封装基板及其制作方法技术

本公开提供一种封装基板及其制作方法。具体地，封装基板包括第一介质层；第一导通柱，嵌埋于所述第一介质层内；第一线路层，形成在所述第一介质层上；第一氧化石墨烯层，形成在所述第一介质层和所述第一线路层之间；其中，第一氧化石墨烯层与所述第一导通柱对应的区域被还原为第一石墨烯层，所述第一石墨烯层导通所述第一线路层和所述第一导通柱。利用氧化石墨烯表面的羰基、环氧基、羟基与金属、介质材料产生结合力，从而提升线路层和基材之间的结合力，实现更加精细线路的制作，防止精细线路剥离。离。离。

【技术实现步骤摘要】
封装基板及其制作方法


[0001]本公开涉及半导体封装
，尤其涉及一种封装基板及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着电子技术不断发展，电子产品的应用需求趋向于高功能化、小型化，因此相关的器件及线路板、封装基板均呈现小型化、高密度集成化的发展趋势，布线密度要求越来越高，线宽、线距要求越来越精细，因此线路板、封装基板的线路与基材之间的结合力要求越来越高，结合力不足可能会导致精细线路剥离、焊接时焊盘脱落等问题。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本公开的目的在于提出一种封装基板及其制作方法。
[0004]基于上述目的，第一方面，本公开提供了一种封装基板的制作方法，包括：
[0005](a)在承载板上形成第一介质层和在厚度方向嵌埋在所述第一介质层中的第一导通柱；
[0006](b)在所述第一介质层表面施加氧化石墨烯，形成第一氧化石墨烯层，其中所述第一导通柱的第一端面与所述第一氧化石墨烯层接触；
[0007](c)在所述第一氧化石墨烯层上施加第二光阻层，经曝光显影暴露出所述第一导通柱对应区域的第一氧化石墨烯层；
[0008](d)将暴露的第一氧化石墨烯层还原为第一石墨烯层；
[0009](e)移除所述第二光阻层；
[0010](f)在所述第一石墨烯层上形成第一线路层；
[0011](g)移除所述承载板，暴露出所述第一导通柱的第二端面。
[0012]第二方面，本公开实施例还提供一种封装基板，包括：
[0013]第一介质层；
[0014]第一导通柱，嵌埋于所述第一介质层内；
[0015]第一线路层，形成在所述第一介质层上；
[0016]第一氧化石墨烯层，形成在所述第一介质层和所述第一线路层之间；
[0017]其中，第一氧化石墨烯层与所述第一导通柱对应的区域被还原为第一石墨烯层，所述第一石墨烯层导通所述第一线路层和所述第一导通柱。
[0018]从上面所述可以看出，本公开提供的封装基板及其制作方法，在介质层和线路层之间增加氧化石墨烯层，利用氧化石墨烯表面的羰基、环氧基、羟基等与金属和介质材料产生强结合力，从而提升线路层和基材之间的结合力，实现更加精细线路的制作，防止精细线路剥离。同时，利用氧化石墨烯具有绝缘性而石墨烯具有优异导电性的特点，将氧化石墨烯层的局部还原成石墨烯层，形成导通线路层的通路，还能够改善基板的导热性。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本公开或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中，为了更好地理解和易于描述，可以夸大一些层和区域的厚度和形状。
[0020]图1(a)～1(t)示出本公开一个实施例的封装基板的制作方法的各步骤中间结构的截面示意图；
[0021]图2为本公开一个实施例的封装基板的结构示意图。
具体实施方式
[0022]为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本公开进一步详细说明。
[0023]需要说明的是，除非另外定义，本公开实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
[0024]目前，铜柱工艺无芯封装基板技术，在承载板上制作导通铜柱后，层压介质材料并减薄，露出铜柱端面，然后制作线路层，从而完成多层无芯封装基板制作。本公开的专利技术人注意到，层压介质层并减薄后会导致介质材料中的填料、玻纤外露，导致在此表面制作的线路层与介质材料之间结合力相对较弱，仅可满足15/15μm线宽/线距的线路制作要求。但随着封装基板的精细线路能力要求越来越高，对于更精细的线路，其表面结合力很难满足要求，线路剥离的风险较高。
[0025]鉴于此，本公开示例性实施例提供一种封装基板的制作方法。图1(a)～1(t)示出本公开一个实施例的封装基板的制作方法的各步骤中间结构的截面示意图。
[0026]所述制作方法包括如下步骤：提供一基板200—步骤(a)，如图1(a)～图1(f)所示。基板200包括第一导通柱104和经减薄表面与第一导通柱齐平的第一介质层105。
[0027]对于基板200的制作方法，本公开提供一种示例性的实施例。
