描述了一种清洁极紫外(EUV)光源(100)的腔室(125)内的光学器件(115)的表面的方法。腔室被保持在大气压以下的压力处。该方法包括在邻近光学器件表面(110)并且在腔室内的位置处生成处于等离子态的材料，生成包括将已经存在于真空腔...

用于估计多个数据集中的至少一个数据集的未知值的方法和设备，每个数据集包括指示由制作于衬底中或衬底上的一个或更多个特征衍射和/或反射和/或散射的辐射的多个值，其中所述多个数据集包括至少一个已知值，和其中所述多个数据集中的至少一个数据集包括...

披露了用于测量形成在衬底上的结构的量测设备和方法。在一种布置中，选择性提取在从所述结构反射之后的辐射束的不同的分量且独立地检测所述不同的分量。对于每个分量，从所述结构下游的光学系统的下游光瞳平面中的多个预定区中的一个预定区选择辐射。进一...

光刻设备的聚焦性能是使用已曝光(1110)后的多对目标利用像差设定(例如像散)来测量的，所述像差设定在所述多对目标之间引发相对最佳的聚焦偏移。通过在FEM晶片上曝光相似的目标(1174、1172)而预先获得校准曲线(904)。在设置阶段...

一种包括金属硅氧化物层的表膜。还公开一种表膜，该表膜包括钼层、钌层和氮氧化硅层，其中，钼层设置在钌层和氮氧化硅层之间。还公开了：一种制造用于光刻设备的表膜的方法，该方法包括提供金属硅氧化物层；一种光刻组件(LA)包括表膜(15)，该表膜...

本公开涉及确定图案化过程的所关注的参数的值和清除包含关于所述所关注的参数的信息的信号的方法。在一种布置中，获得辐射的检测到的第一表示与第二表示。所述辐射由通过结构对偏振后的入射辐射的重引导提供。分别从重引导后的辐射的第一偏振分量与第二偏...

一种用于接收导电燃料的设备包括：主体；电流产生机构；和磁产生机构。主体限定用于接收燃料的表面。电流产生机构适用于在所述主体中产生电流，所述电流具有至少平行于所述表面的分量。磁产生机构布置成产生具有至少垂直于所述表面的分量的磁场。

一种用于支撑表膜的表膜框架(17)，所述框架(17)包括第一表面(17B)和与所述第一表面(17A)相对的第二表面(17A)，以及设置在所述第一表面(17A)与所述第二表面(17B)之间的结构(18)；其中所述第一表面(17A)和所述第...

一种量测设备(302)包括用于产生(310)EUV辐射的高阶谐波产生(HHG)辐射源。使用包括孔阵列(424、702)的波前传感器(420)和图像传感器(426)来监测HHG源的操作。光栅(706)将穿过各孔的辐射分散，使得图像检测器针...

本文中公开了用于使用反向散射粒子检测掩埋特征的设备(100)和方法。在一个示例中，该设备包括：带电粒子的源；平台(30)；被配置为将带电粒子的射束引导到平台上支撑的样本(9)的光学器件(16)；被配置为检测来自样本的射束中的带电粒子的反...

披露了一种量测设备，所述量测设备包括光学系统，所述光学系统用以将辐射聚焦至所述结构上且将来自所述结构的反射辐射引导至检测系统，所述光学系统被配置成将光学特性的多个不同的偏移施加至从所述结构反射之前和/或之后的辐射，使得相对于从光瞳平面场...

本发明涉及电机(LD)，包括：静止部(STP)，静止部(STP)包括一行线圈组件(UCA、LCA)，线圈组件具有多个相位；可移动部(MP)，其包括一行永磁体(UPM、LPM)，其中一行线圈组件具有第一长度、并且一行永磁体具有第二长度，其...

一种声学散射仪(502)具有声学源(520)，其可操作以将声学辐射(526)投影到形成在衬底(536)上的周期性结构(538)和(540)上。声学检测器(518)可操作以检测由周期性结构(538)和(540)衍射的负第一声学衍射阶(52...

一种用于制造包括用于存储一个或多个数据值的多个存储器单元的半导体存储器件的方法，该方法包括：在晶片上曝光图案以产生用于半导体存储器件的多个存储器单元的结构，其中该图案是借助于一个或多个带电粒子束来曝光的；在图案的曝光期间改变一个或多个带...

一种带电粒子束装置包括子束形成单元，该子束形成单元被配置为在样品(440)上形成子束阵列(410)并且对其进行扫描。子束阵列的第一部分被聚焦到焦平面(430)上，并且子束阵列的第二部分具有至少一个子束，该至少一个子束相对于焦平面具有离焦...

一种用于在光刻设备中使用并且被配置为支撑衬底的衬底支架，该衬底支架包括：具有主体表面的主体；从主体表面突出的多个主突节，其中每个主突节具有被配置为支撑衬底的远端表面；从主体表面突出并且具有上表面的第一密封构件，第一密封构件围绕多个主突节...

披露了一种在检查设备内优化测量照射光斑相对于衬底上的目标的位置和/或大小(以及因此聚焦)的方法。所述方法包括：针对所述照射光斑相对于所述目标的不同大小和/或位置，检测因照射所述目标而产生的来自至少所述目标的散射辐射；以及基于所检测到的散...

一种用于改善光刻过程的方法，所述光刻过程用于使用具有照射系统和投影光学装置的光刻投影设备将图案形成装置图案的一部分成像至衬底上，所述方法包括：(1)获得对由所述投影光学装置对辐射的投影进行模型化的模拟模型，其中所述模拟模型模型化所述投影...

公开了用于进行临界尺寸量测的系统和方法。带电粒子束装置产生用于对第一区域540和第二区域541‑547成像的束。获取对应于第一区域中的第一特征的测量结果，并且获取对应于第二区域中的第二特征测量结果。第一区域和第二区域位于样品上的分离位置...

公开了一种用于测量与具有至少两个层的结构有关的感兴趣参数的方法和相关联的装置。方法包括利用测量辐射照射该结构并且检测由上述结构散射的散射辐射。散射辐射包括正常和互补的更高衍射阶。限定将散射辐射参数与至少一个感兴趣参数关联的散射测量模型和...