高频装置和多赫蒂放大装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及高频装置和多赫蒂放大装置。本发明专利技术提供能小型化的高频装置。高频装置具备：金属基底(10)；电介质基板(30)，搭载于所述金属基底(10)上；绝缘体层，设于所述金属基底(10)上并覆盖所述电介质基板(30)，介电常数比所述电介质基板(30)的介电常数小；以及线路(19a)，从所述绝缘体层的厚度方向观察时与所述电介质基板(30)重叠，设于所述绝缘体层的上表面，形成第一微带线路(Z1)。形成第一微带线路(Z1)。形成第一微带线路(Z1)。

【技术实现步骤摘要】
高频装置和多赫蒂放大装置


[0001]本专利技术涉及高频装置和多赫蒂放大装置。

技术介绍

[0002]已知一种高频装置，将电路元件和半导体芯片面朝上安装于在金属基底上设有绝缘性框体的封装件中的金属基底上，并使用接合线将绝缘性框体上的图案与半导体芯片电连接(例如专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2019－176149号公报
[0006]在专利文献1中，高频信号在接合线中传输，因此高频特性会劣化。考虑使用微带线路来作为传输线路，但线路会变大，从而高频装置会大型化。

技术实现思路

[0007]本公开是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提供一种能小型化的高频装置和多赫蒂放大装置。
[0008]本公开的一个实施方式是高频装置，具备：金属基底；电介质基板，搭载于所述金属基底上；绝缘体层，设于所述金属基底上并覆盖所述电介质基板，介电常数比所述电介质基板的介电常数小；以及第一线路，从所述绝缘体层的厚度方向观察时与所述电介质基板重叠，设于所述绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高频装置，具备：金属基底；电介质基板，搭载于所述金属基底上；绝缘体层，设于所述金属基底上并覆盖所述电介质基板，介电常数比所述电介质基板的介电常数小；以及第一线路，从所述绝缘体层的厚度方向观察时与所述电介质基板重叠，设于所述绝缘体层的上表面，形成第一微带线路。2.根据权利要求1所述的高频装置，其中，所述电介质基板具备设于上表面的第一导电体图案，所述第一线路电连接于所述第一导电体图案。3.根据权利要求2所述的高频装置，其中，所述电介质基板具备设于下表面并与所述金属基底接合的第二导电体图案，所述第一导电体图案和所述第二导电体图案形成第一电容器。4.根据权利要求3所述的高频装置，其中，所述电介质基板具备第三导电体图案，该第三导电体图案设于所述电介质基板的上表面并与所述第一导电体图案在所述上表面分离，所述第三导电体图案和所述第二导电体图案形成第二电容器，所述第一线路将所述第一导电体图案与所述第三导电体图案电连接。5.根据权利要求1至4中任一项所述的高频装置，其中，所述第一线路中的、从所述绝缘体层的厚度方向观察时不与设于所述电介质基板的上表面的金属层重叠的区域为所述第一线路的1/2以上。6.根据权利要求1至5中任一项所述的高频装置，具备：第二线路，从所述绝缘体层的厚度方向观察时不与所述电介质基板重叠，设于所述绝缘体层的上表面，所述第二线路和所述金属基底形成第二微带线路。7.根据权利要求1至6中任一项所述的高频装置，具备：半导体芯片，设于所述金属基底上，所述绝缘体层覆盖所述半导体芯片。8.根据权利要求7所述的高频装...

【专利技术属性】
技术研发人员：桥长达也，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：