埋磁器件集成结构及其制作方法技术

本公开提供一种埋磁器件集成结构及其制作方法。具体地，埋磁器件集成结构包括：第一绝缘层；第一线路层，设置于所述第一绝缘层的第一表面；元件和磁器件，分别嵌埋于所述第一绝缘层内，且所述元件的端子和所述磁器件的电极分别连接所述第一线路层；以及第二线路层，设置于所述第一绝缘层的第二表面，通过贯穿所述第一绝缘层的第一导通柱导电连通所述第一线路层；其中所述元件的至少一个端子与所述磁器件的至少一个电极通过所述第一线路层导电连通。这样的技术方案，实现了磁器件和元件同步嵌埋在同一薄绝缘层中的封装基板集成结构，缩小了嵌埋磁器件的嵌埋基板的厚度，简化了工艺流程，实现了埋磁器件封装基板的精细化线路布线。线。线。

【技术实现步骤摘要】
埋磁器件集成结构及其制作方法


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种埋磁器件集成结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着电子技术的日益发展，电子产品的性能要求越来越高，尺寸要求越来越小，从而使电子产品封装基板及封装结构的高密度集成化、小型化是必然趋势；磁性元件微型化趋势推动着实现电子元器件小型化、嵌埋于基板以及封装基板集成工艺技术将成为本领域未来发展的重点方向。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本公开的目的在于提出一种埋磁器件集成结构及其制作方法。
[0004]基于上述目的，第一方面，本公开提供了一种埋磁器件集成结构，包括：
[0005]第一绝缘层；
[0006]第一线路层，设置于所述第一绝缘层的第一表面；
[0007]元件和磁器件，分别嵌埋于所述第一绝缘层内，且所述元件的端子和所述磁器件的电极分别连接所述第一线路层；以及
[0008]第二线路层，设置于所述第一绝缘层的第二表面，通过贯穿所述第一绝缘层的第一导通柱导电连通所述第一线路层；
[0009]其中所述元件的至少一个端子与所述磁器件的至少一个电极通过所述第一线路层导电连通。
[0010]第二方面，本公开实施例还提供一种埋磁器件集成结构的制作方法，包括：
[0011](a)提供一承载板；
[0012](b)在所述承载板上形成线圈、所述线圈上的电极、第一导通柱和牺牲金属块，其中所述线圈平行于所述承载板延伸，所述电极垂直于所述线圈延伸；
[0013](c)叠层压合片状磁性材料和绝缘材料，形成覆盖所述线圈的第一磁性层和覆盖所述第一磁性层的第二绝缘层；其中所述线圈和电极嵌埋于所述第二绝缘层内；
[0014](d)减薄所述第二绝缘层暴露出所述电极、所述第一导通柱和所述牺牲金属块；
[0015](e)移除所述承载板，蚀刻暴露的牺牲金属块形成嵌埋元件的腔体；
[0016](f)在所述第二绝缘层暴露出所述线圈的表面形成黏结层，将元件置于所述腔体内且通过所述黏结层固定所述元件的端子；
[0017](g)在所述第二绝缘层暴露出所述第一磁性层的表面上叠层压合片状磁性材料和绝缘材料，形成在所述第一磁性层上的第二磁性层和在所述第二磁性层上的第三绝缘层；
[0018](h)移除所述黏结层；
[0019](i)在所述第二绝缘层的表面上形成第一线路层，在所述第三绝缘层的表面上形成第二线路层；其中，所述第一导通柱用于导通连接所述第一线路层和第二线路层。
[0020]从上面所述可以看出，本公开提供的一种埋磁器件集成结构及其制作方法的技术
方案，实现了磁器件和元件同步嵌埋在同一薄绝缘层中的封装基板集成结构，实现了磁器件与元件的同层嵌埋，极大地缩小了嵌埋磁器件的嵌埋基板的厚度，同时简化了工艺流程，提升了产品生产效率，减低了生产成本，实现了埋磁器件封装基板的精细化线路布线。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本公开或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中，为了更好地理解和易于描述，可以夸大一些层和区域的厚度和形状。
[0022]图1(a)～1(q)示出本公开一个实施例的埋磁器件集成结构的制作方法的各步骤中间结构的截面示意图；
[0023]图2为本公开实施例提供的一个埋磁器件集成结构的结构示意图。
具体实施方式
[0024]为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本公开进一步详细说明。
[0025]需要说明的是，除非另外定义，本公开实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。除非这些术语与术语“紧接地”或“直接地”一起使用，否则一个或更多个部件可以位于两个部件之间。
