扇出式基板及其形成方法技术

本发明专利技术的实施例提供了一种扇出式基板，包括：基板；扇出层，位于基板上；通孔，穿过扇出层连接至基板，扇出层的上表面以及扇出层的与通孔接触的第二表面上具有裂痕结构。本发明专利技术的目的在于提供一种扇出式基板及其形成方法，以优化扇出式基板的性能。化扇出式基板的性能。化扇出式基板的性能。

【技术实现步骤摘要】
扇出式基板及其形成方法


[0001]本申请的实施例涉及扇出式基板及其形成方法。

技术介绍

[0002]扇出式基板(FOSub)结构中，会先将扇出层粘合至基板，然后进行激光开孔，再进行连接通孔的电镀制程以电性连接扇出层与基板，针对目前的扇出层，由于介电层表面较为平滑，在化镀形成通孔时与金属的结合性不好，易造成剥离(Peeling)问题。若是使用电浆气相沉积法(PVD)则会由于开孔过小，会有后续电镀无法填满的风险。

技术实现思路

[0003]针对相关技术中存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种扇出式基板及其形成方法，以优化扇出式基板的性能。
[0004]为实现上述目的，本专利技术的实施例提供了一种扇出式基板，包括：基板；扇出层，位于基板上；通孔，穿过扇出层连接至基板，扇出层的上表面以及扇出层的与通孔接触的第二表面上具有裂痕结构。
[0005]在一些实施例中，通孔包括接触扇出层的第一种子层，第一种子层填充在扇出层的介电层的第二表面上的裂痕结构内。
[0006]在一些实施例中，在第一种子层和介电层之间包括Pd粒子。
[0007]在一些实施例中，介电层的第一表面上的裂痕结构内具有残留种子层。
[0008]在一些实施例中，第一种子层和残留种子层的材料包括Ni。
[0009]在一些实施例中，Ni与介电层的材料键结。
[0010]在一些实施例中，第一种子层的厚度为0.1μm至0.5μm。
[0011]在一些实施例中，通孔的直径为10μm至50μm。r/>[0012]在一些实施例中，通孔包括贴合于第一种子层的第一金属层以及由第一金属层包围的第二金属层，第一种子层的厚度小于第一金属层的厚度小于等于第二金属层的厚度。
[0013]在一些实施例中，第一金属层和第二金属层包括相同材料。
[0014]本申请的实施例还提供一种形成扇出式基板的方法，包括：形成位于基板上的扇出层；形成穿过扇出层以暴露基板的开孔；对扇出层进行表面粗糙化处理；形成位于开孔中的通孔。
[0015]在一些实施例中，表面粗糙化处理包括浸泡氢氧化钠。
[0016]在一些实施例中，形成通孔包括：使用Ni与扇出层的进行表面粗糙化处理后的介电层进行表面离子键结，以形成位于扇出层上以及开孔中的第一种子层。
[0017]在一些实施例中，在进行表面离子键结之前，在扇出层的进行表面粗糙化处理后的介电层的表面上化镀Pd。
[0018]在一些实施例中，形成通孔还包括：在进行表面离子键结之后，在第一种子层上化镀形成第一金属层。
[0019]在一些实施例中，形成通孔还包括：在第一金属层上覆盖第二金属层；去除位于开孔以外的部分第一种子层、第一金属层和第二金属层。
[0020]在一些实施例中，介电层的上表面上的裂痕结构中的部分第一种子层未被去除。
[0021]在一些实施例中，第一金属层和第二金属层包括相同材料。
[0022]在一些实施例中，第一金属层的厚度为0.02μm至5μm。
[0023]在一些实施例中，第一金属层和第二金属层的厚度的比值为0.01至1。
附图说明
[0024]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
[0025]图1至图6B示出了根据本申请实施例的扇出式基板的形成过程。
[0026]图7A至图7D示出了本申请扇出式基板的另一实施例的形成过程示意图。
具体实施方式
[0027]为更好的理解本申请实施例的精神，以下结合本申请的部分优选实施例对其作进一步说明。
[0028]本申请的实施例将会被详细的描示在下文中。在本申请说明书全文中，将相同或相似的组件以及具有相同或相似的功能的组件通过类似附图标记来表示。在此所描述的有关附图的实施例为说明性质的、图解性质的且用于提供对本申请的基本理解。本申请的实施例不应该被解释为对本申请的限制。
[0029]如本文中所使用，术语“大致”、“大体上”、“实质”及“约”用以描述及说明小的变化。当与事件或情形结合使用时，所述术语可指代其中事件或情形精确发生的例子以及其中事件或情形极近似地发生的例子。举例来说，当结合数值使用时，术语可指代小于或等于所述数值的
