本发明专利技术涉及高频装置和多赫蒂放大装置。本发明专利技术提供能小型化的高频装置。高频装置具备：金属基底(10)；电介质基板(30)，搭载于所述金属基底(10)上；绝缘体层，设于所述金属基底(10)上并覆盖所述电介质基板(30)，介电常数比所述电介质基板(30)的介电常数小；以及线路(19a)，从所述绝缘体层的厚度方向观察时与所述电介质基板(30)重叠，设于所述绝缘体层的上表面，形成第一微带线路(Z1)。形成第一微带线路(Z1)。形成第一微带线路(Z1)。
【技术实现步骤摘要】
高频装置和多赫蒂放大装置
[0001]本专利技术涉及高频装置和多赫蒂放大装置。
技术介绍
[0002]已知一种高频装置，将电路元件和半导体芯片面朝上安装于在金属基底上设有绝缘性框体的封装件中的金属基底上，并使用接合线将绝缘性框体上的图案与半导体芯片电连接(例如专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2019－176149号公报
[0006]在专利文献1中，高频信号在接合线中传输，因此高频特性会劣化。考虑使用微带线路来作为传输线路，但线路会变大，从而高频装置会大型化。
技术实现思路
[0007]本公开是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提供一种能小型化的高频装置和多赫蒂放大装置。
[0008]本公开的一个实施方式是高频装置，具备：金属基底；电介质基板，搭载于所述金属基底上；绝缘体层，设于所述金属基底上并覆盖所述电介质基板，介电常数比所述电介质基板的介电常数小；以及第一线路，从所述绝缘体层的厚度方向观察时与所述电介质基板重叠，设于所述绝缘体层的上表面，形成第一微带线路。
[0009]本公开的一个实施方式是多赫蒂放大装置，具备：分配器，对高频信号进行分配；主放大器，对所述分配器分配后的高频信号的一方进行放大；峰值放大器，对所述分配器分配后的高频信号的另一方进行放大；合成器，对所述主放大器放大后的高频信号与所述峰值放大器放大后的高频信号进行合成；金属基底；第一半导体芯片，搭载于所述金属基底上，形成有所述主放大器；第二半导体芯片，搭载于所述金属基底上，形成有所述峰值放大器；电介质基板，搭载于所述金属基底上，在上表面形成有第一导电体图案，在下表面形成有第二导电体图案，由所述第一导电体图案和所述第二导电体图案形成微带线路；绝缘体层，设于所述金属基底上并覆盖所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片以及所述电介质基板，介电常数比所述电介质基板的介电常数小；第一布线，设于所述绝缘体层的上表面，将所述第一半导体芯片中的所述主放大器的输出电极与所述微带线路的第一端电连接；以及第二布线，设于所述绝缘体层的上表面，将所述微带线路的第二端与所述合成器电连接。
[0010]专利技术效果
[0011]根据本公开，能提供一种能小型化的高频装置和多赫蒂放大装置。
附图说明
[0012]图1是实施例1的高频装置的电路图。
[0013]图2是实施例1的高频装置的俯视图。
[0014]图3是图2的A
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A剖视图。
[0015]图4是图2的B
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B剖视图。
[0016]图5是比较例1的高频装置的剖视图。
[0017]图6是比较例2的高频装置的剖视图。
[0018]图7是实施例1的变形例1的高频装置的俯视图。
[0019]图8是实施例1的变形例2的高频装置的俯视图。
[0020]图9是实施例2的放大装置的框图。
[0021]图10是实施例2的放大装置的电路图。
[0022]图11是实施例2的放大装置的电路图。
[0023]图12是实施例2的放大装置的侧视图。
[0024]图13是图12的A
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A剖视图。
[0025]图14是实施例2的放大装置的俯视图。
[0026]图15是图14的A
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A剖视图。
[0027]图16是实施例2中的无源元件20c附近的俯视图。
[0028]图17是实施例2中的无源元件20d附近的俯视图。
[0029]图18是实施例2中的半导体芯片22a附近的俯视图。
[0030]图19是图18的A
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A剖视图。
