半导体封装件及其形成方法技术

本发明专利技术的实施例提供了一种半导体封装件，包括：引线架；芯片，位于引线架中；介电层，包覆引线架和芯片；重布线层，位于芯片的主动面以及介电层上，重布线层接触芯片的主动面，重布线层具有延伸在介电层和主动面上的第一阶梯结构，位于介电层上的重布线层的部分低于芯片的主动面。本发明专利技术的目的在于提供一种半导体封装件及其形成方法，以优化半导体封装件的性能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件及其形成方法


[0001]本申请的实施例涉及半导体封装件及其形成方法。

技术介绍

[0002]以引线架(Lead frame)为基础的先芯片(chip first)的扇出(fan out)制程，通常在芯片的主动面面向下的直接铜互连(Direct Cu Interconnection，DCI)制作时，需要将接合有芯片的带与胶带贴合，填满介电层后，去除胶带并且直接在芯片的主动面上进行重分布层(RDL)线路制作，然而，一般的加压贴合方式无法让芯片与胶带紧密贴合，因此容易造成后续制程树脂(resin)或环氧树脂模塑料(Epoxy Molding Compound，EMC)渗入胶带与芯片之间的缝隙内而覆盖芯片的接垫(pad)，导致后续RDL无法直接形成在接垫上。如果使用黏性较强的胶带改善上述问题，往往会有胶带移除上的技术性问题，如产品变形、产品留有残胶等。

