ASML荷兰有限公司专利技术

ASML荷兰有限公司共有3480项专利

  • 一种用于加热光刻装置的光学部件的系统,该系统包括加热辐射源,该加热辐射源被配置为发射用于光学部件的加热的加热辐射,其中该系统被配置为将由光刻装置发射的加热辐射引导到光学部件上,加热辐射的一部分被光学部件吸收,并且加热辐射的另一部分被光学...
  • 一种包括用于测量器件制造工艺的参数的多个特征的基底以及相关联的方法和装置。该测量是通过用来自光学设备的测量辐射照射特征、并且检测由测量辐射与特征之间的相互作用引起的信号来进行的,其中多个特征包括以第一间距以周期性方式分布的第一特征和以第...
  • 一种用于检测被规则结构衍射的衍射辐射的检测器,所述检测器包括:传感器,其用于感测所述衍射辐射的至少一部分,所述传感器具有第一区和第二区;第一涂层,其被配置成允许波长在第一波长范围内的辐射透射;以及第二涂层,其被配置成允许波长在第二波长范...
  • 一种靶材料容器包括:包括沿第一方向延伸的通路的结构,该通路被配置为接收沿靶材料路径行进的靶材料;以及偏转器系统,其被配置为从通路接收靶材料。偏转器系统包括多个偏转器元件。每个偏转器元件相对于靶材料的实例沿靶材料路径行进的行进方向以第一锐...
  • 本发明披露了一种用于校正在图案化衬底的过程中使用的一个或更多个前馈参数的值的方法,所述方法包括:获得形成图案后的衬底的被测量的重叠和/或对准误差数据;依赖于所述被测量的重叠和/或对准误差数据来计算用于所述一个或更多个前馈参数的一个或更多...
  • 一种用于缺陷检查的知识推荐的服务器。服务器包括处理器,处理器电子地耦合到存储与晶片缺陷相关的多个知识文件的电子存储设备。处理器被配置成执行指令的集合以使得服务器:从缺陷分类服务器接收针对用于对检验图像进行检验的知识推荐的请求;搜索电子存...
  • 描述了一种清除工具,该清除工具被配置成使用激光束从物体的目标区域至少部分地去除掩模层。清除工具包括阻挡构件,该阻挡构件被配置成布置在包含目标区域的物体的表面上方,并且被配置成将液体包含在紧邻目标区域或围绕目标区域的空间中。
  • 一种方法,该方法包括:对于使用图案化工艺创建的具有偏置的第一目标结构和不同偏置的第二目标结构的量测目标,获得包括用于第一目标结构的信号数据与用于第二目标结构的信号数据之间关系的量测数据,该量测数据是针对多个不同量测配方获得的,并且每个量...
  • 一种方法包括:使用第一量测选配方案测量使用图案化过程处理的衬底上的量测目标的多个第一示例,以确定所述图案化过程的至少一个参数的值,所述第一量测选配方案用于将辐射施加到所述量测目标的示例并检测来自所述量测目标的示例的辐射;以及使用第二量测...
  • 本发明涉及一种振动隔离系统(IS),其包括支撑件(10)、前向致动器(20)和返回装置(40)。支撑件用于将主体(2)支撑到基座(1)上。支撑件具有主体接合表面(12)和基座接合表面(11)。基座接合表面布置为联接至基座。支撑件在联接状...
  • 一种方法包括:针对使用图案化过程产生的衬底的器件图案的多个特征中的每个特定特征,获得在所述衬底的测量目标与所述特定特征之间的所述图案化过程的参数的模型化或模拟关系;和基于所述关系和来自量测目标的所述参数的测量值,产生针对所述特征中的每个...
  • 公开了用于测量过程效应参数的方法、计算机程序和量测设备,所述过程效应参数与用于在衬底上制造集成电路的制造过程相关。所述方法包括:针对一结构,在消除或减轻所述过程效应参数对每个都与不同的测量条件相关的多个测量值的影响的同时,根据所述多个测...
  • 一种制造用于光刻设备的表膜的方法,所述方法包括:使用辐射加热(3)来局部加热所述表膜(4),且在所述表膜的两侧上同时淀积涂覆材料。还披露了根据这种方法制造的表膜。还披露了在光刻设备中的具有双侧六方氮化硼涂层的多层石墨烯表膜。
  • 光刻设备可以包括调节辐射束(B)的照射系统(IL)、具有第一表面(426)的第一固定板(412)、以及与所述第一固定板一起限定第一腔室(404)的掩模版平台。所述掩模版平台在所述第一腔室中支撑掩模版(402),所述掩模版平台包括与所述第...
  • 提供了用于补偿单束或多束设备中的分束器的色散的系统和方法。本公开的实施例提供了分散装置,分散装置包括被配置为诱导束色散的静电偏转器和磁性偏转器,束色散被设置以消除由分束器生成的色散。静电偏转器和磁性偏转器的组合可以用于在所诱导的束色散被...
  • 用于根据量测目标的图像测量重叠的方法和设备,所述图像是使用声波获得,例如使用声波显微镜获得的图像。获得两个目标的图像,一个图像使用声波获得,一个图像使用光波获得,确定图像的边缘,根据两个图像的边缘之间的差获得两个目标之间的重叠。
  • 提供了设计以减少具有大范围的尺寸、材料、行进速率和入射角的污染物粒子到达对粒子敏感的环境的可能性。根据本公开的方面,提供有包括第一腔室和第二腔室、具有第一表面的第一结构、和第二结构的物体平台。第二结构配置成支撑第二腔室中的物体,所述第二...
  • 用在光刻设备中或与光刻设备一起使用的光学隔膜(16),该隔膜包括包括第一材料的第一层(18),和包括第二材料的第二层(20),所述第一层被布置在所述第二层上,其中所述第一材料和所述第二材料被选择为,使得空间电荷区(22)或耗尽区形成于所...
  • 一种光刻设备包括:衬底台、曝光后处理模块、衬底处理机器人及干燥站。所述衬底台被配置成支撑衬底用于曝光过程。所述曝光后处理模块是用于在曝光后处理所述衬底。所述衬底处理机器人被配置成将所述衬底从所述衬底台沿着衬底卸载路径转移至所述曝光后处理...
  • 本发明提供了一种用于获得具有对准标记的衬底的高度图的方法,所述方法包括以下步骤:确定所述衬底的一个或更多个部位或区域的高度,和基于所述衬底的所述一个或更多个部位或区域的所确定的高度和所述衬底的形状模型来确定所述衬底的高度图。