、或小于或等于
±
0.05％)，那么可认为所述两个数值“大体上”相同。
[0031]在本说明书中，除非经特别指定或限定之外，相对性的用词例如：“中央的”、“纵向的”、“侧向的”、“前方的”、“后方的”、“右方的”、“左方的”、“内部的”、“外部的”、“较低的”、“较高的”、“水平的”、“垂直的”、“高于”、“低于”、“上方的”、“下方的”、“顶部的”、“底部的”以及其衍生性的用词(例如“水平地”、“向下地”、“向上地”等等)应该解释成引用在讨论中所描述或在附图中所描示的方向。这些相对性的用词仅用于描述上的方便，且并不要求将本申请以特定的方向建构或操作。
[0032]另外，有时在本文中以范围格式呈现量、比率和其它数值。应理解，此类范围格式是用于便利及简洁起见，且应灵活地理解，不仅包含明确地指定为范围限制的数值，而且包含涵盖于所述范围内的所有个别数值或子范围，如同明确地指定每一数值及子范围一般。
[0033]再者，为便于描述，“第一”、“第二”、“第三”等等可在本文中用于区分一个图或一系列图的不同组件。“第一”、“第二”、“第三”等等不意欲描述对应组件。
[0034]扇出型封装结构在加热过程中，弯曲应力受应力集中系数的影响放大为有效应力(放大至1.5倍至3倍)，在加热和冷却过程中均会由热力矩引起弯曲应力，电子元件的拐角处的应力集中系数Kt为1.5至3。
[0035]下面将参照附图，对本申请的扇出型封装结构及其形成方法作具体阐述。
[0036]参见图1，释放层12位于第一载体10上，将加强结构14设置在释放层12上。第一载体10可以是玻璃载体衬底、陶瓷载体衬底等。第一载体10可以是晶圆，从而使得可以在第一载体10上同时形成多个封装结构。释放层12可以由基于聚合物的材料形成，其可以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种扇出式封装结构，其特征在于，包括：衬底；第一电子元件和第二电子元件，位于所述衬底上；加强结构，位于所述衬底上并且包围所述第一电子元件和所述第二电子元件的所有侧壁，所述加强结构是一体的。2.根据权利要求1所述的扇出型封装元件，其特征在于，还包括：填充层，位于所述衬底和所述第一电子元件、所述第二电子元件之间。3.根据权利要求2所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述加强结构中有复数个开孔，所述填充层位于所述开孔中。4.根据权利要求3所述的扇出型封装结构，其特征在于，第一部分所述开孔位于所述加强结构的面向所述第一电子元件或所述第二电子元件的内侧壁上。5.根据权利要求4所述的扇出型封装结构，其特征在于，位于所述第一部分开孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕文隆，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：