晶圆电镀装置以及电镀工艺中的清洗方法制造方法及图纸

本申请提供了一种晶圆电镀装置及电镀工艺中的清洗方法，电镀装置包括晶圆夹具、电镀腔保护罩、储液槽、挡水环和喷液器，晶圆夹具适用于晶圆到达甩干高度并以第一速度旋转进行甩干作业，以及带动晶圆到达冲洗高度并以第二速度旋转进行冲洗作业；电镀腔保护罩的开口沿竖直方向与电镀液液面之间具有第一高度；挡水环设置在储液槽的上方，挡水环的内径沿竖直方向与电镀液液面之间具有第二高度，第二高度大于所甩干高度，并且第二高度小于冲洗高度；喷液器的喷嘴沿竖直方向与电镀液液面之间具有第三高度，喷液器用于向晶圆喷射清洗液以清洗晶圆，第三高度大于第二高度，并且第三高度小于冲洗高度。本申请降低了电镀液的甩出量和落水量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术主要涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆电镀装置以及电镀工艺中的清洗方法。

技术介绍

1、在半导体制造领域，有效的清洗工艺对晶圆的良率至关重要。在晶圆电镀后，需要通过旋转甩干、清洗液清洗等方法去除附着在晶圆以及晶圆夹具上的电镀液。清洗过程中所使用的清洗液一部分被排出电镀腔，一部分会落回到储液槽内(即落水量)，从而使电镀液被稀释。随着电镀腔内清洗工艺次数的增加，电镀液的浓度会逐渐降低，这会影响电镀工艺的稳定性。此外，在旋转甩干过程中，会有部分电镀液被甩出到储液槽外，这一方面会导致电镀液被浪费；另一方面甩出的电镀液会增加污水处理的成本。

2、因此，为了增加电镀工艺的稳定性，以及降低污水处理成本，应减少清洗液的落水量和电镀液的甩出量。

技术实现思路

1、本专利技术要解决的技术问题是提供一种能降低落水量和镀液甩出量的晶圆电镀装置和电镀工艺中的清洗方法。

2、为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种晶圆电镀装置，其特征在于，包括晶圆夹具、电镀腔保护罩、储液槽、挡水环和喷液器，其中，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆电镀装置，其特征在于，包括晶圆夹具、电镀腔保护罩、储液槽、挡水环和喷液器，其中，所述晶圆夹具沿竖直方向可升降地设置在所述电镀腔保护罩的内部空间中，所述晶圆夹具适用于带动所述晶圆到达甩干高度并以第一速度旋转进行甩干作业，以及带动所述晶圆到达冲洗高度并以第二速度旋转进行冲洗作业，所述冲洗高度大于所述甩干高度；所述电镀腔保护罩的开口沿所述竖直方向与所述电镀液液面之间具有第一高度；所述储液槽位于所述电镀腔保护罩的底部，所述储液槽用于容纳所述电镀液；所述挡水环设置在所述储液槽的上方，所述挡水环的内径沿所述竖直方向与所述电镀液液面之间具有第二高度，其中，所述第二高度大于所述甩干高度，并且...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆电镀装置，其特征在于，包括晶圆夹具、电镀腔保护罩、储液槽、挡水环和喷液器，其中，所述晶圆夹具沿竖直方向可升降地设置在所述电镀腔保护罩的内部空间中，所述晶圆夹具适用于带动所述晶圆到达甩干高度并以第一速度旋转进行甩干作业，以及带动所述晶圆到达冲洗高度并以第二速度旋转进行冲洗作业，所述冲洗高度大于所述甩干高度；所述电镀腔保护罩的开口沿所述竖直方向与所述电镀液液面之间具有第一高度；所述储液槽位于所述电镀腔保护罩的底部，所述储液槽用于容纳所述电镀液；所述挡水环设置在所述储液槽的上方，所述挡水环的内径沿所述竖直方向与所述电镀液液面之间具有第二高度，其中，所述第二高度大于所述甩干高度，并且所述第二高度小于所述冲洗高度；所述喷液器设置在所述电镀腔保护罩的侧壁上，所述喷液器的喷嘴沿所述竖直方向与所述电镀液液面之间具有第三高度，所述喷液器用于向所述晶圆喷射清洗液以清洗所述晶圆，其中，所述第三高度大于所述第二高度，并且所述第三高度小于所述冲洗高度。

2.如权利要求1所述的晶圆电镀装置，其特征在于，所述第一高度的范围为180-230mm。

3.如权利要求1所述的晶圆电镀装置，其特征在于，所述电镀腔保护罩的开口具有第一直径，所述挡水环具有第一内径，所述第一内径与所述第一直径的差值大于等于0mm，且小于等于...

【专利技术属性】
技术研发人员：代兰奎，贾照伟，杨宏超，王坚，王晖，
申请(专利权)人：盛美半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：