半导体封装装置及其制造方法制造方法及图纸

本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。半导体封装装置包括：基板，所述基板具有第一通孔；以及重布线层，下表面接触所述基板，所述重布线层具有第二通孔，所述第一通孔的孔径由所述基板向所述重布线层的方向逐渐缩小，所述第二通孔的孔径由所述重布线层向所述基板的方向逐渐缩小。方向逐渐缩小。方向逐渐缩小。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装装置及其制造方法


[0001]本公开涉及半导体封装
，具体涉及半导体封装装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]由于现有基板的曝光机台能力、光阻解析能力、蚀刻能力等其他制程能力的限制，现行量产基板线宽/线距(L/S，Line/Space)约为8/10微米(um)，较难再往更细线路迈进。为打样所生产的少量样品可实现L/S为7/9um，但因良率较低而难以量产。
[0003]为实现更细的线路，一种方案采用扇出RDL(Redistribution Layer，重布线层)来实现细线路部分。为实现此种方案，传统FOSUB(Fan
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Out Substrate，扇出型基板)主要将重布线层通过粘合层贴附于基板上来实现细线路部分，通过在重布线层表面朝向基板方向进行激光打孔以形成通孔，通孔需穿过粘合层，进而实现重布线层和基板之间的电连接。但是，在形成通孔的制程中，由于激光打孔中激光能量差异将导致通孔的AR比(aspect ration，宽高比)1：3左右，即，最终通孔在达到基板附近时将孔径较小，这将导致在该孔径较小部分电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装装置，包括：基板，所述基板具有第一通孔；以及重布线层，下表面接触所述基板，所述重布线层具有第二通孔，所述第一通孔的孔径由所述基板向所述重布线层的方向逐渐缩小，所述第二通孔的孔径由所述重布线层向所述基板的方向逐渐缩小。2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述重布线层的侧表面接触所述基板。3.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括：阻焊层，设置于所述重布线层的上表面。4.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括：裸片，设置于所述重布线层的上表面。5.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述基板包括第一介电层，所述第一介电层包括玻璃纤维。6.根据权利要求5所述的半导体封装装置，其中，所述重布线层包括第二介电层，所述第二介电层与所述第一介电层的材料不同。7.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括：至少两个连接通孔，设置于所述重布线层和所述基板之间，且分别电性连接所述重布线层和所述基板，各所述连接通孔的孔径相同或不同。8.一种制造半导体封装装置的方法，包括：提供重布线层结构和核心载板，所述重...

【专利技术属性】
技术研发人员：黃文宏，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：