半导体封装装置及其制造方法制造方法及图纸

本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：线路层；第一芯片和第二芯片，设置于线路层上；加固结构，具有第一表面，第一表面贴合第一芯片的主动面和第二芯片的主动面。该半导体封装装置中，第一芯片主动面和第二芯片主动面直接贴合加固结构，加固结构可提供应力抵抗，以降低第一芯片与第二芯片之间的应力向主动面方向的传导，进而降低因应力传导导致线路层破坏的风险。力传导导致线路层破坏的风险。力传导导致线路层破坏的风险。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装装置及其制造方法


[0001]本公开涉及半导体封装
，具体涉及半导体封装装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]现有的封装结构，例如FOCoS(Fan Out Chip on Substrate，扇出型基板上芯片)封装结构，由于各材料的热膨胀系数存在差异，在温度变化时各材料的形变程度不同，使得封装结构发生翘曲并在内部产生应力。由于热循环过程中整体结构无法直接释放应力，因此位于应力集中点的ASIC(Application Specific Integrated Circuit，专用集成电路)芯片与HBM(High Bandwidth Memory，高带宽存储器)芯片之间的底部填充材因抗拉能力不足而产生裂纹(crack)，进而裂纹可能向下延伸破坏重布线层。

技术实现思路

[0003]本公开提供了半导体封装装置及其制造方法。
[0004]第一方面，本公开提供了一种半导体封装装置，包括：
[0005]线路层；
[0006]第一芯片和第二芯片，设置于所述线路层上；
[0007]加固结构，具本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装装置，包括：线路层；第一芯片和第二芯片，设置于所述线路层上；加固结构，具有第一表面，所述第一表面贴合所述第一芯片的主动面和所述第二芯片的主动面。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一表面设置有桥接线路，所述第一芯片通过所述桥接线路电连接所述第二芯片。3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一芯片主动面和所述第二芯片主动面朝向所述线路层设置。4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述加固结构具有与所述第一表面相对的第二表面，所述第二表面贴合所述线路层。5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述第二表面设置有导电线路，所述导电线...

【专利技术属性】
技术研发人员：呂文隆，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：