【技术实现步骤摘要】
衬底结构和其形成方法以及半导体封装结构
[0001]本公开涉及一种衬底结构，并且更具体地涉及一种包含不同大小的电子组件的衬底结构。
技术介绍
[0002]智能系统的日益复杂性提高了IC集成的重要性。用于制造具有较小尺寸的半导体封装结构的主要方法之一是将有源装置和无源装置嵌入到衬底中。利用此类嵌入式衬底，可以减少导电传递路径，因此可以减少功率损耗。
[0003]然而，当嵌入不同大小的电子组件时，可能需要纵横比(aspect ratio)较大的通孔，这增加了如激光钻孔或电镀等制造工艺的难度。另外，电子组件的两个相对侧上的端子可能位于距衬底邻近表面不同距离的位置，且具有不同的直径，这对半导体封装结构的布局设计产生不利影响，并且不利于阻抗匹配。
技术实现思路
[0004]在一些实施例中，一种衬底结构包含衬底、第一电子组件、第二电子组件以及多个金属层。所述第一电子组件安置在所述衬底内。所述第二电子组件安置在所述衬底内并且与所述第一电子组件一起在水平方向上排列。所述金属层安置在所述衬底的上表面上方。所述第一电子组...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种衬底结构，其包括：衬底；第一电子组件，所述第一电子组件安置在所述衬底内；第二电子组件，所述第二电子组件安置在所述衬底内并且与所述第一电子组件一起在水平方向上排列；以及多个金属层，所述多个金属层安置在所述衬底的上表面的上方，其中所述第一电子组件上方的金属层的数量大于所述第二电子组件上方的金属层的数量。2.根据权利要求1所述的衬底结构，其中所述第一电子组件和所述第二电子组件由所述衬底彼此分离。3.根据权利要求1所述的衬底结构，其中所述第一电子组件的厚度小于所述第二电子组件的厚度。4.根据权利要求1所述的衬底结构，其中所述金属层包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层覆盖所述第一电子组件，所述第二金属层覆盖所述第一电子组件、所述第一金属层和所述第二电子组件。5.根据权利要求4所述的衬底结构，其中所述第一金属层的厚度大于所述第二金属层的厚度。6.根据权利要求1所述的衬底结构，其中所述衬底的厚度基本上等于所述第一电子组件的厚度。7.根据权利要求6所述的衬底结构，其中所述衬底的所述厚度小于所述第二电子组件的厚度。8.根据权利要求1所述的衬底结构，其中所述第一电子组件上方的金属层的数量等于所述衬底上方的金属层的数量。9.根据权利要求4所述的衬底结构，其中所述第二电子组件包括第一端子，所述第一端子安置在所述第二电子组件的上表面上，并且所述第二电子组件的所述第一端子与所述第一金属层基本上共面。10.根据权利要求1所述的衬底结构，其中所述第一电子组件的水平中心轴线与所述第二电子组件的水平中心轴线基本上共面。11.根据权利要求1所述的衬底结构，其中所述衬底结构具有第一部分，所述第一部分位于所述第一电子组件的垂直投影方向处，并且所述衬底结构的所述第一部分相对于所述第一电子组件的水平中心轴线对称。12.根据权利要求11所述的衬底结构，其中所述衬底结构具有第二部分，所述第二部分位于所述第二电子组件的垂直投影方向处，并且所述衬底结构的所述第二部分相对于所述第二电子组件的水平中心轴线对称。13.根据权利要求1所述的衬底结构，其中所述第一电子组件的上表面与所述衬底结构的上表面之间的距离基本上等于所述第一电子组件的下表面与所述衬底结构的下表面之间的距离。14.一种半导体封装结构，其包括：衬底结...
【专利技术属性】
技术研发人员：许武州，陈敏尧，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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