技术实现思路

[0003]针对相关技术中存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种半导体封装件及其形成方法，以优化半导体封装件的性能。
[0004]为实现上述目的，本专利技术的实施例提供了一种半导体封装件，包括：引线架；芯片，位于引线架中；介电层，包覆引线架和芯片；重布线层，位于芯片的主动面以及介电层上，重布线层接触芯片的主动面，重布线层具有延伸在介电层和主动面上的第一阶梯结构，位于介电层上的重布线层的部分低于芯片的主动面。
[0005]在一些实施例中，第一阶梯结构的下表面包括朝向芯片的角部渐缩的第一曲面。
[0006]在一些实施例中，位于介电层上的重布线层的部分的上表面高于芯片的主动面。
[0007]在一些实施例中，重布线层的厚度大于主动面和介电层的顶面之间的高度差。
[0008]在一些实施例中，重布线层的厚度大于30μm。
[0009]在一些实施例中，重布线层具有延伸在介电层和引线架上的第二阶梯结构，位于介电层上的重布线层的部分低于引线架的顶面。
[0010]在一些实施例中，第二阶梯结构的下表面包括朝向引线架的角部渐缩的第二曲面。
[0011]在一些实施例中，引线架的顶面和主动面齐平。
[0012]在一些实施例中，芯片还包括位于主动面上的接垫。重布线层覆盖接垫。
[0013]在一些实施例中，在芯片的主动面和重布线层之间未设置介电层。
[0014]本申请的实施例还提供一种形成半导体封装件的方法，包括：将芯片设置在引线架中；将胶带真空压合芯片的主动面和引线架的顶面，主动面陷入胶带；形成包覆引线架和芯片的介电层；移除胶带；将重布线层直接形成在主动面上。
[0015]在一些实施例中，在芯片的主动面陷入胶带时，在主动面和胶带之间不存在气泡。
[0016]在一些实施例中，在移除胶带后，主动面和介电层的顶面之间存在高度差。
[0017]在一些实施例中，在主动面陷入胶带时，引线架的顶面也陷入胶带。
[0018]在一些实施例中，在形成重布线层时，形成重布线层的延伸在介电层和主动面上的第一阶梯结构。
[0019]在一些实施例中，在形成重布线层时，形成重布线层的延伸在介电层和引线架上的第二阶梯结构。
[0020]在一些实施例中，还包括：形成位于重布线层上的保护层。
[0021]在一些实施例中，对引线架的未被保护层覆盖的背侧进行蚀刻，以形成线路。
[0022]在一些实施例中，还包括：在线路上形成连接件。
[0023]在一些实施例中，芯片具有位于主动面上的接垫，在主动面陷入胶带时，接垫也陷入胶带。
附图说明
[0024]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
[0025]图1至图2示出了根据本申请的实施例的半导体封装件及其局部放大图。
[0026]图3至图10示出了根据本申请的实施例的半导体封装件的形成过程。
[0027]图11至图16示出了根据本申请另一些实施例的形成半导体封装件的过程。
[0028]图17是根据图16所示实施例的局部放大图。
[0029]图18示出了本申请另一实施例的形成半导体封装件的中间过程示意图。
具体实施方式
[0030]为更好的理解本申请实施例的精神，以下结合本申请的部分优选实施例对其作进一步说明。
[0031]本申请的实施例将会被详细的描示在下文中。在本申请说明书全文中，将相同或相似的组件以及具有相同或相似的功能的组件通过类似附图标记来表示。在此所描述的有关附图的实施例为说明性质的、图解性质的且用于提供对本申请的基本理解。本申请的实施例不应该被解释为对本申请的限制。
[0032]如本文中所使用，术语“大致”、“大体上”、“实质”及“约”用以描述及说明小的变化。当与事件或情形结合使用时，所述术语可指代其中事件或情形精确发生的例子以及其中事件或情形极近似地发生的例子。举例来说，当结合数值使用时，术语可指代小于或等于所述数值的
±
10％的变化范围，例如小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
±
2％、小于或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
±
0.1％、或小于或等于
±
0.05％。举例来说，如果两个数值之间的差值小于或等于所述值的平均值的
±
10％(例如小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
±
2％、小于或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
±
0.1％、或小于或等于
±
0.05％)，那么可认为所述两个数值“大体上”相同。
[0033]在本说明书中，除非经特别指定或限定之外，相对性的用词例如：“中央的”、“纵向的”、“侧向的”、“前方的”、“后方的”、“右方的”、“左方的”、“内部的”、“外部的”、“较低的”、
“
较高的”、“水平的”、“垂直的”、“高于”、“低于”、“上方的”、“下方的”、“顶部的”、“底部的”以及其衍生性的用词(例如“水平地”、“向下地”、“向上地”等等)应该解释成引用在讨论中所描述或在附图中所描示的方向。这些相对性的用词仅用于描述上的方便，且并不要求将本申请以特定的方向建构或操作。
[0034]另外，有时在本文中以范围格式呈现量、比率和其它数值。应理解，此类范围格式是用于便利及简洁起见，且应灵活地理解，不仅包含明确地指定为范围限制的数值，而且包含涵盖于所述范围内的所有个别数值或子范围，如同明确地指定每一数值及子范围一般。
[0035]再者本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件，其特征在于，包括：引线架；芯片，位于所述引线架中；介电层，包覆所述引线架和所述芯片；重布线层，位于所述芯片的主动面以及所述介电层上，所述重布线层接触所述芯片的所述主动面，所述重布线层具有延伸在所述介电层和所述主动面上的第一阶梯结构，位于所述介电层上的所述重布线层的部分低于所述芯片的主动面。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述第一阶梯结构的下表面包括朝向所述芯片的角部渐缩的第一曲面。3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，位于所述介电层上的所述重布线层的部分的上表面高于所述芯片的所述主动面。4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述重布线层的厚度大于所述主动面和所述介电层的顶面之间的高度差。5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述重布线层的厚度大于30μm。6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述重布线层具有延伸在所述介电层和所述引线架上的第二阶梯结构，位于所述介电层上的所述重布线层的部分低于所述引线架的顶面。7.根据权利要求6所述的半导体封装件，其特征在于，所述第二阶梯结构的下表面包括朝向所述引线架的角部渐缩的第二曲面。8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述引线架的顶面和所述主动面齐平。9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述芯片还包括位于所述主动面上的接垫。所述重布线层覆盖所述接垫。10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，在所述芯片的所述主动面和所述重布线层之间未设置所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：施佑霖，李志成，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：