封装基板及集成模块制造技术

技术编号:38884262 阅读:12 留言:0更新日期:2023-09-22 14:13
本实用新型专利技术公开了一种封装基板及集成模块,涉及半导体封装技术领域。封装基板包括基板、绝缘层、第一金属线路和第二金属线路;基板具有至少一个贯穿基板的第一通孔;绝缘层覆盖在基板的上表面和下表面,并填充第一通孔;第一金属线路设置于绝缘层的上表面,第二金属线路设置于绝缘层的下表面,第一金属线路与第二金属线路通过贯穿绝缘层的金属导通孔实现电性连接;其中,金属导通孔位于第一通孔内,且至少一个第一通孔的内部具有两个金属导通孔。根据本实用新型专利技术的封装基板,能够提升封装基板的刚性,避免封装基板在制作过程中发生翘曲现象,提升产品良率;同时,能够提升封装基板的金属过孔的密度,有利于实现产品的高集成化和小型化。型化。型化。

【技术实现步骤摘要】
封装基板及集成模块


[0001]本技术涉及半导体封装
,尤其是涉及一种封装基板及集成模块。

技术介绍

[0002]随着电子产品往高集成度方向的不断发展,封装基板的尺寸也随着产品需求不断增大,而传统的封装基板的刚性较低,随着封装基板的尺寸逐渐增大,基板在加工过程中的翘曲现象也更加严重,降低了产品良率。同时,随着基板上的线路布线越来越复杂,基板上所需的金属过孔的数量也越来越多,现有的封装基板无法满足高密度过孔的产品需求。

技术实现思路

[0003]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本技术提出了一种封装基板,能够满足高密度过孔的产品需求。
[0004]根据本技术实施例的封装基板,包括:
[0005]基板,所述基板具有至少一个贯穿所述基板的第一通孔;
[0006]绝缘层,所述绝缘层覆盖在所述基板的上表面和下表面,并填充所述第一通孔;
[0007]第一金属线路,设置于所述绝缘层的上表面;
[0008]第二金属线路,设置于所述绝缘层的下表面,所述第一金属线路与所述第二金属线路通过贯穿所述绝缘层的金属导通孔实现电性连接;其中,所述金属导通孔位于所述第一通孔内,且至少一个所述第一通孔的内部具有两个所述金属导通孔。
[0009]根据本技术的一些实施例,所述绝缘层采用的材料为含玻纤的有机或无机混合树脂。
[0010]根据本技术的一些实施例,所述第一通孔呈8字形,所述第一通孔内具有两个相对设置的所述金属导通孔。
[0011]根据本技术的一些实施例,所述基板采用的是铜板。
[0012]根据本技术的一些实施例,所述基板的厚度为75μm

