半导体封装装置及其制造方法制造方法及图纸

本公开提供了半导体封装装置及其制造方法，通过在内埋线路基板中设置内埋元件区域和结构支撑区域，在内埋元件区域内设置内埋功能元件，在结构支撑区域内设置有结构支撑件，相对于现有技术中只在内埋线路基板中设置一个腔体且在这个腔体内设置所有内埋功能元件而言，通过内埋元件区域和结构支撑区域的配合，可以减少内埋元件区域的体积，即用于容纳内埋功能元件的容纳腔体的体积，进而减少内埋元件区域内填充胶的数量，以减少填充胶与基板之间脱层的风险。另外，结构支撑区域设置的结构支撑件还可以提高内埋线路基板的刚性，进而降低产品翘曲、脱层、断裂等风险，提高产品良率。提高产品良率。提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装装置及其制造方法


[0001]本公开涉及半导体封装
，具体涉及半导体封装装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着智能移动终端的发展，其功能越来越多样，相应地IC(Integrated Circuit，集成电路)整合便更加重要。为了是产品尺寸更小，将主动元件(Active components，或称有源元件)和被动元件(Passive components，或称无源元件)埋入基板中是一种主要的做法，埋入基板可以有效减少电传输路径，进一步将功率损耗降低，以便于将各种功能的IC整合成一颗小型的产品封装(Package)。
[0003]为了将元件内埋入基板，需要相应地在基板内设置腔体以容纳内埋元件，并且为了固定腔体内的各内埋元件，需要在容纳腔体内填充胶体。
[0004]由于各种内埋元件、基板本身以及填充胶体之间可能具有不同的CTE(Coefficient of thermal expansion，热膨胀系数)，这将导致产品出现翘曲(Warpage)可能性，而翘曲可能带来气泡(Bubble)、脱层(Delamination)、断裂(Crack)等产品问题。而随着基板内埋元件数量的增多，相应地需要基板内的容纳腔体体积也要相应增大。而容纳腔体体积增大后，需要的填胶量将更多，这将导致更多和更大程度的翘曲、气泡、脱层、断裂等问题，进而降低产品良率。

