一种从量测目标确定图案化过程参数的方法，所述方法包括：从量测目标获得多个衍射辐射值，所述多个衍射辐射值中的每个衍射辐射值与目标的照射辐射的多个照射条件中的不同照射条件相对应；和使用值的组合确定目标的图案化过程参数的相同的值。

提供了一种用于带电粒子束成像的装载锁定系统，其具有粒子屏蔽板(204)、底部密封板(202)和多个传感器单元(301‑303)。传感器单元位于晶片的上方，屏蔽板被设计为具有少量螺钉，并且底部密封板不包含电缆，不使用接触传感器以及使用更少...

本文中公开了一种设备，其包括：第一导电层；第二导电层；多个光学元件，在第一导电层和第二导电层之间，其中多个光学元件被配置为影响多个带电粒子束；第三导电层，在第一导电层和第二导电层之间；以及电绝缘层，物理连接到光学元件，其中电绝缘层被配置...

对由多个衬底组成的半导体衬底集合执行光刻工艺。作为工艺的一部分，衬底集合被划分为多个子集。该划分可以基于与衬底上的第一层相关联的特性集合。然后，针对衬底集合的至少一个衬底确定性能参数的指印。在一些情况下，针对每个衬底子集中的每个衬底确定...

一种度量方法、计算机产品和系统，包括根据目标的测量值来确定目标的结构不对称的类型，以及执行目标的光学测量的模拟以确定与不对称类型相关联的不对称参数的值。一种方法包括执行目标的光学测量的模拟以确定与根据目标的测量值确定的目标的结构不对称的...

一种测量与结构形成过程有关的感兴趣参数(例如，套刻)的n个值的方法，其中n＞1。该方法包括：对n+1个目标中的每一个执行n个测量，每个测量利用具有不同波长和/或偏振组合的测量辐射来执行；以及从n+1个目标的n个测量中确定感兴趣参数的n个...

一种用于优化针对产品单元制造的工艺序列的方法，该方法包括：将性能参数(指纹)的测量结果与记录的工艺特性(上下文)相关联(406)；获取(408)序列中已经对产品单元执行的先前工艺(例如，沉积)的特性(上下文)；获取(410)序列中要对产...

一种器件制造方法包括：使用光刻设备将第一衬底曝光，以形成包括第一特征的图案化层；对第一衬底进行处理，以将第一特征转移到第一衬底中；确定第一特征在第一衬底中与其标称位置的位移；确定校正，以至少部分地补偿位移；以及使用光刻设备将第二衬底曝光...

一种维护指印集合(316)的方法，指印集合表示跨晶片的一个或多个工艺参数的变化，该方法具有以下步骤：(a)接收在晶片上测量的一个或多个参数的测量数据(324)；(b)基于一个或多个工艺参数的预期演变(322)更新(320)指印集合；以及...

一种光刻设备，被布置为将来自图案化装置的图案投影到衬底上，所述光刻设备包括至少一个壳体，所述至少一个壳体包括至少一个内壁；至少一个光学部件，被布置在至少部分地由所述至少一个内壁限定的至少一个腔室内并且被配置为接收辐射束；以及冷却设备，被...

一种在浸没式光刻设备中对流体处理结构(12)的工作参数进行性能测试的方法，该方法包括：将包括具有第一部分(300)和第二部分(310)的上表面的测试衬底(TW)放置在浸没式光刻设备中的台上，该第一部分具有限定上表面的抗蚀剂，该第二部分具...

一种反射镜阵列，所述反射镜阵列中的至少一些反射镜包括反射表面和从与所述反射表面相反的表面延伸的臂，其中所述反射镜阵列还包括支撑结构，所述支撑结构设置有多个感测设备，所述感测设备配置成测量所述感测设备和从所述反射镜延伸的臂之间的间隙。

本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜，所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括：一个或更多个高掺杂区，其中所述膜是以大于10

一种优化用于诸如晶片等产品单元的多阶段处理的装置的方法，该方法包括：(a)接收对象数据(210，230)，对象数据(210，230)表示跨晶片(204，224)测量(206，208)的并且与晶片的不同处理阶段相关联的一个或多个参数；(b...

可以通过以下方法形成针对极紫外(EUV)光源的光脉冲：利用具有第一波长的第一光束照射调制系统的半导体材料来；在持续时间内向半导体材料施加电压，所施加的电压足以改变半导体材料的折射率，使得传递通过半导体材料、具有第二波长的光束的偏振状态被...

一种用于确定多个参数时间序列中的事件之间的因果关系的方法，该方法包括：标识与参数偏移事件相关联的第一事件，并且标识与故障事件相关联的第二事件，其中存在包括所述第一事件和所述第二事件的多个事件；确定针对成对的所述事件的传递熵的值，以针对每...

一种方法，包括：获得针对在测量辐射的第一波长处测量的衬底的蚀刻轮廓确定的光学特性的第一值，获得针对在测量辐射的第二波长处测量的衬底的蚀刻轮廓确定的光学特性的第二值，并获得表示第一值和第二值之间的差异的导出值；以及基于第一值和第二值或基于...

光刻系统(100)包括用于产生EUV辐射的EUV辐射源；以及光刻扫描设备，其使用EUV辐射来照射图案以将图案成像到衬底上；和控制系统(280)。EUV辐射源包括用于提供表示EUV辐射的空间强度分布的感测信号(272)的感测系统(270)...

公开了适合于高谐波产生(HHG)辐射源的气体输送系统，所述高谐波产生辐射源可以用于产生用于检查设备的测量辐射。在这样的辐射源中，气体输送元件在第一方向上输送气体。所述气体输送元件具有光学输入和光学输入，限定了在第二方向上延伸的光学路径。...

一种方法，包括：从一组已成形特征中选择一个已成形特征，所述一组已成形特征中的每个已成形特征在该已成形特征的形状的周边上具有一组点；针对所选已成形特征创建多个形状情境描述符，其中每个形状情境描述符提供所述一组点的第一焦点相对于所述一组点的...