一种解决SOD923封装湿气导致离子迁移问题的方法技术

本发明专利技术公开了一种解决SOD923封装湿气导致离子迁移问题的方法，涉及封装技术领域。本发明专利技术采用共晶焊接工艺、Plasma等离子清洗、Wirebond键合打线、Mold注塑方法，方法指晶圆与框架的共晶焊接工艺，真空等离子Plasma清洗的要求及清洁度监测，清洁完成的打线工序后再进行Mold注塑的方法，以实现在晶圆与注塑材料之间将不存在焊接离子迁移问题，增加晶圆的防潮等级，减少芯片的漏电流的方案。本发明专利技术使用共晶焊接、等离子清洗等流程方法合理，容易量产化，设计检验装置简洁，新颖，是一种经济实用、有效的提高器件防潮性能的发明专利技术。有效的提高器件防潮性能的发明专利技术。有效的提高器件防潮性能的发明专利技术。

【技术实现步骤摘要】
一种解决SOD923封装湿气导致离子迁移问题的方法


[0001]本专利技术属于封装
，特别是涉及一种解决SOD923封装湿气导致离子迁移问题的方法。

技术介绍

[0002]随着人类对美好生活的极致追求，对于小型化的智能家居、森林和海洋户外电子产品的应用中，涉及到的电子产品防潮要求越来越高，产品需要满足高可靠的性能需求。目前，现有技术中对于高可靠二极管的材料及工艺研究甚少，很多成熟材料、设备和工艺对国外依赖度仍然很高，国际IPC与JEDEC标准J
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STD
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033对于温湿度均有规范要求。
[0003]SOD923封装目前两侧引脚外露产品行业中最小的封装，传统工艺现状是使用银浆或锡浆点浆工艺，产品在过往使用过程中很容易失效，因银离子在施加电子场后太活泼，再加上外部湿度过大，导致银离子迁移，产品漏电失效，从而影响产品的整体功能。
[0004]SOD923封装行业使用刮浆或点浆工艺，因为芯片减薄后厚度为110
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150μm，一般焊料高度控制在50％，如说明书附图的图2所示；对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种解决SOD923封装湿气导致离子迁移问题的方法，其特征在于，采用共晶焊接工艺，等离子Plasma清洗，包括如下步骤：S1、引线装片焊接：焊接框架表面处理钛镍合金层，晶圆表面处理使用背金工艺，使用设备将划好的芯片固定于框架上，进行真空共晶焊接；S2、Plasma等离子清洗：将焊接好的框架与芯片，使用等离子清洗机进行清洗处理，保证焊接面的洁净光滑，为键合工序做准备；S3、Wirebond键合打线：使用二次键合打镀钯金线，第一次键合框架连接出，第二次键合芯片焊接区；S4、二次Plasma等离子清洗，确保无残留助焊剂杂物；S5、塑封环氧树脂进行注塑、清除残胶；S6、使用测试装置检验流程的有效性和产品效果。2.根据权利要求1所述的一种解决SOD923封装湿气导致离子迁移问题的方法，其特征在于，所述S2步骤中使用等离子清洗的时间为185
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215秒，等离子清洗的电源射频频率为13.56MHZ，等离子清洗的设备真空泵速度为60
±
5立方米/小时,等离子清洗的罗茨泵抽气速度为235
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265立方米/小时。3.根据权利要求1所述的一种解决SOD923封装湿气导致离子迁移问题的方法，其特征在于，所述S3步骤中使用反向球对球焊BSOB方式...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨斌，蒋盼盼，邓绍能，张伟伟，肖海兵，肖南海，
申请(专利权)人：上海音特电子有限公司，
类型：发明
国别省市：