本发明涉及一种承载装置，被布置成相对于设备的第二部分在竖直方向上支撑设备的第一部分，承载装置包括磁性重力补偿器。磁性重力补偿器包括：第一永磁体组件，被安装到第一部分和第二部分中的一个部分并且包括永磁体的至少第一列，第一列在竖直方向上延伸...

一种传感器标记，包括衬底(200)，该衬底具有：第一深紫外(DUV)吸收层(310，320，330)，包括基本上吸收DUV辐射的第一材料；第一保护层(600)，包括第二材料；其中：第一DUV吸收层中具有第一通孔(500)；第一保护层在平...

一种针对EUV光源的系统，包括：被配置为发射量测光束的量测光源；光束组合器，被定位为接收量测光束和至少一个其他光束，并将量测光束和至少一个其他光束引导到朝向目标区域的光束路径上。在与光束组合器交互之后，量测光束和至少一个其他光束具有相同...

公开了一种平台系统和一种包括至少一个这样的平台系统的量测装置。平台系统包括用于保持物体的平台载体和用于使平台载体位移的平台载体定位致动器。平台系统还包括用于抵消平台载体的位移的平衡质量块、以及用于使平衡质量块移位的平衡质量块定位致动器。...

辐射源布置引起泵浦辐射(340)与气态介质(406)之间的相互作用，以通过较高次谐波产生(HHG)来产生EUV或软x‑射线辐射。通过检测(420/430)由状态感测辐射与介质之间的相互作用产生的第三辐射(422)来监控辐射源布置的操作状...

提供了用于带电粒子检测的系统和方法。检测系统包括信号处理电路(502)，该信号处理电路(502)被配置为基于从多个电子感测元件(244)接收的电子强度数据来生成一组强度梯度。检测系统进一步包括束斑处理模块(506)，该束斑处理模块(50...

一种方法包括确定在执行器件制造过程时与误差或残差关联的第一参数的第一分布；确定在执行所述器件制造过程时与误差或残差关联的第二参数的第二分布；和使用对所述第一分布和第二分布进行运算的函数确定与所述器件制造过程关联的感兴趣的参数的分布。所述...

公开了用于原位内联清洁设置在EUV生成腔室中的元件的方法和装置。基于毛细管的氢自由基发生器被用于从氢气形成氢自由基。基于毛细管的氢自由基发生器在操作期间被电阻加热，并且被定向成使得从氢气催化生成的氢自由基被引导到元件的表面以用于清洁表面。

本发明涉及一种光刻设备，包括：‑主框架(10)，所述主框架设置有功能单元(11、12、14)；‑次级框架(20)；‑主框架支撑件(30)，所述主框架支撑件适于将所述主框架支撑到所述次级框架上；‑柔性共用连接件(40)，所述柔性共用连接件...

一种图案形成装置(100)，包括：在图案形成装置基板(102)上的吸收体层(106)；和在图案形成装置基板上的反射层或透射层(104)，其中吸收体层和反射层或透射层一起限定具有主要特征(112)和与主要特征配对的衰减式亚分辨率辅助特征(...

一种方法，包括：获得设计布局的一部分的特性；确定包括或构成所述部分的图案形成装置的M3D的特性；通过使用计算机，使用包括样本的训练数据训练神经网络，所述样本的特征向量包括所述部分的特性并且所述样本的监督信号包括M3D的特性。还公开了一种...

提供了一种光刻设备，包括：物体，所述物体包括：衬底和可选地在所述衬底上的下层；上层；和在所述上层与所述衬底之间的中间层，其中所述中间层与所述衬底或下层之间的结合强度大于所述中间层与所述上层之间的结合强度，并且所述中间层的杨氏模量和/或泊...

一种馈通设备(50；150)，用于在具有组宽度的信号导体组(60；160)中的信号导体周围形成气密密封。该设备包括开槽构件(52；152)和基部(62；162)。基部限定通孔(65)，该通孔(65)沿着馈通方向(X)完全延伸穿过基部，并...

一种方法涉及：基于蚀刻偏差模型确定待使用图案化过程的蚀刻步骤蚀刻的图案的蚀刻偏差，所述蚀刻偏差模型包括公式，所述公式包括：与图案的空间属性关联的变量或与蚀刻步骤的蚀刻等离子体物种浓度关联的变量，和包括与参数的幂拟合的或基于蚀刻步骤的蚀刻...

披露了在器件制造过程的步骤之后测量一图案在一个或多个衬底上的多个实例之间的变化的方法。在一种配置中，接收表示一组图像的数据。每个图像表示该图案的不同实例。该组图像相对于彼此被配准以叠加所述图案的实例。使用配准的该组图像来测量所述图案的变...

本发明中披露了构造过程模型的方法，该过程模型用于根据在不同处理条件下产生的图案模拟光刻术的产品的特性。所述方法使用该被模拟的特性的变化与被测量的特性的变化之间的偏差以调整该过程模型的参数。

本发明涉及一种衬底曝光系统，包括框架、用于承载衬底的衬底支撑模块、用于曝光衬底的曝光装置以及用于调整曝光装置相对于衬底支撑模块的位置的调整组件。调整组件包括液压致动器、液压发生器和导管，导管互连液压致动器和液压发生器用于形成液压系统。曝...

一种将待操作的衍射光学系统与操作束对准的方法，所述方法包括：使用具有与操作束不同的波长范围的对准束并使用被优化(552)以在同一(或预定的)方向上衍射对准束和操作束的衍射光学元件来对准(558)衍射光学系统。在示例中，所述对准束包括红外...

公开了用于监测光刻过程的方法和相关联的光刻设备。所述方法包括：获得与由衬底支撑件支撑的衬底相关的高度变化数据，和通过所述高度变化数据拟合回归，所述回归近似于所述衬底的形状；确定所述高度变化数据和所述回归之间的残差数据；和监测所述残差数据...

本发明中披露一种量测方法以及相关联的量测设备。该方法包括：测量通过光刻过程而形成于衬底上的至少两个层中的目标，并且例如在图像场中捕捉至少一个对应对的非零衍射阶，以获得测量数据。执行如依据所述目标的几何参数而定义的所述目标的测量结果的仿真...