一种半导体结构制造技术

本公开提供一种半导体结构，包括堆叠结构，堆叠结构包括堆叠设置的多个半导体裸片，各个半导体裸片均包括：第一基体；设置于第一基体上的通道；贯穿第一基体的至少一个第一辅助穿通电极和多个连接穿通电极，至少一个第一辅助穿通电极由多个连接穿通电极包围设置；相邻半导体裸片的连接穿通电极通过第一电连接结构连接，以形成多条相互隔绝的传输路径，每一条传输路径均通过其上的至少一个连接穿通电极连接至少一个通道。这种布置方式既能够保证第一辅助穿通电极的散热作用，又能够使得半导体裸片上的穿通电极的布置更加紧凑，从而减小穿通电极的占用面积，以减小半导体结构的体积。积。积。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构。

技术介绍

[0002]为了满足集成电路的微型化和效率提升要求，封装技术不断提高，采用堆叠封装技术形成的层叠式存储器件能够有效地利用芯片面积，提高存储容量。层叠式存储器件中的各个半导体裸片之间通常通过穿通电极实现电连接，以实现高性能和高集成度的半导体装置。
[0003]然而，上述的层叠式存储器件存在着穿通电极占用区域较大，影响层叠式存储器件的结构紧凑性。

技术实现思路

[0004]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0005]本公开提供一种半导体结构。
[0006]根据本公开实施例，提供一种半导体结构，包括堆叠结构，所述堆叠结构包括堆叠设置的多个半导体裸片，各个所述半导体裸片均包括：
[0007]第一基体；
[0008]设置于所述第一基体上的通道；
[0009]贯穿所述第一基体的至少一个第一辅助穿通电极和多个连接穿通电极，其中，至少一个所述第一辅助穿通电极由多个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括堆叠结构，所述堆叠结构包括堆叠设置的多个半导体裸片，各个所述半导体裸片均包括：第一基体；设置于所述第一基体上的通道；贯穿所述第一基体的至少一个第一辅助穿通电极和多个连接穿通电极，其中，至少一个所述第一辅助穿通电极由多个所述连接穿通电极包围设置；其中，相邻所述半导体裸片的连接穿通电极通过第一电连接结构连接，以形成多条相互隔绝的传输路径，每一条所述传输路径均通过其上的至少一个连接穿通电极连接至少一个所述通道。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在一个所述半导体裸片中，所述多个连接穿通电极形成至少一个穿通电极环，每个所述穿通电极环内布置至少一个所述第一辅助穿通电极。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，每个所述半导体裸片上设置有至少两个所述通道和至少两个穿通电极组，每个所述穿通电极组包括多个所述连接穿通电极，至少两个所述穿通电极组中的连接穿通电极围绕至少一个所述第一辅助穿通电极交错布置；所述多条相互隔绝的传输路径形成至少两个传输路径组，同一个所述穿通电极组中的各个连接穿通电极分别位于同一个所述传输路径组的不同传输路径上。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，各所述半导体裸片上的通道的设置位置一一对应，同一所述传输路径组中的各个所述传输路径分别与各所述半导体裸片上位置对应的通道连接。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，与位置对应的所述通道连接的各连接穿通电极的设置位置一一对应。6.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，每个所述半导体裸片上的所述至少两个通道包括第一通道和第二通道，每个所述半导体裸片上的至少两个穿通电极组包括第一穿通电极组和第二穿通电极组，所述第一穿通电极组中的连接穿通电极为第一穿通电极，所述第二穿通电极组中的连接穿通电极为第二穿通电极；在一个所述半导体裸片中，所述第一穿通电极和所述第二穿通电极围绕至少一个所述第一辅助穿通电极交错布置；各所述半导体裸片上的第一穿通电极连接形成一个所述传输路径组，该传输路径组中的传输路径为第一传输路径，每条所述第一传输路径连接一个所述第一通道；各所述半导体裸片上的第二穿通电极连接形成一个所述传输路径组，该传输路径组中的传输路径为第二传输路径，每条所述第二传输路径连接一个所述第二通道...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨正杰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：