[0026]目前，为了满足产品小型化发展的趋势，磁性器件在封装中主要分为两种。一种是常规和常见的表面贴装工艺，磁性器件较大，封装后体积较大；另一种是嵌埋在封装基板内部，可减少封装后的体积；这需要先制作一个磁体和金属线圈一体化的磁性元器件，进行分割成单颗器件；再通过贴片的方式将器件贴到基板或封装基板预留的腔体内，进行封装扇出，实现产品微型化发展趋势。
[0027]然而，制作磁性材料和金属线圈一体化器件，分切再进行封装基板贴装，实现磁性器件嵌埋基板结构，制作工艺长而复杂，生产成本高；单颗磁性器件贴装封装基板腔体内，进行封装、扇出布线，因器件引脚和封装基板线路连接存在偏差，不能实现封装基板精细化线路布线。
[0028]鉴于此，本公开实施例第一方面提供一种埋磁器件集成结构的制作方法。图1(a)～1(q)示出本公开一个实施例的埋磁器件集成结构的制作方法的各步骤中间结构的截面示意图。
[0029]所述制作方法包括如下步骤：提供一承载板100
‑
步骤(a)，如图1(a)所示。承载板
100包括第一种子层101、第一金属102和第二金属层103。可选地，第一种子层101的材料是钛，第一金属102和第二金属层103的材料是铜。
[0030]可选地，第一金属102和第二金属层102物理结合，便于分板工艺技术的实现。
[0031]需要说明的是，第一种子层101在这里可以省略，待需要时(例如步骤b之前)通过沉积形成，本公开对此不做限定。
[0032]接着，在承载板100上形成线圈201、电极202、第一导通柱203和牺牲金属块204—步骤(b)，如图1(b)～图1(f)所示。
[0033]下面结合图1(b)～图1(f)，对步骤(b)进行示例性说明。具体地，步骤(b)包括：首先，如图1(b)所示，(b1)在第一种子层101上形成包括第一图案的第一光阻层。这里，第一光阻层可以通过涂布或压合光阻材料，经曝光、显影形成。接着，如图1(c)所示，(b2)电镀填充第一图案，形成线圈201以及部分电极、部分第一导通柱和部分牺牲金属块。然后，如图1(d)所示，(b3)在第一光阻层上形成包括第二图案的第二光阻层，这里，第二光阻层的形成方式和第一光阻层类似，不再详述。接着，如图1(e)所示，(b4)电镀填充第二图案，形成电极202、第一导通柱203本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种埋磁器件集成结构，其特征在于，包括：第一绝缘层；第一线路层，设置于所述第一绝缘层的第一表面；元件和磁器件，分别嵌埋于所述第一绝缘层内，且所述元件的端子和所述磁器件的电极分别连接所述第一线路层；以及第二线路层，设置于所述第一绝缘层的第二表面，通过贯穿所述第一绝缘层的第一导通柱导电连通所述第一线路层；其中所述元件的至少一个端子与所述磁器件的至少一个电极通过所述第一线路层导电连通。2.根据权利要求1所述的埋磁器件集成结构，其特征在于，第一绝缘层包括层叠在一起的第二绝缘层和第三绝缘层；所述第二绝缘层和所述第三绝缘层的材料相同或者不同。3.根据权利要求2所述的埋磁器件集成结构，其特征在于，位于所述元件和所述磁器件端子侧的第二绝缘层的材料为包含玻纤的树脂材料；位于所述元件和所述磁器件背面的第三绝缘层的材料为不含玻纤的树脂材料。4.根据权利要求1所述的埋磁器件集成结构，其特征在于，所述磁器件包括线圈，其中所述线圈在垂直于所述第一绝缘层高度的方向延伸。5.根据权利要求4所述的埋磁器件集成结构，其特征在于，所述磁器件还包括磁性层，所述线圈嵌埋于所述磁性层内，其中所述电极从所述线圈垂直延伸穿过所述磁性层直至所述第一线路层，所述磁器件包括至少两个电极。6.根据权利要求1所述的埋磁器件集成结构，其特征在于，还包括：第四绝缘层，分别设置于所述第一线路层和所述第二线路层上；以及第三线路层，分别设置于所述第四绝缘层的两个表面上且通过贯穿所述第四绝缘层的第二导通柱分别导电连通所述第一线路层和所述第二线路层。7.根据权利要求6所述的埋磁器件集成结构，其特征在于，还包括：阻焊层，设置于所述第四绝缘层上且通过阻焊开窗暴露出部分所述第三线路层。8.一种埋磁器件集成结构的制作方法，其特征在于，包括：(a)提供一承载板；(b)在所述承载板上形成线圈、所述线圈上的电极、第一导通柱和牺牲金属块，其中所述线圈平行于所述承载板延伸，所述电极垂直于所述线圈延伸；(c)叠层压合片状磁性材料和绝缘材料，形成覆盖所述线圈的第一磁性层和覆盖所述第一磁性层的第二绝缘层；其中所述线圈和电极嵌埋于所述第二绝缘层内；(d)减薄所述第二绝缘层暴露出所述电极、所述第一导通柱和所述牺牲金属块；(e)移除所述承载板，蚀刻暴露的牺牲金属块形成嵌...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈先明，徐小伟，洪业杰，黄本霞，黄高，
申请(专利权)人：珠海越亚半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：