混合嵌埋封装结构及其制作方法技术

本申请公开了一种混合嵌埋封装结构及其制作方法，该结构包括：基板，基板设置有第一绝缘层、导通铜柱、埋芯空腔和第一线路层；第一电子器件，设置在埋芯空腔内部，端子面朝向基板底面；第二电子器件，设置在第一电子器件的背面，端子面朝基板顶面；第二绝缘层，覆盖填充所述埋芯空腔和所述基板的上层，并露出局部第一线路层以及局部第二电子器件或者局部第一电子器件背面；第二线路层，电性连接导通铜柱和第一电子器件的端子；导线，电性连接第一线路层和第二电子器件的端子；保护罩，设置在基板的顶面。本申请的封装结构及其制作方法将嵌埋封装与WB封装相结合，对封装的电子器件等元器件选择性进行嵌埋封装或者WB封装的方式，可以缩小封装体积、降低生产成本、缩短加工周期。缩短加工周期。缩短加工周期。

【技术实现步骤摘要】
混合嵌埋封装结构及其制作方法


[0001]本申请涉及半导体封装
，尤其涉及一种混合嵌埋封装结构及其制作方法。
技术背景
[0002]随着电子技术的发展与进步，电子产品朝着短小轻薄的方向演进，而电子产品的功能要求越来越强大，促进了电子产品的封装结构朝着高度集成化、小型化的方向发展，电子器件等元器件嵌埋封装应运而生，呈逐步替代WB封装(引线键合封装)的趋势。但相对而言，对于I/O数较少的电子器件，与嵌埋封装后做RDL(redistribution layer重新布线层)相比，WB封装的成本和加工周期更有优势；而且部分器件的特殊应用，很难通过嵌埋封装的方式来实现，例如LED、光电二极管等涉及光源发光或者接收光的器件，传统方式嵌埋封装后，器件的发光、接收光都受到影响。因此在短时间内，WB封装仍将扮演重要的角色。
[0003]现有技术中，传统的WB封装方式是将电子器件等元器件通过贴装的方式，固定于基板的表面，然后进行打线，将电子器件等元器件与基板进行电性连接，最后注塑封装。该方法的缺点在于：电子器件等元器件贴装于基板表面以及打线的方式都使封本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种混合嵌埋封装结构制作方法，其特征在于，包括以下步骤：制作基板，所述基板包括第一绝缘层，贯穿所述第一绝缘层的导通铜柱，开设在所述第一绝缘层上的埋芯空腔和与所述导通铜柱电性连接的第一线路层；在所述基板的底部设置支撑件，所述支撑件用于预固定电子器件组件；在所述埋芯空腔对应的所述支撑件内侧预固定所述电子器件组件，所述电子器件组件包括第一电子器件和第二电子器件，所述第二电子器件设置在所述第一电子器件的背面，且所述第一电子器件的端子面朝向所述支撑件，所述第二电子器件的端子面背向所述第一电子器件；对所述电子器件组件进行封装，并露出局部所述第一线路层以及第二电子器件的端子，形成第二绝缘层；去除所述支撑件；在所述基板的底部制作第二线路层；打线，将所述第二电子器件的端子和所述第一线路层连接。2.根据权利要求1所述的混合嵌埋封装结构制作方法，其特征在于，所述第二线路层制作完之后还包括以下步骤：在所述基板的底部及至少部分所述第二线路层表面制作阻焊层；在所述第一线路层和所述第二线路层表面进行处理形成表面处理层。3.根据权利要求1所述的混合嵌埋封装结构制作方法，其特征在于，还包括在所述基板的顶面施加保护罩。4.根据权利要求1
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3任一项所述的混合嵌埋封装结构制作方法，其特征在于，所述制作基板的具体步骤包括：准备一承载板，所述承载板从下往上依次包含核心层、第一金属层、第二金属层、蚀刻阻挡层和第一金属种子层；在所述第一金属种子层的表面制作第一光阻层，所述第一光阻层设置有导通铜柱开窗和牺牲铜柱开窗；在所述导通铜柱开窗和牺牲铜柱开窗位置分别制作导通铜柱和牺牲铜柱；去除所述第一光阻层,；层压绝缘层，覆盖铜柱，减薄绝缘层，露出所述导通铜柱和所述牺牲铜柱端部，形成所述第一绝缘层；在露出铜柱的表面制作第二金属种子层；在所述第二金属种子层表面施加光阻材料，对光阻材料进行曝光及显影，制作第一线路层图形，形成第二光阻层。线路电镀，去除第二光阻层及外露的第二金属种子层，形成所述第一线路层。将所述第一金属层和所述第二金属层之间进行分离；去除所述第二金属层、蚀刻阻挡层和第一金属种子层；双面施加光阻材料，对光阻材料进行曝光及显影，覆盖所述第一线路层及所述导通铜柱，露出所述牺牲铜柱；去除所述牺牲铜柱，形成所述埋芯空腔。5.根据权利要求1
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3任一项所述的混合嵌埋封装结构制作方法，其特征在于，所述第一
电子器件和所述第二电子器件之间通过粘性材料连接。6.根据权利要求1
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3任一项所述的混合嵌埋封装结构制作方法，其特征在于，所述第二电子器件的端子板还设置有传感器2。7.根据权利要求6所述的混合嵌埋封装结构制作方法，其特征在于，所述对所述电子器件组件进行封装，并露出局部所述第一线路层以及第二电子器件的端子，形成第二绝缘层的具体步骤为：使用绝缘材料对电子器件进行封装；对绝缘材料进行处理，露出局部第所述第一线路层、所述第二电子器件的端子及所述传感器，形成第二绝缘层。8.根据权利要求7所述的混合嵌埋封装结构制作方法，其特征在于，所述第二绝缘层采用的绝缘材料为感光型绝缘材料，通过对感光型绝缘材料进行曝光及显影处理，露出局部第所述第一线路层、所述第二电子器件的端子及所述传感器，形成第二绝缘层。9.根据权利要求1
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3任一项所述的混合嵌埋封装结构制作方法，其特征在于，所述在所述基板的底部制作第二线路层的具体步骤为：在所述基板底面制作第三金属种子层；采用贴膜或者涂覆...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈先明，冯磊，黄本霞，洪业杰，
申请(专利权)人：珠海越亚半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：