技术实现思路

[0005]本公开提出了半导体封装装置及其制造方法。
[0006]第一方面，本公开提供了一种半导体封装装置，包括：内埋线路基板，所述内埋线路基板具有第一区域，所述第一区域包括至少一个内埋元件区域和至少一个结构支撑区域，所述内埋元件区域内设置有至少一个内埋功能元件，所述结构支撑区域内设置有结构支撑件。
[0007]在一些可选的实施方式中，所述半导体封装装置还包括：第一基板上线路层，设置于所述内埋线路基板上，且电性连接各所述内埋功能元件。
[0008]在一些可选的实施方式中，所述半导体封装装置还包括：基板下线路层，设置于所述内埋线路基板下，所述基板下线路层通过各所述内埋功能元件电性连接所述第一基板上线路层。
[0009]在一些可选的实施方式中，所述半导体封装装置还包括：第二基板上线路层，设置于所述第一基板上线路层上，所述第二基板上线路层的线宽/线距小于所述第一基板上线路层的线宽/线距。
[0010]在一些可选的实施方式中，所述结构支撑件为设置于所述内埋元件区域内的内埋虚设元件，所述内埋虚设元件被所述内埋元件区域内的内埋功能元件包围。
[0011]在一些可选的实施方式中，所述内埋虚设元件与所述内埋线路基板的基板材料相同。
[0012]在一些可选的实施方式中，所述内埋虚设元件具有电性连接所述内埋虚设元件的上下表面的第一电镀通孔。
[0013]在一些可选的实施方式中，所述结构支撑件为所述内埋线路基板中接触所述内埋元件区域的基板。
[0014]在一些可选的实施方式中，所述半导体封装装置还包括：支撑件区域导电结构，设置于所述内埋线路基板对应所述结构支撑件的上表面和/或下表面，任一所述内埋功能元件与所述支撑件区域导电结构之间的最短距离小于各所述内埋功能元件中任两个内埋功能元件之间的最远距离。
[0015]在一些可选的实施方式中，各所述内埋元件区域内还设置有第一介电层。
[0016]在一些可选的实施方式中，所述第一介电层设置于所述内埋元件区域内的各内埋功能元件之间。
[0017]在一些可选的实施方式中，所述第一介电层还设置于所述内埋元件区域内的各内埋功能元件与各所述结构支撑区域之间。
[0018]在一些可选的实施方式中，所述半导体封装装置还包括：
[0019]阻焊层，设置于所述基板下线路层下表面。
[0020]第二方面，本公开提供了一种制造半导体封装装置的方法，包括：提供核心基板和至少一个内埋功能元件，所述核心基板上下表面分别设置有导电层；在所述核心基板上形成至少一个内埋元件区域和至少一个结构支撑区域；将各所述内埋功能元件分别设置在各所述内埋元件区域内，以及在各所述结构支撑区域内形成结构支撑件。
[0021]在一些可选的实施方式中，所述方法还包括：在所述内埋线路基板上设置第一基板上线路层，以使所述第一基板上线路层电性连接各所述内埋功能元件。
[0022]在一些可选的实施方式中，所述方法还包括：在所述第一基板上线路层上设置第二基板上线路层，以使所述第二基板上线路层电性连接所述第一基板上线路层。
[0023]在一些可选的实施方式中，所述方法还包括：在所述内埋线路基板下设置基板下线路层，以使所述基板下线路层电性连接各所述内埋功能元件。
[0024]为了解决现有内埋线路基板中存在不同CTE材料可能导致的翘曲等产品问题，本公开提供的半导体封装装置和方法，通过在内埋线路基板中设置内埋元件区域和结构支撑区域，在内埋元件区域内设置内埋功能元件，在结构支撑区域内设置有结构支撑件，相对于现有技术中只在内埋线路基板中设置一个腔体且在这个腔体内设置所有内埋功能元件而言，通过内埋元件区域和结构支撑区域的配合，可以减少内埋元件区域的体积，即用于容纳内埋功能元件的容纳腔体的体积，进而减少内埋元件区域内填充胶的数量，以减少填充胶与基板之间脱层的风险。另外，结构支撑区域设置的结构支撑件还可以提高内埋线路基板的刚性，进而降低产品翘曲、脱层、断裂等风险，提高产品良率。
附图说明
[0025]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本公开的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
[0026]图1A是根据本公开的半导体封装装置的一个实施例1a的纵向截面结构示意图；
[0027]图1B是现有技术内埋线路基板的一个实施例的水平截面的结构示意图；
[0028]图1C、1D、1E和1F分别是相对于图1B所示的现有技术中的内埋线路基板对应的、与图1A所示的半导体封装装置1a中内埋线路基板11中第一区域对应的水平截面的不同结构示意图；
[0029]图1G是图1F所示的内埋线路基板11中支撑件区域导电结构11122的一个实施例的纵向截面结构示意图；
[0030]图1H是现有技术内埋线路基板的又一个实施例的水平截面的结构示意图；
[0031]图1I和1J分别是相对于图1H所示的现有技术中的内埋线路基板对应的、与图1A所示的半导体封装装置1a中内埋线路基板中第一区域对应的水平截面的不同结构示意图；
[0032]图1K是图1J所示的内埋虚设元件11112的一个实施例的俯视放大示意图；
[0033]图1L是图1K所示的内埋虚设元件11112中虚设元件导电结构111121的一个实施例的纵向截面结构示意图；
[0034]图1M是图1K所示的内埋虚设元件11112中虚设元件导电结构111121的又一个实施例的纵向截面结构示意图；
[0035]图1N是相对于图1H所示的现有技术中的内本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装装置，包括：内埋线路基板，所述内埋线路基板具有第一区域，所述第一区域包括至少一个内埋元件区域和至少一个结构支撑区域，所述内埋元件区域内设置有至少一个内埋功能元件，所述结构支撑区域内设置有结构支撑件。2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括：第一基板上线路层，设置于所述内埋线路基板上，且电性连接各所述内埋功能元件。3.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括：基板下线路层，设置于所述内埋线路基板下，所述基板下线路层通过各所述内埋功能元件电性连接所述第一基板上线路层。4.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述结构支撑件为设置于所述内埋元件区域内的内埋虚设元件，所述内埋虚设元件被所述内埋元件区域内的内埋功能元件包围。5.根据权利要求4所述的半导体封装装置，其中，所述内埋虚设元件具有电性连接所述内埋虚设元件的上下表面的第一电镀通孔。6.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述结构支撑件为...

【专利技术属性】
技术研发人员：田兴国，李志成，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：