【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用叠层差异的设计和校正相关申请的交叉引用本申请要求于2016年11月10日递交的US申请No.62/420,375的优选权,该US申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
本公开涉及能够用于例如通过光刻技术制造器件的检查(例如量测)的方法和设备,并且涉及使用光刻技术制造器件的方法。
技术介绍
光刻设备是将期望的图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于制造例如集成电路(IC)。在这种情况下,图案形成装置(其可替代地被称作掩模或掩模版)可以用于产生待形成于IC的单层上的电路图案。该图案可以转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如,包括管芯的一部分、一个或多个管芯)上。通常经由成像到设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行图案的转印。通常,单个衬底将包含连续图案化的相邻目标部分的网络。在图案化过程(即,产生包含图案化(诸如光刻曝光或压印)的器件或其它结构的过程,其通常可以包括一个或更多个相关的处理步骤,诸如抗蚀剂的显影、蚀刻等)中,期望确定一个或更多个感兴趣的参数(例如,使用一个或更多个模型进行测量、模拟等,所述模型将图案化过程的一个或更多个方面模型化),诸如结构的临界尺寸(CD)、形成于衬底中或衬底上的连续层之间的重叠误差等。期望确定用于通过图案化过程而产生的结构的这样的一个或更多个感兴趣的参数,并且将它们用于与图案化过程相关的设计、控制和/或监测,例如用于程序设计、控制和/或验证。可以将图案化结构的已确定的一个或更多个感兴趣的参数用于图案化过程设计、校正和/或验证、缺陷检测或分类、良率估计和/或过程控制。因此,在图案化过 ...
【技术保护点】
1.一种方法,包括:获得用于图案化过程的、是量测目标的叠层差异参数的函数的所述量测目标的重叠的数据的拟合;和通过硬件计算机使用所述拟合的斜率以:(i)区分一个量测目标测量选配方案与另一个量测目标测量选配方案;或者(ii)计算重叠的校正值;或者(iii)指示利用所述量测目标获得的重叠测量值应该被使用或者不应该被使用,以配置或修改所述图案化过程的方面;或者(iv)选自(i)至(iii)中的任意组合。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.10 US 62/420,3751.一种方法,包括:获得用于图案化过程的、是量测目标的叠层差异参数的函数的所述量测目标的重叠的数据的拟合;和通过硬件计算机使用所述拟合的斜率以:(i)区分一个量测目标测量选配方案与另一个量测目标测量选配方案;或者(ii)计算重叠的校正值;或者(iii)指示利用所述量测目标获得的重叠测量值应该被使用或者不应该被使用,以配置或修改所述图案化过程的方面;或者(iv)选自(i)至(iii)中的任意组合。2.如权利要求1所述的方法,其中,在所述量测目标的图像的像素水平,计算所述重叠和叠层差异参数数据。3.如权利要求1或权利要求2所述的方法,其中,根据从所述量测目标测得的衍射辐射的强度的图像平面检测,计算所述重叠和叠层差异参数。4.如权利要求1至3中任一项所述的方法,还包括:通过使用用于所述量测目标的第一周期性结构的图像的第一部位的辐射强度数据与用于所述量测目标的第二周期性结构的图像的第二部位的辐射强度数据的组合,导出所述重叠和/或叠层差异参数数据,其中,所述第二部位在与所述第一部位旋转对称的位置。5.如权利要求1至4中任一项所述的方法,其中,所述叠层差异参数包括所述量测目标的具有第一偏置值的周期性结构的强度值的组合减去所述量测目标的具有不同的第二偏置值的周期性结构的强度值的组合。6.如权利要求1至5中任一项所述的方法,其中,所述拟合是线性拟合。7.如权利要求1至6中任一项所述的方法,包括:使用所述拟合的斜率计算重叠的校正值。8.如权利要求1至7中任一项所述的方法,包括:使用所述拟合的斜率区分一个量测目标测量选配方案与另一个量测目标测量选配方案。9.如权利要求1至8中任一项所述的方法,包括:基于所述拟合的斜率配置或修改所述图案化过程的方面。10.一种方法,包括:获得用于图案化过程的量测目标的区域的周期性结构强度不平衡性参数值,所述区域被预期为具有最小叠层差异;找出非重叠诱发的周期性结构强度不平衡性参数值,所述非重叠诱发的周期性结构强度不平衡性参数值用作用于所述量测目标的平均周期性结构强度不平衡性参数值与用于所述区域的周期性结构强度不平衡性参数值之间的差值;以及使用非重叠诱发的周期性结构强度不平衡性参数差值计算校正重叠值。11.如权利要求11所述的方法,还包括:组合所述非重叠诱发的周期性结构强度不平衡性参数差值与用于所述量测目标的重叠的数据的拟合的斜率,以计算所述校正重叠值,所述拟合的斜率是所述量测目标的叠层差异诱发的周期性结构强度不平衡性参数的函数。12.如权利要求10或权利要求11所述的方法,其中,所述区域是所述量测目标的第一周期性结构内的部位,并且从所述区域到所述量测目标的第二周期性结构的距离介于所述第一周期性结构与所述第二周期性结构之间的最短距离的90%至110%之间,所述量测目标的第二周期性结构具有不同的第二偏置。13.如权利要求10至12中任一项所述的方法,还包括:通过使用用于所述量测目标的第一周期性结构的图像的第一部位的辐射强度数据与用于所述量测目标的第二周期性结构的图像的第二部位的辐射强度数据的组合...
【专利技术属性】
技术研发人员:蒋爱琴,A·J·登鲍埃夫,K·巴塔查里亚,H·范德拉恩,B·菲瑟,M·J·J·杰克,
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司,
类型:发明
国别省市:荷兰,NL
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