通过光刻过程在衬底(W)上形成诸如重叠光栅(Ta和Tb)之类的目标结构。用第一辐射(456a)的斑(Sa)照射第一目标，同时用第二辐射(456b)的斑(Sb)照射第二目标。传感器(418)在不同部位处检测所述第一辐射的已经被所述第一目标...

一种用于光刻设备的流体处理结构被配置成将浸没流体容纳至一区域，流体处理结构在空间的边界处具有：至少一个气刀开口，在从该空间沿径向向外的方向上；和至少一个气体供应开口，在相对于该空间从至少气刀开口沿径向向外的方向上。气刀开口和气体供应开口...

提供一种曝光设备，包括第一衬底保持器、第二衬底保持器、传感器保持器、投影系统、测量装置和还一测量装置。所述第一衬底保持器被配置成保持衬底。所述第二衬底保持器被配置成保持所述衬底。所述传感器保持器被配置成保持传感器。投影系统被配置成利用曝...

使用利用无掩模图案写入器的无掩模光刻曝光系统制造电子器件的方法。该方法包括生成小束控制数据，用于控制无掩模图案写入器来曝光晶片以用于电子器件的创建，其中基于特征数据集生成小束控制数据，该特征数据集定义能够被选择用于对电子器件进行个性化的...

披露了一种照射源设备，包括高阶谐波产生介质(910)、泵浦辐射源以及空间滤光器(940)。该泵浦辐射源发射泵浦辐射束(950)，该泵浦辐射束具有在所述束的中心区中不包括泵浦辐射的轮廓且激发该高阶谐波产生介质以便产生高阶谐波辐射(920)...

一种包括半导体芯片的电子器件，半导体芯片包括形成在半导体芯片中的多个结构，其中半导体芯片是半导体芯片集合的成员，半导体芯片集合包括半导体芯片的多个子集，并且半导体芯片是仅一个子集的成员。半导体芯片的多个结构包括对于半导体芯片集合中的所有...

公开了一种过程监测方法和一种关联的量测设备。该方法包括：将与实际目标(1000)的测量响应有关的测量到的目标响应光谱序列数据(1010)和与如所设计的目标的测量响应有关的等效参考目标响应序列数据(1030)进行比较(1020)；以及基于...

一种方法包括：获得表示相对于目标位置来定位形成于衬底上的层上的图案的准确度的误差信息，其中所述图案已经通过用由图案形成装置图案化的辐射束辐照所述层而形成；和产生包括横越所述图案形成装置的位置移位的图的修改信息，以便增加定位使用根据所述修...

用于形成标靶和用于产生极紫外光的技术包括：朝向标靶位置释放初始标靶材料，标靶材料包括当转换为等离子体时发射极紫外(EUV)光的材料；引导第一放大光束朝向初始标靶材料，第一放大光束具有足以由初始标靶材料形成标靶材料块件的汇集的能量，每个块...

光刻设备是一种将所期望的图案施加到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。随着使用数目增加的具体材料沉积到衬底上的层的数目增加，变得越来越难以准确地检测对准标记，这部分地是由于在一个或更多个层中使用的一种或更多种材料对于用于检测对准标记的...

本发明产生用于控制或监控生产过程以改进感兴趣的参数的所预测的数据。获得与所述生产过程(504)的操作相关联的情境数据(502)。对所述生产过程(504)的产品(506)执行量测/测试(508)，由此获得性能数据(510)。提供情境对性能...

用于极紫外(EUV)光源的系统包括：光生成系统，该光生成系统被配置为将一个或多个光束发射到光束路径上；一个或多个光学放大器，该一个或多个放大器中的每一个包括光束路径上的增益介质，每个增益介质被配置为放大一个或多个光束以产生一个或多个放大...

一种用于确定参数的指纹的方法、系统和程序。所述方法包括确定出自多个装置中的装置对参数的指纹的贡献。所述方法包括：获得参数数据和使用数据，其中所述参数数据基于对已由所述多个装置处理的多个衬底的测量结果，所述使用数据指示出自所述多个装置中的...

本发明披露了一种控制光刻过程的光刻设备和相关联的方法。该光刻设备包括控制器，该控制器配置成限定与衬底在光刻设备内的定位相关联的控制栅格。该控制栅格基于以与图案化装置相关联的器件布局为基础，该器件布局限定在光刻过程中待施加到和/或已经施加...

一种方法包括：使用设计布局的特性和图案化过程的特性来模拟图像或图像的特性；确定所述图像或图像的特性与所述设计布局或设计布局的特性之间的偏差；基于所述偏差使从经图案化的衬底获得的量测图像与所述设计布局对准，其中所述经图案化的衬底包括使用图...

一种方法包括：获得是用于图案化过程的、是量测目标的叠层差异参数的函数的所述量测目标的重叠的数据的拟合；以及通过硬件计算机使用所述拟合的斜率以：(i)区分一个量测目标测量选配方案与另一个量测目标测量选配方案；或者(ii)计算重叠的校正值；...

一种用于诸如减少校准时间、改进模型的精确度以及改进整个制造过程的各种目的的方法，其中通过两个不同的过程模型模拟图像的特性的偏差或通过过程模型模拟且通过量测工具测量所述特性的偏差。

一种方法，包括：获得图案形成装置的薄掩模透射函数和用于光刻过程的M3D模型，其中所述薄掩模透射函数是连续透射掩模(CTM)，所述M3D模型至少表示能够归因于所述图案形成装置上的结构的多边缘的M3D效应的一部分；通过使用所述薄掩模透射函数...

本发明提供一种用于确定涉及衬底的特征的位置的方法、系统和程序。所述方法包括：测量所述特征的位置；接收所述特征的预期方位；和基于对涉及衬底上的第一层的第一参考特征相对于涉及衬底上的第二层的第二参考特征的相对位置的知晓来确定置放误差的估计。...

一种确定形貌的方法，该方法包括：获得第一聚焦值，所述第一聚焦值从对未经图案化的衬底的图案化建模的计算光刻模型导出或从未经图案化的衬底上的图案化层的测量导出；获得第二聚焦值，所述第二聚焦值从具有形貌的衬底的测量导出；和根据第一聚焦值和第二...