[0031]图20是实施例2中的半导体芯片22b附近的俯视图。
[0032]图21是实施例2中的半导体芯片22c附近的俯视图。
[0033]附图标记说明
[0034]10：金属基底；
[0035]10a：端子；
[0036]11：引线框架；
[0037]12、26：绝缘体层；
[0038]14a、14b：贯通电极；
[0039]16：柱；
[0040]18、32、38、39：金属层；
[0041]18a～18c、18f：布线；
[0042]18d：布线(第一布线)；
[0043]18e：布线(第二布线)；
[0044]19a、19c～19e：线路；
[0045]20a～22d：无源元件；
[0046]22a～22c：半导体芯片；
[0047]24：电子部件；
[0048]25：电极；
[0049]30：电介质基板；
[0050]33a：导电体图案(第一导电体图案)；
[0051]33b：导电体图案(第三导电体图案)；
[0052]34：导电体图案(第二导电体图案)；
[0053]33c～33g：导电体图案；
[0054]36：基板；
[0055]37：半导体层；
[0056]38a：栅极电极；
[0057]38b：漏极电极；
[0058]60～65：匹配电路；
[0059]66：分配器；
[0060]67：合成器；
[0061]68、69：移相器；
[0062]100、102、104、110、112：高频装置；
[0063]106：放大装置；
[0064]C101：电容器(第一电容器)；
[0065]C102：电容器(第二电容器)；
[0066]Z1、Z3：传输线路(微带线路)；
[0067]Q2：晶体管(主放大器)；
[0068]Q3：晶体管(峰值放大器)。
具体实施方式
[0069][本公开的实施方式的说明][0070]首先，列举本公开的实施方式的内容来进行说明。
[0071](1)本公开的一个实施方式是高频装置，具备：金属基底；电介质基板，搭载于所述金属基底上；绝缘体层，设于所述金属基底上并覆盖所述电介质基板，介电常数比所述电介质基板的介电常数小；以及第一线路，从所述绝缘体层的厚度方向观察时与所述电介质基板重叠，设于所述绝缘体层的上表面，形成第一微带线路。由此，能提供一种能小型化的高频装置。
[0072](2)优选的是，所述电介质基板具备设于上表面的第一导电体图案，所述第一线路电连接于所述第一导电体图案。
[0073](3)优选的是，所述电介质基板具备设于下表面并与所述金属基底接合的第二导电体图案，所述第一导电体图案和所述第二导电体图案形成第一电容器。
[0074](4)优选的是，所述电介质基板具备第三导电体图案，该第三导电体图案设于所述电介质基板的上表面并与所述第一导电体图案在所述上表面分离，所述第三导电体图案和所述第二导电体图案形成第二电容器，所述本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高频装置，具备：金属基底；电介质基板，搭载于所述金属基底上；绝缘体层，设于所述金属基底上并覆盖所述电介质基板，介电常数比所述电介质基板的介电常数小；以及第一线路，从所述绝缘体层的厚度方向观察时与所述电介质基板重叠，设于所述绝缘体层的上表面，形成第一微带线路。2.根据权利要求1所述的高频装置，其中，所述电介质基板具备设于上表面的第一导电体图案，所述第一线路电连接于所述第一导电体图案。3.根据权利要求2所述的高频装置，其中，所述电介质基板具备设于下表面并与所述金属基底接合的第二导电体图案，所述第一导电体图案和所述第二导电体图案形成第一电容器。4.根据权利要求3所述的高频装置，其中，所述电介质基板具备第三导电体图案，该第三导电体图案设于所述电介质基板的上表面并与所述第一导电体图案在所述上表面分离，所述第三导电体图案和所述第二导电体图案形成第二电容器，所述第一线路将所述第一导电体图案与所述第三导电体图案电连接。5.根据权利要求1至4中任一项所述的高频装置，其中，所述第一线路中的、从所述绝缘体层的厚度方向观察时不与设于所述电介质基板的上表面的金属层重叠的区域为所述第一线路的1/2以上。6.根据权利要求1至5中任一项所述的高频装置，具备：第二线路，从所述绝缘体层的厚度方向观察时不与所述电介质基板重叠，设于所述绝缘体层的上表面，所述第二线路和所述金属基底形成第二微带线路。7.根据权利要求1至6中任一项所述的高频装置，具备：半导体芯片，设于所述金属基底上，所述绝缘体层覆盖所述半导体芯片。8.根据权利要求7所述的高频装...
【专利技术属性】
技术研发人员：桥长达也，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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