半导体器件制造技术

本公开实施例涉及一种半导体器件。该半导体器件包括衬底和半导体封装件，半导体封装件位于衬底上，半导体封装件包括上层电路、下层电路，以及位于上层电路和下层电路之间的第一电子元件，该半导体器件还包括第一电源桥接件，第一电源桥接件的一端连接衬底，另一端连接上层电路，使得第一电源桥接件、上层电路构成向第一电子元件传输电源信号的第一供电路径。本发明专利技术的目的在于提供一种半导体器件以至少实现减少电信号损耗。少实现减少电信号损耗。少实现减少电信号损耗。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件


[0001]本专利技术的实施例涉及半导体器件。

技术介绍

[0002]随着晶体管尺寸不断缩小，单一芯片所含的晶体管数量大幅增加，在有限的面积下，所需要的输入/输出(I/O)数量增加，微凸块(μbump)的尺寸(size)和节距(pitch)持续缩小，使得装配(assembly)困难度增加，而芯片上的线路密度变高，使得干扰更为严重。另外，线路宽度变窄也将增加信号与电源传输的损耗。

技术实现思路

[0003]针对相关技术中存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种半导体器件，以至少实现减少电信号损耗。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供了一种半导体器件，包括：衬底；半导体封装件，位于衬底上，半导体封装件包括上层电路、下层电路，以及位于上层电路和下层电路之间的第一电子元件；第一电源桥接件，第一电源桥接件的一端连接衬底，另一端连接上层电路，使得第一电源桥接件、上层电路构成向第一电子元件传输电源信号的第一供电路径。
[0005]在一些实施例中，优选地，第一电子元件的有源面面向上层电路，第一电子元件的无源面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；半导体封装件，位于所述衬底上，所述半导体封装件包括上层电路、下层电路，以及位于所述上层电路和所述下层电路之间的第一电子元件；第一电源桥接件，所述第一电源桥接件的一端连接所述衬底，另一端连接所述上层电路，使得所述第一电源桥接件、所述上层电路构成向所述第一电子元件传输电源信号的第一供电路径。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电子元件的有源面面向所述上层电路，所述第一电子元件的无源面面向所述下层电路。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一供电路径将所述电源信号传递至所述第一电子元件的所述无源面。4.根据权利要求2或3所述的半导体器件，其特征在于，还包括：第一导电柱，位于所述第一电子元件的所述无源面和所述下层电路之间并将所述无源面电连接至所述下层电路，非电源信号从所述第一电子元件依次经过所述第一导电柱、所述下层电路传递至所述衬底。5.根据权利要求2或3所述的半导体器件，其特征在于，还包括：输入/输出管芯，位于所述第一电子元件的所述无源面和所述下层电路之间并将所述无源面电连接至所述下层电路，非电源信号从所述第一电子元件依次经过所述输入/输出管芯、所述下层电路传递至所述衬底。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：深沟槽电容器，位于所述第一电子元件和所述上层电路之间，所述电源信号从所述衬底依次经过所述第一电源桥接件、所述上层电路和所述深沟槽电容器传递至所述第一电子元件。7....

【专利技术属性】
技术研发人员：孔政渊，王永林，林弘毅，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：