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本申请公开了一种混合嵌埋封装结构及其制作方法，该结构包括：基板，基板设置有第一绝缘层、导通铜柱、埋芯空腔和第一线路层；第一电子器件，设置在埋芯空腔内部，端子面朝向基板底面；第二电子器件，设置在第一电子器件的背面，端子面朝基板顶面；第二绝缘层...
该专利属于珠海越亚半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海越亚半导体股份有限公司授权不得商用。

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