【技术实现步骤摘要】
本公开涉及电镀，尤其涉及一种具有断电流的电镀方法。
技术介绍
1、镭射对钻孔的填孔一直为业界难题。例如，ic封装基板(ic package substrate，简称ic载板)的核心(core)层通孔在电镀液进入孔内后，通过电解析出铜以填充通孔形成通孔柱。在常规的垂直连续电镀(vertical conveyor plating，简写vcp)生产过程中，因孔口位置抑制不足或促进过度、中间(孔腰)位置玻纤凹凸不平等原因会导致孔口和孔腰两个位置的镀铜沉积速率有差异，而孔口和孔腰的沉积速率决定了通孔镀铜的效果，当孔口沉积速率快，孔腰沉积速率慢的时候，会引起孔口位置提前封口从而在通孔柱中形成空洞。这种空洞会直接影响产品的信号传输和稳定性，需要尽量避免。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开的目的在于提出一种具有断电流的电镀方法。
2、基于上述目的，本公开提供了一种具有断电流的电镀方法，包括：
3、控制具有待电镀填充通孔的产品依次经过按顺序排列的多个电镀缸；
4、其中，在非首位的电镀缸中，至少一电镀缸的电流为微断电流。
5、在一些实施例中，所述微断电流的电流密度≥0.0asd且≤0.40asd。
6、在一些实施例中，所述至少一电镀缸彼此间隔。
7、在一些实施例中，所述至少一电镀缸的电流密度相同或者不同。
8、在一些实施例中，所述至少一电镀缸的电流密度≥0.25asd且≤0.35asd。
9、在一些实施例
10、在一些实施例中，所述首位电镀缸的电流密度≥1.9asd。
11、在一些实施例中，第二电镀缸的电流为微断电流。
12、在一些实施例中，所述至少一电镀缸位于所述多个电镀缸序列的中间。
13、在一些实施例中，所述多个电镀缸的数量是八个；第四个电镀缸的电流密度为≥0.0asd且≤0.20asd；和/或
14、前三个电镀缸的电流密度为0.5～1.1asd；和/或后四个电镀缸的电流密度为1.5～2.1asd。
15、在一些实施例中，所述产品选自ic封装基板、pcb板中的至少一者。
16、从上面所述可以看出，本公开提供的具有断电流的电镀方法，通过在非首位的电镀缸中设置至少一电镀缸的电流为微断电流，抑制电镀液快速沉积，打破初始电沉积，降低孔内各位置(如孔口和孔腰处)的沉积速率差异，从而达到改善通孔柱中空洞的效果。
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1.一种具有断电流的电镀方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的分段电镀方法，其特征在于，所述微断电流的电流密度≥0.0ASD且≤0.40ASD。
3.根据权利要求1所述的电镀方法，其特征在于，所述至少一电镀缸彼此间隔；和/或所述至少一电镀缸的电流密度相同或者不同。
4.根据权利要求2所述的电镀方法，其特征在于，所述至少一电镀缸的电流密度≥0.25ASD且≤0.35ASD。
5.根据权利要求1所述的电镀方法，其特征在于，所述多个电镀缸中，首位电镀缸的电流密度最大。
6.根据权利要求5所述的电镀方法，其特征在于，所述首位电镀缸的电流密度≥1.9ASD。
7.根据权利要求5所述的电镀方法，其特征在于，第二电镀缸的电流为微断电流。
8.根据权利要求1所述的电镀方法，其特征在于，所述至少一电镀缸位于所述多个电镀缸序列的中间。
9.根据权利要求1所述的电镀方法，其特征在于，所述多个电镀缸的数量是八个；第四个电镀缸的电流密度为≥0.0ASD且≤0.20ASD；和/或
10.根
...【技术特征摘要】
1.一种具有断电流的电镀方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的分段电镀方法，其特征在于，所述微断电流的电流密度≥0.0asd且≤0.40asd。
3.根据权利要求1所述的电镀方法，其特征在于，所述至少一电镀缸彼此间隔；和/或所述至少一电镀缸的电流密度相同或者不同。
4.根据权利要求2所述的电镀方法，其特征在于，所述至少一电镀缸的电流密度≥0.25asd且≤0.35asd。
5.根据权利要求1所述的电镀方法，其特征在于，所述多个电镀缸中，首位电镀缸的电流密度最大。
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈先明，李志丹，彭建，
申请(专利权)人：珠海越亚半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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