±
10％的变化范围，例如小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
±
2％、小于或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
±
0.1％、或小于或等于
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0.05％。举例来说，如果两个数值之间的差值小于或等于所述值的平均值的
±
10％(例如小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
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2％、小于或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
±
0.1％、或小于或等于
±
0.05％)，那么可认为所述两个数值“大体上”相同。
[0030]在本说明书中，除非经特别指定或限定之外，相对性的用词例如：“中央的”、“纵向的”、“侧向的”、“前方的”、“后方的”、“右方的”、“左方的”、“内部的”、“外部的”、“较低的”、“较高的”、“水平的”、“垂直的”、“高于”、“低于”、“上方的”、“下方的”、“顶部的”、“底部的”以及其衍生性的用词(例如“水平地”、“向下地”、“向上地”等等)应该解释成引用在讨论中所描述或在附图中所描示的方向。这些相对性的用词仅用于描述上的方便，且并不要求将本申请以特定的方向建构或操作。
[0031]另外，有时在本文中以范围格式呈现量、比率和其它数值。应理解，此类范围格式是用于便利及简洁起见，且应灵活地理解，不仅包含明确地指定为范围限制的数值，而且包含涵盖于所述范围内的所有个别数值或子范围，如同明确地指定每一数值及子范围一般。
[0032]再者，为便于描述，“第一”、“第二”、“第三”等等可在本文中用于区分一个图或一系列图的不同组件。“第一”、“第二”、“第三”等等不意欲描述对应组件。
[0033]下面将参照附图，对本申请的扇出式基板及其形成方法做具体阐述。
[0034]参见图1，形成位于基板10上的扇出层12并形成穿过扇出层12以暴露基板10的开孔14。扇出层12包括介电层16以及位于介电层16中的线路结构18，开孔14穿过介电层16和线路结构18。
[0035]参见图2，对扇出层12进行表面粗糙化处理，表面粗糙化处理包括浸泡氢氧化钠。在执行表面粗糙处理之后，在扇出层12的介电层16的上表面及位于开孔14中的表面上形成了裂痕结构20。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种扇出式基板，其特征在于，包括：基板；扇出层，位于所述基板上；通孔，穿过所述扇出层连接至所述基板，所述扇出层的上表面以及所述扇出层的与所述通孔接触的第二表面上具有裂痕结构。2.根据权利要求1所述的扇出式基板，其特征在于，所述通孔包括接触所述扇出层的第一种子层，所述第一种子层填充在所述扇出层的介电层的所述第二表面上的所述裂痕结构内。3.根据权利要求2所述的扇出式基板，其特征在于，在所述第一种子层和所述介电层之间包括Pd粒子。4.根据权利要求2所述的扇出式基板，其特征在于，所述介电层的所述第一表面上的裂痕结构内具有残留种子层。5.根据权利要求4所述的扇出式基板，其特征在于，所述第一种子层和所述残留种子层的材料包括Ni。6.根据权利要求5所述的扇出式基板，其特征在于，所述Ni与所述介电层的材料键结。7.根据权利要求2所述的扇出式基板，其特征在于，所述通孔包括贴合于所述第一种子层的第一金属层以及由所述第一金属层包围的第二金属层，所述第一种子层的厚度小于所述第一金属层的厚度小于等于所述第二金属层的厚度。8.根据权利要求7所述的扇出式基板，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层包括相同材料。9.一种形成扇出式基板的方法，其特征在于，包括：形成位于基板上的扇出层；形成穿过所述扇出层以暴露所述基板的...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄文宏，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：