[0028]具体地，提供一承载板100—步骤(a1)，如图1(a)所示。其中，承载板100可包括载板(图中未标注)、第一金属层101和第二金属层102。可选地，第一金属层101和第二金属层102能够通过物理方式分离。其中，第二金属层102可以作为种子层用于形成第一导通柱104。可选地，第一金属层101的材料是铜；第二金属层102的材料可以是铜和钛的至少一者。
[0029]接着，在承载板100上形成第一导通柱104—步骤(a2)，如图1(b)～图1(d)所示。示例性的，请参阅图1(b)，先在承载板100上施加光刻胶，经曝光显影形成具有第一导通柱的图案的第一光阻层103；电镀填充第一导通柱的图案形成实心第一导通柱104(如图1(c)所示)；最后，退膜去除第一光阻层103(如图1(d)所示)。
[0030]然后，层压介质材料覆盖第一导通柱104—步骤(a3)，如图1(e)所示。
[0031]最后，减薄介质材料，形成露出第一导通柱104的第一端面的第一介质层105—步骤(a4)，如图1(f)所示。
[0032]可选地，第一介质层105的材料选自味之素增层膜(Ajinomoto build
‑
up film，ABF)、预浸材(Prepreg)和光敏型介电材料中的一者或多者。其中，预浸材(Prepreg)可以是环氧玻纤布(Epoxy glass cloth)或BT树脂(Bismaleimide triazine resin)。
[0033]可选地，减薄介质材料的方法选自磨板、等离子蚀刻、喷砂中的一者或多者。
[0034]接着，在第一介质层和第一导通柱的表面施加液态氧化石墨烯，形成第一氧化石墨烯层106—步骤(b)，如图1(g)所示。这里，第一氧化石墨烯层的厚度为10nm～2.0μm，例如10nm、50nm、100nm、200nm、500nm、800nm、1000nm、1.2μm、1.5μm、1.7μm、2.0μm。
[0035]示例性的，步骤(b)具体包括：在第一介质层105和第一导通柱104的表面涂覆液态本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装基板的制作方法，其特征在于，包括：(a)在承载板上形成第一介质层和在厚度方向嵌埋在所述第一介质层中的第一导通柱；(b)在所述第一介质层表面施加氧化石墨烯，形成第一氧化石墨烯层，其中所述第一导通柱的第一端面与所述第一氧化石墨烯层接触；(c)在所述第一氧化石墨烯层上施加第二光阻层，经曝光显影暴露出所述第一导通柱对应区域的第一氧化石墨烯层；(d)将暴露的第一氧化石墨烯层还原为第一石墨烯层；(e)移除所述第二光阻层；(f)在所述第一石墨烯层上形成第一线路层；(g)移除所述承载板，暴露出所述第一导通柱的第二端面。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括：在所述第一线路层上形成第二导通柱；在所述第一介质层上层压第二介质层以嵌埋所述第二导通柱，并减薄所述第二介质层以暴露出所述第二导通柱的端面。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一氧化石墨烯层的厚度为10nm～2.0μm。4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一介质层的材料选自味之素增层膜、预浸材和光敏型介电材料中的一者或多者。5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤(b)具体包括：在所述第一介质层的表面涂覆液态氧化石墨烯，烘干形成所述第一氧化石墨烯层。6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤(d)具体包括：通过氢等离子体法或水蒸法还原所述第一氧化石墨烯层。7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述水蒸法包括以超过100℃的水蒸气处理至少20分钟。8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤(f)包括：(f1)在所述第一氧化石墨烯层和所述第一石墨烯层上施加第一种子层；(f2)在所述第一种子层上形成所述第一线路层。9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，包括：在所述第一种子层上施加第三光阻层，曝光显影形成第一线路层图案，电镀所述第一线路层图案形成第一线路层；在所述第一线路层和所述第三光阻层上施加第四光阻层，曝光显影形成第二导通柱图案；电镀所述第二导通柱图案形成所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈先明，洪业杰，黄高，黄本霞，
申请(专利权)人：珠海越亚半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：