300μm。
[0013]根据本技术的一些实施例,所述绝缘层的上表面设置有第一绝缘介质层,所述第一绝缘介质层的上表面设置有第三金属线路,所述第三金属线路与所述第一金属线路通过设置在所述第一绝缘介质层内部的第一层间过孔和/或第一层间线路实现电性连接。
[0014]根据本技术的一些实施例,所述绝缘层的下表面设置有第二绝缘介质层,所述第二绝缘介质层的下表面设置有第四金属线路,所述第四金属线路与所述第二金属线路通过设置在所述第二绝缘介质层内部的第二层间过孔和/或第二层间线路实现电性连接。
[0015]根据本技术的一些实施例,所述第一绝缘介质层和所述第二绝缘介质层所采用的材料为环氧树脂、ABF或PID材料。
[0016]另一方面,根据本技术实施例的集成模块,包括上述方面实施例所述的封装基板。
[0017]根据本技术实施例的封装基板和集成模块,至少具有如下有益效果:通过在
第一通孔内形成两个金属导通孔,能够有效提升基板上的过孔密度,满足封装基板高集成度和小型化工艺的需求。
[0018]本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0019]本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
[0020]图1为本技术一种实施例的封装基板的结构示意图;
[0021]图2为本技术实施例的封装基板加工过程的中间结构示意图之一;
[0022]图3为本技术实施例的封装基板加工过程的中间结构示意图之二;
[0023]图4为本技术实施例的封装基板加工过程的中间结构示意图之三;
[0024]图5为本技术实施例的封装基板加工过程的中间结构示意图之四;
[0025]图6为本技术实施例的封装基板加工过程的中间结构示意图之五;
[0026]图7为本技术实施例的封装基板加工过程的中间结构示意图之六;
[0027]图8为本技术实施例的第一通孔和金属导通孔的结构示意图;
[0028]图9为本技术另一种实施例的封装基板的结构示意图;
[0029]附图标记:
[0030]基板100、第一通孔110、绝缘层200、第一金属层300、第一金属线路310、第二金属层400、第二金属线路410、金属导通孔500、第一绝缘介质层600、第一层间过孔610、第一层间线路620、第三金属线路700、第二绝缘介质层800、第二层间过孔810、第二层间线路820、第四金属线路900。
具体实施方式
[0031]本部分将详细描述本技术的具体实施例,本技术之较佳实施例在附图中示出,附图的作用在于用图形补充说明书文字部分的描述,使人能够直观地、形象地理解本技术的每个技术特征和整体技术方案,但其不能理解为对本技术保护范围的限制。
[0032]在本技术的描述中,若干的含义是一个或者多个,多个的含义是两个以上,大于、小于、超过等理解为不包括本数,以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
[0033]本技术的描述中,除非另有明确的限定,设置、安装、连接等词语应做广义理解,所属
技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本技术中的具体含义。
[0034]一方面,如图1所示,根据本技术实施例的封装基板,包括基板100、绝缘层200、第一金属线路310和第二金属线路410;基板100具有至少一个贯穿基板100的第一通孔110(参见图3);绝缘层200覆盖在基板100的上表面和下表面,并填充第一通孔110;第一金属线路310设置于绝缘层200的上表面,第二金属线路410设置于绝缘层200的下表面,第一
金属线路310与第二金属线路410通过贯穿绝缘层200的金属导通孔500实现电性连接;其中,金属导通孔500位于第一通孔110内,且至少一个第一通孔110的内部具有两个金属导通孔500(参见图8)。
[0035]为了能够更清楚地描述本技术实施例的封装基板的结构组成,下面参考图1至图7,以一个具体的实施例详细说明本技术实施例的封装基板的制作过程。
[0036]首先,如图2所示,准备一个基板100;在本实施例中,基板100采用的是厚铜板,其厚度在75μm

300μm之间,从而保证基板100的刚性,避免基板100在加工过程中发生翘曲,影响产品良率。需说明的是,基板100也可以采用铝、铁或是其它的金属基材,基板100的实际厚度也不受具体限制。在本示例中,采用厚度为75μm

300μm的铜板,是因为当基板100的厚度小于75μm时,基板100的刚性不足,制作过程中易翘曲变形,良率较低;当基板100的厚度大于300μm时,则后续制程中的蚀刻和机械钻孔能力受厚度限制,操作难度较大,成本较高。
[0037]随后,如图3所示,在基板1本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装基板,其特征在于,包括:基板,所述基板具有至少一个贯穿所述基板的第一通孔;绝缘层,所述绝缘层覆盖在所述基板的上表面和下表面,并填充所述第一通孔;第一金属线路,设置于所述绝缘层的上表面;第二金属线路,设置于所述绝缘层的下表面,所述第一金属线路与所述第二金属线路通过贯穿所述绝缘层的金属导通孔实现电性连接;其中,所述金属导通孔位于所述第一通孔内,且至少一个所述第一通孔的内部具有两个所述金属导通孔。2.根据权利要求1所述的封装基板,其特征在于,所述第一通孔呈8字形,所述第一通孔内具有两个相对设置的所述金属导通孔。3.根据权利要求1所述的封装基板,其特征在于,所述基板采用的是铜板。4.根据权利要求3所述的封装基板,其特征在于,所述基板的厚度为75μm

300μm。5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈先明徐小伟黄聚尘黄本霞黄高张东锋
申请(专利权)人:珠海越亚半导体股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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